292193

292 ЭЗ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства1482771362490/18-2 Заявлено 08. Х.196с присоединением МПК 6 11 с вкириоритет Комитет ло делам изобретений и открыти при Совете Иинистров СССР.327,66 (088,8 ата опубликования описания 26.11,197 Авторы зобретения, А. Алексеюнас, В, Б. Толутис А, А. ЧеснисЛитовской СС Институт аявител ки полупроводников ИОНОТРОН н с т 30 жИонотрон предназначен для использования в запоминающих устройствах.Известны ионотроны, выполненные на основе полупроводникового выпрямляющего контакта селен - кадмий, где весь слой полупроводника легирован подвижной компенсирующей примесью (например, серебром), концентрация которой несколько меньше концент. рации основных примесных центров в полупроводнике.Для перевода таких ионотронов с одного крайнего состояния в другое требуются при. менить электрические импульсы напряжения сравнительно большой амплитуды, например 50 в 1 в, а для считывания информации (при использовании их в качестве запоминающих элементов), например 10 - 15 в. Кроме этого они имеют сравнительно большие балластные сопротивления. Это ограничивает область применения известных ионотронов,В предлагаемом ионотроне для перевода из одного крайнего состояния в другое и для считывания информации (в случае применения в качестве запоминающего элемента) требуются напряжения меньшей амплитуды (например, 15 - 30 и 3 - 10 в соответственно), Кроме этого его балластное сопротивление значительно меньше балластного сопротивления известных ионотронов. Отличительная особенность предлагаемогоионотрона заключается в том, что между невыпрямляющим контактом и тонким (толщиной примерно 1 - 3 лткл) слоем селена, леги 5 рованного серебром, он содержит дополнительный слой поликристаллического селена(толщиной примерно 10 - 30 лткм), в которомсеребро отсутствует.На чертеже показана схема предлагаемого10 ионотрона.Он состоит из выпрямляющего контакта 1,слоя селена 2, легированного серебром, слоя 3нелегированного селена и выпрямляющегоконтакта 4,15 Эффект, получаемый за счет создания вионотроне дополнительного слоя селена, в котором отсутствует примесь серебра, заключается в следующем. Электропроводность поликристаллических слоев селена, легирован 20 ного серебром, более в чем в 5 10 раз меньше электропроводности слоев нелегированного селена. Благодаря тому, что в ионотронесоздан дополнительный слой нелегированногоселена, имеется возможность уменьшить в25 нем толщину слоя селена, легированного серебром, и, следовательно, уменьшить балластое сопротивление прибора. Так как областьлоя полупроводника у выпрямляющего конакта в предлагаемом ионотроне имеет пониенную проводимость, электрическое поле3формирования сосредоточивается в этой области в случае формирования ионотрона не только в запирающем, но и в пропускном направлениях. Таким образом, поскольку толщина приконтактного слоя в предлагаемом иснотроне значительно меньше толщины слоя селена в известном ионотроне, то электрическое поле формирования той же величины в предложенном ионотроне образуется при меньших напряжениях в пропускном направлении. Меньшее напряжение требуется также и при формировании предложенного ионотрона в запирающем направлении, так как он является более низковольтным, чем известные.Принцип работы ионотрона заключается в том, что при воздействии на него импульсом напряжения определенных амплитуды и длительности в пропускном направлении он переходит в крайнее состояние, в котором имеет наименьшую асимметрию проводимости, а при воздействии импульсом напряжения в запирающем направлении переходит в другое крайнее состояние, в котором имеет наибольшую 292193 еасимметрию проводимости. При воздействии на ионотрон импульсами меньшей амплитуды или длительности, чем требуется для его перевода в крайние состояния, он переходит в5 промежуточные метастабильные состояния.Состояние ионотрона не меняется, когда нанего воздействуют импульсами напряжения, параметры которых меньше некоторых критических, В случае использования ионотрона в 10 качестве запоминающего элемента это егосвойство представляет возможность проводить многократное считывание записанной информации без ее регенерации.15 Предмет изобретенияИонотрон по авт. св. Мо 148277, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью уменьшения управляющих напряжений и уменьшения балластного 20 сопротивления прибора, между невыпрямляющим контактом и слоем селена, легированного серебром, расположен слой поликристаллического нелегированного селена.Составитель А. А. СоколовРедактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректор В. И. ЖолудеваИзд.167 Заказ 330/9 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2