Оперативное запоминающее устройство

ОПИСАНИЕ 352 ПИЗОБРЕТЕНИЯК АВТ 03 фСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 26,Х 11,1969 (М 1389168/18-24) С 11 с 11/38 с присоединением заявкиПриоритет Комитет по дел обретений и открытий ори Совете Министров СССРК 681.327,67(088.8) публиковано 21,1 Х.1971. Бюллетеньата опубликования описания З.Х 1,1971 Авторыизобретения и Э, А, Обухов Заявитель ЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Известно оперативное запоминающее устройство (ЗУ) на туннельных диодах с управлением типа 2 Д, в запоминающих ячейках которого в качестве элементов развязки используются нелинейные элементы, например полупроводниковые диоды, установленные на платах-матрицах, разрядные шины которых выполнены из правых и левых разрядных полушин. В быстродеиствующем ЗУ с управлением типа 2 Д особую опасность представляет электромагнитная связь разрядных шин, расположенных на одной стороне платы-матрицы.Из-за связи между разрядными шинами возникают помехи, попадающие на вход усилителя воспроизведения. Создание симметричной считывающей цепи, например, путем деления разрядной шины на две разрядные:полушины, подключенные ко входам дифференциального усилителя, уменьшает эту помеху, так как наводки на полушинах взаимно компенсируются, Однако из-за большого градиента связей между параллельными шинами из плотной совокупности шин наводки на разрядных полушинах существенно разные и компенсация на дифференциальном усилителе неполная. Кроме того, разрядные полушины технологически не могут быть выполнены идентичными.Все это в значительной степени ограничивает быстродействие и емкость известного ЗУ. Предложенное ЗУ отличается от известноготем, что в каждом разряде каждой платы-матрицы нелинейные элементы развязки всех четных запоминающих ячеек подключены к одной5 из разрядных полушин, например левой, а не.линейные элементы развязки всех нечетныхзапоминающих ячеек - к другой разряднойполушпне, например правой. Причем в каждом разряде левые и правые разрядные полу 10 шины четных плат-матриц соединены с правыми и левыми разрядными полушинами нечетных плат-матриц соответственно,Это позволяет повысить быстродействие иемкость устройства,15 На чертеже показан накопитель описываемого ЗУ.Он состоит из плат-матриц 1. Каждая плата-матрица представляет собой плату из трехслойного фольгированного стеклотекстолита,20 на которой расположены все разряды нескольких запоминающих ячеек (на чертеже не показаны).На одной из внешних сторон проложенычисловые шины 2, причем для уменьшения25 паразптной связи они выполнены в виде двухпараллельных печатных проводников, непосредственно прилегающих друг к другу.На другой внешней стороне платы-матрицыперпендикулярно направлению шин 2 проло 30 жены разрядные (выходные) шины 3. Каждая15211 3Техред А, А. Камышникова Корректор Е, И, Усова Редактор Л. А. Утехина Подписное Тираж 473 Изд,1269 Заказ 3089/7 Типография, пр. Сапунова, 2 33шина 8 выполнена в виде двух разрядных полушин - параллельных рядом расположенныхпечатных проводников 4 и б, к одному из которых подключены полупроводниковые диодыразвязки б всех четных запоминающих ячеек,а к другому - нечетных. Разрядные полушины подключаются ко входам дифференциального усилителя считывания 7, Этим достигается первичная компенсация синфазных конструктивных помех на усилитель считыванияпри подаче разрядного импульса одноименного разряда.Для уменьшения паразитных емкостныхсвязей между шинами 2 и 3 и уменьшения излучения энергии управляющими шинами внутри платы-матрицы проложен проводящий слой8 (земля),Ввиду большой высокочастотности туннельных диодов и невозможности обеспечить идеальную идентичность разрядных полушин 4 и5 необходимо компенсировать разбаланс наводок на них. Разбаланс наводок удаетсяпрактически устранить, если чередовать правые и левые разрядные полушины одного разряда при организации разрядной плоскостинакопителя. При этом в каждом разряде левые и правые разрядные полушины 4 и б четных плат-матриц соединяются с правыми и ле 4выми разрядными полушинами нечетных платматриц соответственно. Разрядные полушины4 и 5 одного разряда замкнуты резистором 9.Описываемое ЗУ работает аналогично изве 5 стному ЗУ типа 2 Д,Предмет изобретенияОперативное запоминающее устройство натуннельных диодах с управлением типа 2 Д, в10 запоминающих ячейках которого в качествеэлементов развязки используются нелинейныеэлементы, например полупроводниковые диоды, установленные на платах-матрицах, разрядные шины которых выполнены из правых15 и левых разрядных полушин, отличающеесятем, что, с целью увеличения емкости и быстродействия устройства, в каждом разрядекаждой платы-матрицы нелинейные элементыразвязки всех четных запоминающих ячеек20 подключены к одной из разрядных полушин,например левой, а нелинейные элементы развязки всех нечетных запоминающих ячеек - кдругой разрядной полушине, например правой, причем в каждом разряде левые и правые25 разрядные полушины четных плат-матриц соединены с правыми и левыми разрядными полушинами нечетных плат-матриц соответственно.