G11C 11/08 — многодырочных элементов памяти, например трансфлюксоров; пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти
Запоминающийся модуль для магнитного накопителя
Номер патента: 502395
Опубликовано: 05.02.1976
Авторы: Бурковский, Золотенков, Новиков, Цогоев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающийся, магнитного, модуль, накопителя
...печатной платы. Числовая шина 2 в числовой фсрритовой линейке 4 проходит через все от верстия одного крайнего ряда, возвращаетсячерез отверстия другого крайнего ряда и присоединяется одним концом к диодной сборке 3, а другим - к выходному контакту 6 модуля.Таким образом, контуры разрядной 1 и чис ловой 2 шин выполнены в виде узкой петли,а их плоскости расположены вдоль оси числоВоц ферритовой линейки.Прп такой конфигурации разрядной и чис ловой ппн помеха в них при изменении магнитного поля, направленного вдоль оси числовой линейки, отсутствует, а помеха при изме- пении магнитного поля любого другого направления минимальна.25 Кроме того, плоскости разрядного и числоВого контуров перпендикулярны. Поэтому в разрядной шине отсутствует...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 507675
Опубликовано: 25.03.1976
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...через крайнее малоеотверстие; координатная обмотка 4 считывания по координате У, проходящая через Вувеличенное крайнее отверстие в положитель:. -ном направлении и через центральное отверстие в отрицательном направлении; координатная обмотка 5 разрушения по У, проходяшая в отрицательном направлении через 15крайнее малое отверстие; координатная об=мотка 6 записи по координате Х, проходяшая через увеличенное крайнее отверстиев положительном направлении и через центральное отверстие в отрицательном направ Оленин; разрядная обмотка "( записи, проходящая через увеличенное крайнее отверстиев отрицательном направлении и через цент: - .ральное отверстие в положительном направлении; выходная обмотка 8 с дополнительным 25витком, проходяшая...
Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 511629
Опубликовано: 25.04.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент
...опроса, Разрядная обмотка 5 обьединена с выходной обмоткойи прохэаит через отверстие записи 3.Отверстие опроса 2 образует в боковыхгранях перемычки 6-8. Отверстие записи153 образует в бокэвых гранях перемычки9-11. Ширина перемычек 6 и 7 одинакова,Этэ относится и к перемычкам 9, 10, Ширина перемычки 8 до ближайшей из не имеющих отверстий граней 12 и перемычки 1120дс аналогичной грани 13 превышает, например, в 1,5 раза соответственно ширину перемычек 6,7 и 9,10Элемент работает следующим образом,Запись информации осуществляют путемподачи по обмотке 4 последовательнос "разнэпэлярных импульсов адресногэ тока 12одновременно с разрядным током 1), который подают пэ эбмотке 5,Неразрушающеесчить 1 вание осуществляют путем подачи пэобмотке 4...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 516098
Опубликовано: 30.05.1976
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...д разрядна обмотка - через центральное отверстие. Это упрощает прошивку элемента, тдк кдк в кдж дом отверстии пластины располдгдется л 11 шьодна обмотка. На фиг. 1 показана прош 11 вкя п 1)едлдгдех 10.здпомппд 1 ощего элемента; пд фиг. 2 - граф перехода сердечнпкд выбранного элемента.Мдгннтпый здпом 171 д 1 ощнй элсмс 1;т (ф 1 г. 1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малымп отьерстпям:1. Перемычки, прплега 1 ащие к малым отверстиям, равны по сечению, а перемычка, прилегающая к большому крайнему отверстпо с внешней стороны, имеет более чем в три раза большее поперечное сечение, чем каждая из перемы 516098чек, прилегающих к малому отверстию, Числовая обмотка .2 прошита через центральное и малое крайнее отверстие в...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 516099
Опубликовано: 30.05.1976
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...малые отверстия в противоположных направлениях,В предлагаемом элементе каждое отверстие пластины прошито только одной обмоткой.На фиг. 1 показан магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 - граф переходов сердечника выбранного элемента,Магнитный запоминающий элемент (фиг.1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку 2 записи, прошитую через четвертое малое кр айнее отверстие, первую координатную обмотку 3, прошитую через третье малое отверстие, вторую координатную обмотку 4, прошитую через первое и второе малое отверстия в противоположных направлениях и выходную обмотку 5, прошитую через большое...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 516100
Опубликовано: 30.05.1976
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...малое крайнее отверстие в противоположном направлении.Конструкция предложенного элемента позволяет получить разнополярные выходные сигналы 1 и О.На фиг. 1 показана прошивка запоминающего элемента, выполненного согласно изобретению; на фиг. 2 - граф переходов сердечника при считывании и записи.Магнитный запоминающий элемент (фиг.1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малымп отвер тпями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными разными по сечению перемычками. Числовая обмотка 2 проходит через малое центральное и два раза через малое крайнее отверстие в противоположном направле 516100нии. Разрядная обмотка 3 записи прошита через крайнее малое отверстие, выходная обмотка 4 - через малое крайнее...
