§сооюзндgt; amp; 1

О П И С А Н И Е 368646ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сациалистическигг РеспубликЗависимое от авт. свидетельства1450146/18-24) явлено 19.Ч 1.197 11 с 1 с присоединением заявкиПриоритет Комитет по делам изооретеиий и открытийубликовано УДК 621-519(088,8 1973, Бюллетеньпри Совете МииистСССР та опубликован Авторыизобретени А. Алексеюнас, В Заявите нститут физики полупроводников АН Литовской СС ОНОТРОН ЗАПОМИ НА 1 ОЩИ й ЭЛЕНЕ Предлагаеиспользованлительной тэлемента.Известныве селена сзующим сокогг такт.Однако ивают длителугзеличеггиесчцтываггии ионотроны, фиксирующ слоем сел ыполненные на оспом электродом, обраа невыпрямляющий спечивестцые элементы цеьцого хранения инфопсла и частоты обравызывает ее исчезцове мации, а еций при ие,мыи ионотрон предназначен для ия в области автоматики и вычисехники в качестве запоминающего Предлагаемыи иоцотроц выполнен на основе кристаллического селеца, с одной стороны которого размещен фиксирующий электрод с цсвыпрямляюгцим контактом, и отличается от цзвестцого тем, что, с целью повышения надежности его работы и увеличения длительности ранения информации, в нем па другои стороне слоя кристаллического селена размещец слой селсцида серебра, ца котором расположен второй фиксирующий электрод с невьвпрягмляющим контактом.На фиг. 1 приведена схема предлагаемого ионотрона; на фиг. 2 - вольтамперцые характеристики устройства,Ионотрон содержит слой 1 кристаллического селена; слой 2 селенида серебра; электроды 3, образующие с соответствующим слоем селена или селенида невыпрямляющие коцтакты.Действие предлагаемого ионотрона основано ца изменении параметров его импульсной вольтамперной характеристики вследствие изменения распределения примеси серебра в прикоцтактной области селена под воздействием приложенного извне напряжения. Источником псдвпжцых ионов серебра в данном 10 случае, в отличие от известных ионотронов,служит слой селецида серебра. В зависимости от полярности приложенного формирующего напряжения ионы серебра либо вводятся в прцкоцтактцую область селеца, либо выво дятся обратно в селеннд серебра, изменяя темсамым форму вольтамперцой характеристики цоцотроца, Под воздействием отрицательного (минус - ца э,гсктроде, имеющем контакт с селецом) формирующего напряжения ионо трон переходит в крайнее состояние, в котором оц имеет наибольшее сопротивление и наибольшую асимметрию проводимости (А.ца фцг. 2). Под воздействием импульса положительггого напряжения (на вышеуказанном 25 электроде подан плгос), имеющего определенные (критические) амплитуду и длительность, цоцотрон из состояния с наибольшим сопротивлением переходит в другое крайнее состояние, где оц игпсет вгецьшее сопротивление и 30 меньшую асимметрию проводимости (Б, наТехред Т. Миронова Редактор Л. Утехина Заказ 610 г 7 Изд.169 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 71(-35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 фиг. 2), Если продолжить воздействовать на ионотрон положительным напряжением, то его сопротивление и асимметрия проводимости опять увеличиваются, и он из состояния Б постепенно переходит в состояние, в котором его вольтамперпая характеристика имеет форму В. При последующем воздействии отрицательным напряжением ионотрон сначала переходит в крайнее состояние, в котором оп имеет наименьшее сопротивление, а его вольтамперная характеристика (Г на фиг. 2) имеет наименьшую асимметрию и в дальнейшем возвращается в исходное крайнее состояние, в котором имеет вольтамперную характеристику Л,Состояние понотрона не меняется, когда на него воздействуют импульсами напряжения, амплитуда, длительность и частота следования которых меньше некоторых критических величин. В случае использования ионотрона в качестве запоминающего элемента, это его свойство представляет возможность проводить многократное считывание записанной информации без ее регенерации.Поскольку ггаибольпгее ггзмеггеггие сопротивления иопотропа наблюдается при его переходе из состояния Л в состояние Г и наряду с этим указанные состояния являются наиболее стабильпымп, при записи информации целесообразно перевести ионотрон в состояние Г, а 5 при ее стирании - в состояние А. При этомдля загшси информации в предлагаемом иопотроне в отличие от известных необходимо применить двойной импульс - сначала положительной, а затем отрицательной полярности, 10 а при стирании информации - один импульснапряжения отрицательной полярности. Запоминающий элемент - ионотрон, содержащий слой кристаллического селена, с одной стороны которого размещен фиксируюгций электрод с невыпрямляющим контактом, 20 от.гичаюи 1 ийся тем, что, с целью повышениянадежности его работы и увеличения длительности хранения информации, в нем на другой стороне слоя кристаллического селена размещен слой селепида серебра, на котором 25 расположен второй фиксирующий электрод спевыпрямляющпм контактом.