Запоминающая ячейка

О Л И С А Н И Е 28 О 546ИЗОБРЕТЕНИЯ Стноз Соеетонив Себиелиотичеокив Реептблиеависимое от авт. свидетельствааявлено 05.Х.1964 ( 92348418-24) присоединением заявкил, 21 а 1, 37/ 1 ПК б 11 с 11/38 риоритетпубликовано 03.1 Х,1970, БюллетеньКомитет по делам зобретеннй и открытий арн Совете Миннотров СССР681,327,6 (088.8) ания описания 9.ХП.1970 та опублик Автор изобре Заявите ВИТАЯ ЯЧЕИКА АП Изобретение относится к ющих устройств.Известны запоминающие ных диодах с произвольно кой строк. Они содержат резистор смещения и элем числовой и разрядной лини области запомина ннель- ыбордиод, язи с ячеики на туй линейной втуннельныиенты для свями. Однако эти ячейки не пригодны для неразрушаемого считывания информации с помощью сверхвысокочастотных (СВЧ) радио- импульсов,Отличием предложенной ячейки является то, что туннельный диод включается на конце отрезка длинной линии, шунтпрующего линию передачи, связывающую числовую и разрядную линии памяти. Это позволяет выполнить неразрушаемое считыгапие с помощью СВЧ- радиоимпульса опроса, подаваемого в числовую линию. Амплитуда радиоимупьса в разрядной линии зависит в этом случае от хранимой туннельным диодом информации.На чертеже изображена принципиальная схема запоминающей ячейки,Ячейка включает в себя туннельный диод 1, резистор 2 смещения. который используется одновременно как элемент связи с числовой линией 3, элемент 4 связи с разрядной линией 5, отрезок б длинной линии, на одном конце которого установлен туннельный диод 1, а другой - шунтирует линию передачи 7, связывающую числовую 3 и разрядную б линии.Сопротивление смещения и напряжение источника смещения, подаваемое через числовую линию 3, должны обеспечить триггерный(двуста бпльный) режим, устойчивые состояния которого на восходящей туннельной (хранение 1) и диффузионной ветвях вольт-амперной характеристики различаются значениями напряжения и тока туннельного диода, атакже дифференциального сопротпвления туннельного перехода,В частности, дифференциальное сопротивление на восходящей ветви оказывается, примерно, на порядок больше, чем сопротивлениев устойчивом состоянии на восходящей туннельной ветви,В качестве элемента 4 связи может бытьвыбран резистор, последовательно соединенные резистор и конденсатор, конденсатор, атакже нелинейные элементы: импульсный илиобращенный туннельный диод,Запись информации производится обычными методами - по совпадению видеоимпульсов в числовой 3 и разрядной 5 линиях запоминающего устройства.Считывание осуществляется с помощьюСВЧ-радиои мпульса опроса, подаваемого вчисловую линию 3, причем частота заполнеЗО пия этого радиоимпульса связана с парамет280546 Предмет изобретения Составитель А. А, СоколовТекред Л. Я. Левина Корректор Л. Л. Евдонов Редактор Поздняк Заказ 3498/14 Тираж 480 ПодписноеЦНИИГ 1 И Комитета по делам изобретений и открьпий при Совете Министров СССР Москва, К, Раушская иаб., д. 45 Типография, пр. Сапунова, 2 рами туннельного диода 1 и отрезка б длинной линии. Указанный отрезок б цтуццельць 1 й диод 1 образуют колебательную систему, эквивалентную последовательному контуру, резонансная частота которой должна совпадать с частотой считывания.Если в запоминающей ячейке хранится О, дифференциальное сопротивление туннельного диода 1 велико и слабо шунтирует колебательную систему. Входное сопротивление последовательного контура со значительной величиной добротности оказывается малым и сильно шунтирует линию передачи 7, в результате чего амплитуда радиоимпульса в разрядной линии мала,При хранении 1 (на восходящей туннельной ветви характеристики) дифференциальное сопротивление диода .1 .мало и сильно шунтирует колебательную систему, добротность которой резко снижается. Входное сопротивление последовательного колебательного контура обратно пропорционально величине добротности, т. е. в данном случае возрастает. В результате увеличения входного сопротивлсцця увеличивается уровень СВЧ-сигнала вразрядной линии 5,Частота заполнения радиоимпульса в такой5 запоминающей ячейке при отношении уровней считывания 1 и О не менее 15 дб может достигать половины собственной резонансной частоты туннельного диода 1. Время нарастания СВЧ-радиоцмпульса соответствует10 двум-трем периодам частоты заполнения, т. е.предельная скорость считывания может бытьдостаточно высокой,Запоминающая ячейка, содержащая туннельный диод и резистор смещения, отличаю.иаяся тем, что, с целью неразрушаемого радиочастотного считывания информации, тун нельный диод расположен на конце отрезкадлинной линии, шунтирующего линию передачи, связывающую числовую и разрядные линии,