Способ измерения индукции магнит-ного поля

О П И С А Н И Е ,и)834629ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советски кСоциалистическикРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУОпубликовано 30.05.81. Бюллетень20Дата опубликования описания 05.06.81 нв делам нзобретеннй н еткрмтнй Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан, А. Н. Балаш в,И. С. Левитас, Ю. Д. Тон и Ю. В. Горемы ин,:,(72) Авторы изобретения пециализированное конструкторско-технологическое бюротвердотельной электроники с опытным производством"Института прикладной физики АН Молдавской ССР(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКЦИ МАГНИТНОГО ПОЛЯИзобретение относится к технике магнитных измерений и предназначено для измерения магнитного поля, а также поверхностных параметров полупроводников.Известен способ измерения индукции маг нитного поля, включающий воздействие магнитным полем на носители заряда в однородной полупроводниковой пластине и воздействие на пластину 4 или Ялучей 1.Недостатком данного способа является использование радиоактивного излучения, которым облучают одну из сторон пластинки. Известен также способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине 12.1В известном способе на однородную полупроводниковую пластину действуют светом. В результате световой генерации на поверхности пластинки создаются носители заряда, которые диффундируют в объем. Под действием силы Лоренца они отклоняются в направлении, перпендикулярном движению. Вследствие этого на противоположных сторонах пластинки возникает разностьпотенциалов, по величине которой можно судить о величине индукции магнитного поля.Недостатком известного способа является то, что интенсивность освещения пластинки, от которой зависит величина фототока, в ней не стабильна. Интенсивность света лам пы накаливания зависит от точности поддержания тока и сопротивления нити. Сопротивление нити меняется со временем вследствие испарения материала нити и ее утончения, а также зависит от температуры окружающей среды, в результате чего снижается точность измерения. Цель изобретения - повышение точности измерения индукции магнитного поля.Цель достигается тем, что в способе, включающем воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей судят об индукции магнитного поля.834629 Формула изобретения Составитель В. Новожилов Редактор А.Мухина Техред А. Бойкас Корректор В. Синицкая Заказ 4048/72 Тираж 732 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Способ измерения индукции магнитного поля осуществляется следующим образом.Однородную полупроводниковую пластину помещают в измеряемое магнитное поле. Затем с помощью двух полевых электродов на нее воздействуют электрическим полем. перпендикулярным измеряемому магнитному полю. Постоянное напряжение, которое подают на полевые электроды, способствует интенсивному процессу захвата носителей заряда медленными поверхностными1 О состояниями. После снятия электрического поля захваченные носители в результате диффузии., и дрейфа двигаются от поверхностей пластины. Под действием силы Лоренца носители отклоняются в направлении, перпендикулярном их движению. Это вызывает появление на боковых гранях пластины параллельных плоскости электрического и магнитных полей, разности потенциалов, пропорциональной индукции магнитного поля. Способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине, от. личающийся тем, что, с целью повышения точности на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей, судят об индукции магнитного поля. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР291173, кл. 6 01 К 33/02, 1971.2. Шалимов К. В. Физика полупроводников. М., Энергия, 1971, с. 305 в 3.