Запоминающий элемент-ионотрон
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 148277
Автор: Толутис
Текст
Союз Соввтокик Социалистическик РесоубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 22. Х.1961 ( 745604/26-24)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 17.Х 1.1966, Бюллетень2Дата опубликования описания 1,1.1967 066 Комитет по деламооретеиий и открмтий Дк и Совете Мииистро СССР. Б. Толутис явите ОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ - ИОНОТР Предлагается запоминающий элемент-ионо трон, отличающийся тем, что для придания элементу свойств изменения своего состояния со скоростью, зависящей от величины приложенного электрического напряжения, в запирающий слой контакта введена подвижная компенсирующая примесь, например серебро.Описываемый запоминающий элемент - ионотрон выполнен на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например, селен-металл, причем полупроводник легирован подвижной компенсирующей примесью (например, серебром), концентрация которой несколько меньше концентрации основных примесных центров в полупроводнике.Действие ионотрона основано на изменении параметров вольтамперной. и вольтемкостной характеристик выпрямляю щего контакта вследствие изменения распределения примесных центров серебра в запирающем слое под действием приложенного на ионотрон внешнего напряжения, Даже прн незначительном внешнем ыапряжеции на ионотроне в запирающем слое выпрямляющего контакта возникает сильное электрическое поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается илиуменьшается.При данной ьеличице внешнего напряженияна ионотроне через определенный промежу 5 ток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение прцмесцых центров в запирающем слое,т. е. возникает определенное стабильное состояние цонотрона. Подачей ца иоцотрон им 0 пульсов напряжения различной полярностидопустимо большой величины можно получитьдва различных устойчивых состояния иоцотрона, которые могут быть обозначены 1 и ОВеличина зависит от величины приложенного5 ца ионотроц внешнего напряжения (оца быстро увеличивается с уменьшением напряжения), Вследствие этого можно определить состояние иоцотроца без значительных изменений этого состояния, т. е, считывать ицформа 0 цию без заметного разрушения ее.Самопроизвольное изменение состоянияиоцотрона (1 или О) вследствие диффузиикомпенсирующих примеспых центров протекает медленно, поэтому ионотрон может дли 25 тельное время сохранять записанную информацию без регенерации.Описываемый запоминающий элемент.ионотрон может быть использован в вычислительной технике (запоминающих устройствах, лоЗО гических элементах и т. д.),148277 Предмет изобретения Редактор В. П. Липатов Техред Л, Бриккер Корректоры: С. Н. Соколоваи В, В. Крылова Заказ 3906/6 Тираж 1075 Формат бум. 60 Х 90/з Объем 0,1 изд, л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 Запоминающий элемент-ионотрон, выполненный на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например селен-металл, отличающийся тем, что, с целью придания элементу свойств изменения своего состоя.ния со скоростью, зависящей от величины приложенного электрического напряжения, в за.пирающий слой контакта введена подвижная 5 компенсирующая примесь, например серебро.
СмотретьЗаявка
745604
В. Б. Толутис
МПК / Метки
МПК: G11C 11/35
Метки: запоминающий, элемент-ионотрон
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-148277-zapominayushhijj-ehlement-ionotron.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент-ионотрон</a>
Предыдущий патент: Асинхронный двоичный счетчик
Следующий патент: Однотактное коммутационное устройство
Случайный патент: Способ обрезки корневищ хмеля