Запоминающий элемент

Сотое Советоккк Соки листичеокивОп ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ависимое от авт. свидетельсгва-18-24) л. 21 а, 37/52 1969 ( 13 аявлен оединением заявки-Комитет ио делам гобретений и открыти ори .Совете Миииотрое СССРПриор итет МП 1 х 6 11 с 11/38УДК 681 327 67 (088 8) 1 ублнковано 14.Х.1970, Бюллетень3 Дата опубликования описания 1 т 1.197 Авторзобретент А. Алексее Горьковский исследовательский физико-технический институ а явите ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕ Известен запоминающий элемент на тункельном диоде, резисторе и транзисторе, соединенный с числовой и разрядной шинами.Недостатками извеспного запоминающего элемента является невысокая надежность, определяемая малым отношением тока записи к току помехи,Описываемый запоминающий элемент отличается от известного тем, что.в нем ккатоду туннельного диода подключен эгмиттер транзистора, база которого соединена с числовой шиной, а коллектор подсоединен к разрядной шине.Указанное отличие позволяет повысить надежность запоминающето элемента,На фиг. 1 изображена схема подключения запоминающего элемента к числовой и разрядной шинам запоминающей матрицы и указаны цепи управления разрядной шиной (запоминающий элемент обведен штрихавьгми линиями); на фиг. 2 приведена вольт-амперная характеристика туннельного диода и различные положения линии нагрузки при запиеи и считывании информации,Туннельный диод 1 и последовательно с ним включенный резистор смещения 2 образуют схему с двумя устойчивыми состояниями, одно из которых (состояние высокой проводимости) принимаем за О, а другое (состояние низкой проводимости) - за 1, Транзистор 3,эмипттерная цепь которого подключена к катоду туннельного диода 1, а база и коллектор подключены соответственно к числовой 4 и разрядной 5 шинам запоминающей матрицы, 5 предназначен для выборки и записи информации,в элемент, а также для опроса элемента.Разрядная шина 5 с одной стороны подключена к эмиттеру транзистора б, включенного по схеме с общим коллектором, и к коллекто ру транзистора 7, включенного по,схеме с обшим эмиттером, а с другой, стороны подключена к базе транзистора 8, включенного по схеме с общим коллектором.Транзисторы б и Т предназначены для под ключения разрядной шины 5 соответственно кисточнику питания 9 прои записк 1 и к общей ,шине питаиия ори записи О (земля).Транзистор 8 с резистором 10 в эмиттернойцепи представляет собой эмиггтерный повтори тель и предназначен для уоиления сигналов,поступающих в разрядную шину 5 при опросе элемента.Рассмотрим цикл записи информации в запоминающий элемент.25 Допустим, что туннельный диод 1 находитсяв состоянии, высокой праводимаеви, т. е. в запоминающем элементе хранится О.Если в цепи базы транзистора б действуетток выборки, разряда и одновременно в числозо вой шине 4 действует ток выборки числа, точерез транзистор 3 и туннельный диод 1 будет гротекать ток записи, так как переход базаэмиттер транзистора 3 открыт, а его коллектор подключен к источнику питания 9 через т р а из и стор б.Под действием тока записи линия 11 нагрузки (см, фиг. 2) смещается и занимает положение 12,Иметь такой высокий уровень пока записи, как указано на фнг. 2, с одной стороны, желательно, так как это гарантирует запись 1 в любой выбранный элемент, а с другой стороны, это недопустимо, потому что может произойти,пробой пе 1 рехода пуйнелыного диода 1.Данная схема юбеспечивает высю 1 кий уровень така зап 1 иси и о 1 дно 1 времеоно исключает возъюиность пробоя туннелыного дирда 1, так как транзиотор 3, закрьиваетоя, как тюлыко диод 1 .переключится в сОетаяаие низк 1 ой проводи мости.Если оаин из двух токов выборки отсутетвует,например, ток выбории числа), то через транзистор 3, а следовательно, и черсз тчннельный диод 1, ток,помейн протекать не будет, так как переход база-эмнтте 1 р транзистора 3 закрыт, т, е. при вы(бюрке юдноияенного разряда другого числа ток помехи в данном запоминающем элементе праитичс 1 еки равен нулю.При другом варианте возможного наличия помехи, когда ток выборки разряда отсутствует, а ток выборки числа действует в числовой шине 4 1 выбран другой разряд этого числа), то через переход база-эмиттер транзистора 3 и туннельный диод 1 будет протекать ток помехи, достаточный для записи ложной 1 в данный заиоминающий элемент.Линия 11,нагрузки под действием тока помехи смешается до уровня 13. Для того, чтобы уменьшить ток помехи, а следовательно, предотвратить запись ложной 1, в цепь бавы одновременно с током выборки числа,подается ток записи О. При этом транзистор 7 под; ключает разрядную шину 5 к общей шине питания, в результате чего значительная часть входного тока тра,нзистора 3 через открытый переход база-коллектор утекает на общую шину питания, понижая тем самым уровень тока, помехи, протекающего через туннельный диод 1 и эмиттерную цепь транзистора 3.В этом случае линия 11 нагрузки под действием тока помехи смещается до уровня 14, 5 Если туннельный диод 1 находится,в состоянии низкой проводимости, т. е, элемент хранит 1, и если при этом в цепь базы транзистора 7 подается ток записи О, а в числовую шину 4 одновременно, подается ток выборки 10 числа, то произойдет запись О, так как транзистор 3 в данном случае работает,в инверсном включении. Линия 11 нагрузки смещается до уровня 15 под дейспвием тока записи О,Рассмотрим цикл считывания ниформации.15 Предлагаемая схема запоминающего элемента позволяет производить считывание информации без разрушения.Для опроса элемента достаточно подать вчисловую шину 4 ток опроса, При этомесли 20 туннельный диод 1 находится в состоянии низкой проводимости, то в цепи базы транзистора 8 возникает ток, указывающий на наличие 1 в опрашиваемом элементе, так,как транзистор 3, как и при записи О, работает в инверсном 25 включении. При опросе элемента запись Оисключена, так как разрядная шина 5, подключенная к цепи базы эмиттерного повторителя, имеет большое сопротивление.Если туннельный диод 1 находится в соспоЗ 0 янии высокой проводимости, то,в цепи базытранзистора 8 ток практически отсутствует, так как ток опроса через открытый переход база-эмиттер транзистора 3 и туннельный диод 1 утекает на общую шину питания.Амплитуда тока опроса определяется допустимой помехой в запоминающем элементе, туннельный диод 1 которого находится в состоянии высокой проводимостями.Предмет изобретения 40Запоминающий элемент на туннельном диоде, резисторе и транзисторе, соединенный с числовой и разрядной шинами, отлачающаася тем, что, с целью повышения надежности за поминающего элемЕнта, к катоду туннельногодиода подключен эмиттер транзистора, база которого соединена с числовой шиной, а коллектор подсоединен к разрядной шине,284046 Корректор Л. Б. Бадылам актор Б, С. Нанкина вления по печати/ тавитель В. Рудак кред Т, П. Курили Заказ 7946 Тираж 480 ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., бластная типография Костромского и Сове4/5 Подписнонистоов СССР