Запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 38644ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсних Социалистических Республикт. свидетельства14827 ависимое от Заявлено 04 Л.1971 ( 1608321/18-2с присоединением заявкиПриоритет 1 с 1 асударствеииыи камитетСавета Милистраа СССРпа делам изааретеиийи аткрытий УДК 681,327.66(088 Опубл иков 4.И.1973, Бюллетеньта опубликования описания 24.1 Х.1973 Авторыизобретени. А. Чеснис и В. Б. Толутис дена Трудового Красного полупроводников А зики намени инститЛитовской ССР аявител Ий ЭЛЕМЕ ОМИН редмет изобретен По основному авт. св.148277 известны запоминающие элементы, выполненные на основе выпрямляющего контакта, например селен - металл, в которых слой селена легирован серебром, а тыловой контакт металл - селен является нерелаксирующим. Недостаток таких запоминающих элементов заключается в том, что после длительного воздействия формирующим напряжением в пропускном направлении изменяется их рабочий режим, Кроме того, при многократном взаимодействии формирующим напряжением релаксационные свойства запоминаюших элементов, являющиеся физической основой действия приборов, постепенно ослабевают, в результате чего элементы выходят из строя,Предлагаемый запоминающий элемент отличается от известных тем, что тыловой контакт металл - селвн выполнен в виде релаксирующего контакта, например кадмий - селен, с электрическими характеристиками, близкими к характеристикам основного релаксирующего .контакта,Такое выполнение запоминающего элемента позволяет повысить стабильность его работы и увеличить срок службы.На чертеже дана схема описываемого запоминающего элемента.Запоминающий элемент состоит из слояпелена, легированного серебром, основного ре. лаксирующего контакта 2 между селеном и слоем 3 металла, например кадмия, тылового релаксирующего контакта 4 между кадмием и селеном и токовых электродов 5.5 При переводе одного из релаксирующихконтактов запоминающего элемента в крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольшим сопротивлением, другой контакт в то же время переводится в крайнее со- О стояние, в котором он обладает, соответственно, наименьшим сопротивлением. Благодаря этому во время формирования запоминающего элемента происходит перераспределение напряжения в его приэлектродных областях.5 Следовательно, когда любой из релаксирующих контактов, например основной, достигает крайнего состояния с наименьшим сопротивлением (при формировании контакта в пропускном направлении), той доли напряжения О формирования, которая падает на него, становится не достаточно для дальнейшего из.мерения его состояния.Таким образом, даже при длительном формировании запоминаюшего элемента его ра бочий режим практически не изменяется. Запоминающий элемент по авт. свЗо148277, отличающийся тем, что, с целью386445 ставитель Е. Иванееваехред Е. Борисова Корректор Е, Михеев Редактор А. Пейсоче Заказ 279117 Изд.1640 Тираж 576 Подписно ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр, Сапунов повышения стабильности его работы и увеличения срока службы, тыловой контакт металл - селен выполнен в виде релаксирующего контакта с электрическими характеристиками,близкими к характеристикам основного релаксирующего контакта.
СмотретьЗаявка
1608321
Ордена Трудового Красного Знамени институт фнзики полупроводников Литовской ССР
вительА. А. Чеснис, В. Б. Толутис
МПК / Метки
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-386445-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент</a>
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1012704
Опубликовано: 27.05.1997
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1531170
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Семенов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 640369
Опубликовано: 30.12.1978
МПК: G11C 17/02
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...надежностии элемента памяти.Поставленная цель достэлемент памяти содеркит 0 ВИНТЫ ПО Ч 1 ом 11дов, распо;пакетом ири кта совпадас р тпровода,На чертеже схематически изображенпредлагаемый элемент памяти.Оп содсржит корпус 1, р 2 зомкнутый магпитопровод 2, сепаратор 3, прижим 4 С-образнои форы, пакет пр)жин 5, крышку 6,регулировочный в Ит 7, ярмо 8.Регулировка усилия прижатия пружин 5,прикладывасмого к прижиму 4 С-образнойфоръы, и настроик 2 на ыакси:сальеЕЫИ ВыхОднОЙ си 11 ал В каждом элененте памягиосуществляются вращением регулировочноо винта 7. Усилие прижатия контролируется через отверстие в винте 7.11 ри смене информации съемной частьюявляется сспаратор 3, дополнительная рсгулирОВка усилия пр 11 ж 2 тия не трсоуется.Работа элемента...
Матричный соединитель на запоминающих магнитоуправляемых контактах
Номер патента: 1019953
Опубликовано: 07.05.1988
Авторы: Гроза, Ковалев, Коднер, Мисуловин, Панин
МПК: H01H 67/30
Метки: запоминающих, контактах, магнитоуправляемых, матричный, соединитель
...в координатную обмотку управления осуществляется пайкой. Из-за необходимости.соединения отдельных секций, соединитель имеет большое количество паек,что приводит к повышению трудоемкости изготовления и снижению надежности.Цель изобретения - упрощение конструкции координатного соединенияи повышение надежности.Это достигается тем, что в матричном соединителе на запоминающих магнитоуправляемых контактах, содержащемобмотку управления, создающую противоположно направленные магнитныепотоки, управляющие состоянием контактов одной координаты, указанная обмотка выполнена плоской и расположена параллельно плоскости продольной оси гезаконов одной координаты.На фиг. 1 и 2 показан принцип построения предлагаемого матричного соединителя.Матричный...
Предыдущий патент: Логическое запоминающее устройство
Следующий патент: Устройство для намагничивания сложных
Случайный патент: Устройство для регулирования переменного напряжения под нагрузкой