Способ получения быстроразваривающихся крупяных продуктов

Номер патента: 886884

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Мельников, Шабаков

МПК: A23L 1/10

Метки: крупы, овсяной, производства

...овсяной крупы.Таблица 2. Выход продуктов,Способ и режим ГТО Давление Продолжительпара ность пропариМПа ванвя, мин Дробле ноеядро Целоеядро 10,8 9,1 80,1 По прототипу По предлагаемомуизобретению 3 90,2 4,8 5,0 0,15 отделения лузги от ядра, падди-машину 9 для отделения нешелушенвых зеренот ядра, пропариватель 10 для пропа-.ривания ядра, шлифовальный постав 11,где производится шлиФование ядра.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом,Очищенное от примесей зерно взвешивают на автовесах 1, увлажняют вувлажнительном аппарате 2 до влажности 15 - 16, отволаживают в бункере 3, 14 - 16 ч для равномерного распределения влаги по зерну, сушат всушилке 4 дс влажностй 12,5 - 13,5,охлаждают в охладительной колонке 5и щелушат в центробежном...

Номер патента: 776633

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Зенкова, Леонов, Лопатинский, Павлова, Папе, Цакулис

МПК: B02B 5/02

Метки: выработки, крупы, овсяной

...этапов шелушения и их самостоятельная совместная обработка для выделения ядра (вместо объединения продуктовпосле первого и второго этапов шелушениякаждой фракции) повышает чистоту выделения ядра.При такой технологии содержание необрушенных зерен в выделенном ядре овсасоставляет 1%. Для этого продукта достаточно однократного шлифования, после чего содержание необрушенных зерен сокращается вдвое;- Вместо первоначального отсеиваниямучки и последующего отвеивания лузгиэтап отделения лузги осуществляют в двестадии: сначала выделяют крупную лузгу,затем отвеивают мучку, и далее - выделяют мелкую лузгу. Этим практически достигается полное освобождение продукта отлузги.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Исходный овес...

Номер патента: 1346119

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Давыденко, Данильчук, Ковганко, Овсянникова, Сердюк, Субоч, Усанович, Шабета

МПК: A23L 1/216

Метки: картофельной, крупы, производства

...в предлагаемом массовом соотношении позволяет получитьсмесь, пригодную для прессованияпри высоких давлениях, и обуславливает получение однородных частиц картофельной крупы.1Из табл. 1 также видно,что при подаче на смешивание картофельногопюре в количестве менее 25 мас.ч. и 40 соответственно влагопоглощающего компонента в количестве более 72 мас. ч.масса получается чрезмерно сухой,полурассыпчатой, что приводит кполучению после прессования ряда 4 б неоднородных распадающихся частиц,а подача на смешивание картофельногопюре в количестве более 45 мас.ч.и соответственно влагопоглощающегокомпонента в количестве менее50 мас.ч. приводит к увеличению текучести массы, что обуславливает деформацию частиц после прессования.Введение при...

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1797411

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Квасов, Сологуб

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрик, структуры, формирования, —полупроводник

...Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па для структуры и-типа кремний - 3102. На фиг.2 кривые 7-9 показывают зависимость плотностиповерхностного заряда на границе р-типакремний - Яза при акустическом давленииР = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па соответственно, кривые 10-12 - зависимость плотности поверхностного заряда на границеи-типа кремний - 31 зй 4 при акустическомдавлении Р = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2Па соответственно,Перечисленные существенные отличияприводят к переходу системы дефектов вравновесное состояние, вызывает десорбцию загрязняющих ионов с поверхности, чтосопровождается уменьшением величины отрицательного заряда на границе разделакремний - диэлектрик или изменением знака заряда и соответственно приводят кповышению качества...