Смынтына

Номер патента: 1790757

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Головань, Смынтына

МПК: G01N 27/12

Метки: газоанализатора, чувствительный, элемент

...сред (включая воздух, кислород и другие акцепторные компоненты),Указаннаяцель достигается тем, что в чувствительном элементе газоанализатора, содержащем диэлектрическую подложку, полупроводниковый слой сульфида кадмия с нанесенными на него контактами, последние размещены на расстоянии, определяемом соотношением где О - рабочее напряжение при измерении электропроводности пленки;б - расстояние между контактами;Р - удельное сопротивление полупроводниковой пленки,А - константа.Для индиевых контактов А = б 10" В Ом/см.В известном чувствительном элементе газоанализатора рабочая температура полупроводникового слоя при регистрации концентрации газа по электропроводности находится в диапазоне 90 - 100 С. Такая температура обеспечивает...

Номер патента: 1775657

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Голованов, Курков, Смынтына

МПК: G01N 27/02

Метки: анализатора, окиси, углерода, чувствительного, элемента

...концентрации акцепторной.11 -2примеси выше 10 см приводит к образоВанио кластеров примеси на поверхностислоя зафиксированнь)х методами электрон 15 ногряфического анализа на электронноммикроскопе Э ЗЛ ВАК.Умень)зцение энергетической глубиныза)81 яния поверхностных уровней вследст 1)ле э Гого процесса приводит к уменьшению20 двухорбитального четырехзлектронногоВзаимодействия валентной орбитали молекулы поверхностного адсорбционнОго цент)а В соотьетствующей 5 п -орбитальюмолекулярного терма окиси углерода и, как25 следствие, к снижению донорно-акцепторного взаимодействия при хемосорбции,Экспериментально установлено, чточу)стви 58 льность к СО зависит от концентрации акцепторнай примеси на поверхно 30 сти образца и достигает...

Номер патента: 1345103

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Голованов, Смынтына, Турецкий, Чемересюк, Шмилевич

МПК: G01N 27/02

Метки: анализатора, ангидрида, сернистого, чувствительный, элемент

...тонком приповерхностном слое, Увеличение толщины пленки приводит кпоявлению объемной составляющейэлектропроводности, которая шунтирует поверхностную проводимость, обуславливая потерю чувствительностипленки к сорбции БО, Уменьшение толщины пленки приводит к ухудшению параметров из-за увеличения влияниянижней поверхности пленки,Нагрев подложки до температурыее обезгаживания позволяет обеспечитьчистоту полупроводникового слоя ЧЭс одновременным удалением побочныхпродуктов из зоны реакции.Устройство работает следующим образом,Перед началом работы чувствительный элемент нагревают до температуры 90-100 С с целью увеличения ско рости протекания последующих сорбционных процессов на поверхности 5103 2пленки, На контакты 3 подается...

Номер патента: 974234

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Смынтына

МПК: G01N 25/00

Метки: активных, заряженных, катализатора, концентрации, концентраций, поверхности, соотношения, центров

...при комнатной температуре после десорбции молекулярного кислорода;Д - электропроводность катализа"3тора, измеренная при комнатной температуре после десорбции атомарного кислорода,Экспериментально установлено, цто концентрация зарлженных активных центров на поверхности катализатора 25 определяется по йормупе1 о = (4)1 ж= :Но, Ь) где М,; в . концентрация междоузельныхатомов металла; Й Ж)- концентрация вакансий халькогена;. коэффициент, зависящий от свойств поверхности катализатора, определенный экспериментально-расчетным путем, например для катализатора типа селенида кадмия он ра" вен 1-1,2/1 И, 40 Согласно формулам ( 2 ), ( 3 ), ( 4 ),) соотношение между концентрациями заряженных активных центров на поверхности катализатора, например,...