ZIP архив

Текст

ОЙЙСАНЙЕ ЙЗОБРЕТЕ ЙЙЯ 0 с 1 са ьсввтсииа Ссциалисти:аспид РеспублииКвв 1 итет по делалсбрстеииб и стирытийри Сввете Мпиетровссс; риоритет по;Иковяно 12,1 т1967. В 10 л,Стен Ь сания 19.И.1967 тя отуо ИковаИя О Авторыизобретенг ндреещев, Ю. С. Александров, Ю. В,Грусевич и 111. Г. Симченко Заявптсл ЯЧЕЙКА 11 АМЯТИ зоб ет И зел памяти ОМ К ИСТО 1 1 я, и тра- ем, что, с повыше;шя ии питаю- также обе- НОГО ИСПО,1 а через рсругого такЯчейки памяти, содержащие узел памчтп па туннельном диоде, подключенном к источнику одного тактового напряжения, и тразисторный ключ, известны.Предложенная ячейка отличается тем, что база ключевого транзистора через резистор подсосдисня к истоиику другого тактового напряжения.Это позволяет увеличить быстродействе, повысить устойчивость работы при изменении питающих напряжеий и температуры, а также обеспечить твердосхемное исполнение.На чертеже показана принципиальная схема ячейки памяти.Высоковольтное состояние туннельного диода 1 ячейки соответствует О двоичной и- формации, а низковольтное состояние 1,Если ячейка находится в состоянии О, транзистор 2 закрыт напряжением на туннельном диоде. При действии тактового напряжения 1/т, подключенного к базе тразнстора 2, оп остается в закрытом состоянии.Если ячейка находится в состоянии 1, при действии этого же тактового напряжения транзистор Открьвается, коллекторн 1 м Тоом этого транзистора туннельпый диод следуюн 1 е 1 т ячейкперебрасывается в низковольтное состояние, и на ячейку записывается 1. Под действием этого же возрастающего напряжея эмпттер 11 ы ток транзистора 2 такжс возрястяст. Когда эмттсрный ток достигает максмалаого значения тока туннельного диода 1, происходит переключение туннельного диода в высоковольтное (О) состояние, и транзистор 2 запирается этим напряжением,Предмет и р енЯчейка памяти, содержащая у па тунельцом диоде, подключены нику одного тактового напряжеш зисторный ключ, Отлта 1 ошаяся т целью увеличения быстродействия, устойчивости работы прп измене 1: пх папряжени 11 температуры, а спсчсшя возможности твердосхем сня, база ключеього транзистор зистор подсоедипена к источнику д тового напряжепя.195215Составитель Ю. М. Большов Редактор Л. А. Утехина Тсхред А. А, Кагиышникога Корректоры: О. Б. Тюринаи М. П. РомашоваЗаказ 1739/16 Тира;к 55 Подписно ЦНИ 1 ЛПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова,

Смотреть

Заявка

1074238

МПК / Метки

МПК: G11C 11/38

Метки: 195215

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-195215-195215.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">195215</a>

Похожие патенты