Патенты с меткой «195215»

Номер патента: 195215

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: G11C 11/38

Метки: 195215

...обеспечить твердосхемное исполнение.На чертеже показана принципиальная схема ячейки памяти.Высоковольтное состояние туннельного диода 1 ячейки соответствует О двоичной и- формации, а низковольтное состояние 1,Если ячейка находится в состоянии О, транзистор 2 закрыт напряжением на туннельном диоде. При действии тактового напряжения 1/т, подключенного к базе тразнстора 2, оп остается в закрытом состоянии.Если ячейка находится в состоянии 1, при действии этого же тактового напряжения транзистор Открьвается, коллекторн 1 м Тоом этого транзистора туннельпый диод следуюн 1 е 1 т ячейкперебрасывается в низковольтное состояние, и на ячейку записывается 1. Под действием этого же возрастающего напряжея эмпттер 11 ы ток транзистора 2 такжс...