ZIP архив

Текст

180936 СОюз Спветеких Ссциалистических Реептбликисимое от авт. свидетельст Кл, 48 Ь, 1 4 ( 91354722 Заявлено 21 Х 11.1 МПК С 2 егиитет по пела Приоритет Опубликовано 2 Дата опубликов изобретений и открытипри Совете МииистраеСССР ДК 621.793,1:669,718,Уг 111.1966. Бголлетсиь М шя описания 21 Х.1966 вторызобретепия Слав А. А. Плеталлургиио черной и ц иц мени А, А. Байковатвой металлургии пр Институт комитета вител ПОКРЪ 1 ТИЙ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ ДРУГИЕ ТУГОПЛАВКИЕ МАТЕРИАЛЪ СПОСОБ НАНЕСЕ А ГРАФИТ, КВАР бором темпескоростьюПроцессслучае прихГО Я ЛЮМИ:.1 С 4 гН.1 - 10 час впы осажденчать особотий от 0,01лучяехгьге пчивы к дейс Известшгй способ ня трида алюмшшя на гр тугоплавкие материалы тем взаимодействия пя 1 И 5 С ЯЗОТОМ ИЛ Я.гМ получения особо чисты ратуры нагрева моиоаммиаката и подачи шгертиого газа.осаждения нитрида алюмиция в ененил моноаммиякятя хлористоцил протекает по реакции .А 1 Х+ ЗНС и длится в течение з;гшгсимости от требуемой толщи:сго слоя. Способ позволлет получистыс покрытия. Толщина покры до нескольких миллиметров. По- скрытия цитрида алюминия устойтвию рясплавов ярсеиида галлия. несения покрытии ниафит, кварц и другие из газовой фазы пуов хлорстого ягггсмииком не осссиечишгетпокрытий. Предмет изобретенияСпоссо паиесепил покрытиг иитрида алюминия на графит, кварц и другие тугоплавкие матераль пр терлгческох разложеигги Галогенидов алюминия, от,гтсггошпйсл тем, что, с целью получения особо чистых слоев ццтрида алюминия, используют монояммиакяты галогенидов, например моиоаммиакят хлористого алюминия, я процесс осуществлягот в атмосфере ииертиого гязя или в вакууме. присоединением заявки М Предложеиныи спосоо отличается от известных тем, что используют моцоаммиякяты галогенидов (хлоридов, бромидов, йодидов) 10 алюмшпи, например мопоаммиакат хлористого алюминия (А 1 С 1, ХНз).Сущность способа состоит в том, что подлекяциЙ покрытигс хгятер 5 ял иягревягст до тс.гпературы 800 1300"С в атмосфере паров мо цоаммиакатов галогенида алюминия. Очиценный моноаммиакат галогеиида алюминия испаряют в токе инертного газа-носителя (аргон, водород и др.) при температуре 160 - 300 С и пары его поступают в реакционную 20 камеру, где находится подлежащий покрытию материал. Концентрация моиоаммиакята в газе-носителе 0,01 - 2 г/л, что достигяетсл подч у, ,)осударствецноЖГосплане СССР

Смотреть

Заявка

913547

МПК / Метки

МПК: C23C 10/08

Метки: 180936

Опубликовано: 01.01.1966

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-180936-180936.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">180936</a>

Похожие патенты