Электрооптический модулятор

Номер патента: 1556924

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Бочаров, Кирпиченко, Корочкин, Севостьянов, Скорынин, Черных

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, центрирования

...90 и смещают кристалл на величину 1 г. 2 ил. После этого поворачивают шпиндели на угол , смещают кристалл по линии ЮР системы координат станка на вел ич и ну Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину гг. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси врагцения шпинделей повышается точность и и ронзводитльность ориентирования кристалла. так как на р- зультаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных криталлов и погрешности профиля рундита.Пример. Кристалл гр) ппь; РОП с размером основания 5,0 Х 5,2 мм устанавливают г, оправки обточного станка модели ПО - 2, на...

Номер патента: 1272205

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....

Номер патента: 1824621

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Андреев, Компанец, Парфенов, Пожидаев, Чигринов

МПК: G02F 1/135

Метки: излучения, модулятор, оптического

...поляризаторов - исходное пропускание мало). Причем, поскольку молекулы ориентированы полем вполне определенным образом - их диполи параллельны полю, а директор молекул в этом случае перпендикулярен полю, то пропускание конечного состояния - при включенном поле - то же может быть выбрано взаимным расположением поляризаторов и направления поля. Например, при перпендикулярности поля и плоскости поляризации поляризатора - пропускание минимально (для скрещенных поляризаторов), при их взаимной ориентации под углом 45 градусов - пропускание определяется обычным соотношениемТ= эи (2 лоб/4где п, б, Я имеют смысл указанный выше.Были проведены испытания модулятора, выполненного по данному техническому предложению, Модулятор использоеал...

Номер патента: 366809

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бузылев, Влох, Зайцев, Лобский, Ндин, Овчинников, Пирогов

МПК: G02F 1/03, H01S 3/10

Метки: модулятор, света

...4.При использовании оптически активногокристалла, например кварца, величина угласр выбирается из соотношения2(г ппи, +";сов 4 о =К), сов;п 2 в 1 пф "+п 2 сов где (1 - длина кристалла вдоль оптическойоси,Х - длина волны излучения,и( и пп - главные показатели преломления,1) - удельное вращение, т. е, поворот.плоскости поляризации а единицудлины оптически активного кристалла,К - порядок интерференции.В этом случае электроды 5 имеют вид продольных,полос (изображены па фиг. 1 пунктиром),Описываемый модулятор света работаетследующим образом.Благодаря тому, что угол ср между оптической осью модулирующего кристалла и осьюустройства, совпадающей с направлениемраспространения монохроматическото светового пучка, соответствуег экстремуму...

Номер патента: 830278

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Говорухина, Малков, Неверов, Филев

МПК: G02F 1/03

Метки: контрастностиэлектрооптического, кристалле, модулятора, напироэлектрическом, стабилизации

...литияв диапазоне температур 213-333 К сионизацией окружающего кристалл воздуха и без ионизации в исходномсостоянии - при комнатной температуре - койтрастность модулятора равняется 1000 (на чертеже точка А. Оптические потери в модуляторе (безучета френелевских потерь) определяются поглощением в кристалле и контрастностью, и составляли не более0,5. Скорость изменения температуры кристалла поддерживается 4 К/мин.На чертеже приведены типичные зависимости контрастности модулятора взависимости от температуры при двухрежимах - с ионизацией (кривая, проведенная сплошной линией) и без ионизаций (кривая, проведенная пунктирной линией). Ионизация воздуха фпроизводится коронным разрядом, при 1830278 Формула изобретения ьдЮоив юэ ги ги га ю жз ТИАР...