Способ записи оптического изображения

Номер патента: 1277910

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Бела, Жужа

МПК: G06F 13/16

Метки: изображения, информации, отображения, телевизионного, хранения

...выход регистра 11 сдвига соединен с цифроаналоговым преобразователем 13, который выдает на свой аналоговый выход считанные из памяти величины в форме аналогового напряжения.Устройство упрощает считывание внешних видеосигналов из блока 8 памяти. В этом случае подходящие схемы (не показаны) обеспечивают то, что видеосигналы, подлежащие записыванию, поступают синхронно с адресами по горизонтали и вертикали этого устройства. По аналоговым сигналам, поступающим на вход Видеосигнал", аналогоцифровой преобразователь 12 формирует цифровые сигналы, поступающие на последовательный вход регистра 11 сдвига. Режим записывания устанавливается компьютером через блок 4 сопряжения и блок 9. В этом случае информация, входящая в последовательной...

Номер патента: 1334058

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Алексеев, Гозенко, Евсеева, Ильин, Майстров, Михайлов, Никитич, Скворцова

МПК: G01N 1/08

Метки: анализов, микроскопического, образцов, оптического, приготовления, сплавов, электронно

...с термически стабильными, но механически нестабильными К- и В 2- Аазами скорости нагрева и охлаждения не оказывают влияния на процесс восстановления фазового состава.50Применение печного нагрева и скоростного нагрева (в жидких средах) обеспечивало получение одинакового фазового состава образцов. Темпераатура нагрева до А+200 С также не оказывает влияния на процесс восстановления фазового состава образцов. Однако нагрев до более высоких темиератур вызывает изменение структурного состояния В 2- и К-Ааэ вследствие развития процессов полигонизации, а также приводит к ухудшению состояния поверхности за счет образования окисной пленки.Наиболее оптимальной температуройо нагрева является температура на 50 выше А. Нагрев до таких...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 1493864

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Брандорф, Гершберг, Ямпольский

МПК: G01B 7/06

Метки: времени, интервал, толщины

...и делителя частоты, входное напряжение формирователя поступает от силового трансформатора бло ка питания заявляемого устройства).Пусть непосредственно перед моментомсостояние схемы таково, что Б д=О, 1=0, О (,Т)=0, К 13= К 4=К 10=К 8=0, К 7=К 9=1, где 1 - уро вень логической единицы, соответствующий замкнутому состоянию ключей 9 и 7.В моментзамыкаются ключи 4, 12, 10 и 8, а ключи 7 и 9 размыкаются, Это приводит к тому, что на вход преобразователя 5 подается постоянное напряжение Оэ, к выходу этого преобразователя подключается катушка 2, а к третьему входу преобразо вателя 5 катушка 1. Через обмотку катушки 2 начинает протекать ток 1(С), на третьем входе преобразователя 5 возникает ЭДС е(С,Т) = -дФ/дТ-с 1(М(Т)1(С/с 1 Т = -М(Т)д 1(Т)/с 11....

Номер патента: 1529288

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Беккер, Петухов, Фомин, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: бис, записи, информации, кмоп, структурах, хранения

...области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току...