Высокоомное сопротивление

Номер патента: 1714333

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Гордиенко, Дунавецкий

МПК: G01B 7/06

Метки: методом, периметру, пленки, получаемой, рукавной, толщины, экструзии

...толщи- зом.ны производится датчиком непосред- При включении электродвигателя 8 с поственно на рукаве при его вращении отно- мощью пар зубчатых колес 7 и 6 и 7 и 9сительно оси кольцевой головки. При этом приводятся во вращение в противоположсокращается время транспортного запаз ных направлениях соответственно кольцедывания. Недостатком данного способа яв- вая головка 2 и датчик 3 толщины, сигнал сляется неравномерность распределения которого поступает в электронный блок 12.толщины по периметру рукава иэ-эа боль- Одновременно на входы электронного блошой динамической погрешности измерения ка 12 поступают сигналы с датчика 15 угла25 поворота через делители 13 и 14, коэффициЦель изобретения - снижение динами- енты передачи которых...

Номер патента: 1401402

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Сахаров, Соколов

МПК: G01R 27/04

Метки: волнового, зоны, однородной, перестраиваемой, сопротивления, тем-камеры, установки

...представляют собой прямоугольные импульсы, изображенные на фиг, 2 пунктирной линией. Относительное изменение волнового сопротивления равно6 Ш; Жт - т 2 В; - Е.)= 2 Ьц, (2)где %, - волновые сопротивления образцовой меры 3.Регистрируемая импульсным рефлектометром 4 разность отраженных сигналов от 10 однородной зоны 1 и образцовой меры 3состоит из суммы отраженных сигналов от всех и - 1 участков согласующего перехода 2 и равнаи=и - и.=Х р, П(1-р;) (3)Если волновое сопротивление однороднойзоны 1 равно волновому сопротивлению образцовой меры 3, то максимальная оценка разности отраженных сигналов от однородной зоны 1 и образцовой меры 3, регистрируемая импульсным рефлектометром 4, определяется по формуле (3). Если произвести перестройку...

Номер патента: 124199

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Кичкин, Климов

МПК: G01K 11/00, G01N 13/00

Метки: граничной, критической, масляной, метод, пленки, температуры

...схема узла трения четырехшарикового приоора; на фиг. 2 - схема установки прибора в термостатную жидкость и связи его с устройством для записи коэффициента трения.Узел трения четырехшарикового прибора состоит из верхнего корпуса 1, имеющего вращаемый от привода шпиндель 2 с укрепленным 11.1 нижнем его конце верхним шаром 3, и нижнего корпуса 4 с тремя нижними шарами 5, снабженного гибким шлангом 6, соединенным с масляным шприцем 7.После промывки шаров углеводородными растворителями и сборки прибора дают нагрузку на верхний шар 3, причем нижний корпус с ша124199 Предмет изобретения Метод определения критической температуры граничной масляной пленки в четырехшариковом приборе, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения...

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...