Запоминающее устройство
Номер патента: 517051
Опубликовано: 05.06.1976
Автор: Шведов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающее
...на выходной шине 12 наводится помеха, аьш 1 втуда которой пропорционально зависит от количестве чисел ЗУ. В результате формиро Щаюе раэряд 1 ого тока раньше адресноГо пОвышает надежность работы усилителей считывания и всего ЗУ.Первый адресьщ щпульс тока, сформированный по амплитуде и длчтельносгп, раснределите лем 13, пройдя выход 14, шину опроса 9 ЗЭ 1 и ЗЭ 2, не изменяя сосожчя "Ор" ЗЭ 1, перемагичивает ЗЭ 2 иэ состояния "1 р" в состояние "Ор", Выходной сигналнаведенньй в выходной шине 12 ЗЭ 2, поступает на усижпель считывания 21, где от усиливается. В вьходной шине 12 33 1 и, следова. тельно, на выходе усилителя 19 сигнал отсутствует.Перед форьированием второго адресного импульса тока подаются сигналы управленя на вход дополиительного...
Магнитный накопитель
Номер патента: 517936
Опубликовано: 15.06.1976
Авторы: Гогин, Гутин, Красноперов, Салямов
МПК: G11C 11/08
Метки: магнитный, накопитель
...резистор, а формирователь импульсов напряжения соединен через разделительный диод с отрицательной шиной питания и через дополнительный резистор и конденсатор с шиной нулевого потенциала.На чертеже дана схема описываемого накопителя.Многоотверстные ферритовые пластины 1 с разрядными шинами 2 соединены числовыми шинами 3 с кординатными трансформаторами 4 магнитного дешифратора 5. Координатная цепь, содержащая формирователь 6, шины трансформаторов 4, ключи 7 х и 7 у, и шина смещения с резйстором 8 и индуктивным сопротивлением 9 объединены общим источником питания для того, чтобы совпали начала изменений напряжений на координат517936 Составитель Ю. РозентальРедактор А, Пейсоченко Техред Е, Подурушина Корректо бровольская Заказ...
Логическое программное устройство
Номер патента: 522522
Опубликовано: 25.07.1976
Автор: Шацилло
МПК: G11C 11/08
Метки: логическое, программное
...матрицыодновременно,Напряжение опроса на трансфлюксорах подаетсяс вертикальных ппщ матрицы, подключаемых к ге.нератору считывания 5 контактами 61-. 63 и 8, приэтом, если входной сигнал отсутствует, опрос проводится с помощью размьпсающего контакта, если подается сигнал, то на реле-повторитель поступает напряжение, происходит срабатывание контактов 6,иопрос производится с помощью замыкающей группы,Опрос с помощью контактов 8 производится при подаче напряжения на обмотку реле 1 О,При опросе трансфлюксора с записью " 1 " в горизонтальную выходную шину индипируется э.д,с. выхо.да, при опросе трансфлюксора с записью " Оэ.д,с,выхода не наводится,Выходное устройство, к которому подключаются две горизонтальные шины пары, является...
Способ обращения к запоминающему устройству
Номер патента: 525157
Опубликовано: 15.08.1976
Авторы: Гелюх, Трофимов, Шведов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающему, обращения, устройству
...производится только во время первогоадресного импульса опроса. Сигнал с выхода 23 поступает в устройство формированияразрядных токов по времени и длительности,которое на фиг, 1 не показано.Второй адресный импульс тока, имеющийдлительность равную или больше временизаписи информации т. Г записи, сформированный распределителем 18 в шине 13, неизменяет состояния "Орф в сердечниках 1,5.Разрядные токи во время второго адресногоимпульса при обращении только к первомучислу ЗУ могут не формироваться или формироваться, как показано на фиг. 2,Распределителем 18 формируется первый адресный импульс тока в шине 1 Я,который проходит по шинам 9 опроса сердечников 2, 6, производя считывание хранимогочисла "11, и по адресным шинам 10 записи...
Запоминающее устройство
Номер патента: 529482
Опубликовано: 25.09.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающее
...состояние:1 паст 111.ы Гаким ссразсм, раграцичен 1,с информационных областей ссседн 11 х ячеек четнь 1 ми ЯОтжрстиям 11 гривсдит к резкому увеличению магнитного сспротивлецич между этиооластями и цредстврал 1 ас; взаимныйзахват и перераспределение их магнитных потоков. Это обстоятельство дает возмож- Мность 11 е ограничи: ать сверху величину. управляющих токов, что. в свою очередь, позволяет резко сциз 11 ть трсссвация к стабильности источников питания, к разбросу параметров комплекту;оших эле 1 ецтов, Ьормирсвать переключение запоминаю.лих ячеек и расш 11 р 1.ть темпсратурный диапазон работыстройства,Запоминаю 1 лее устройство, содержащее ферритовые пластины с Отверстиями за 1 п: - си 1. Опроса выходные шины и шины запрета,...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 529483
Опубликовано: 25.09.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...являет ся магнитный ЗЭ, который содержит ферритовую пластину с отверстиями, два из которых расположены вдоль вертикальной, а два других - вдоль горизонтальной оси симметрии пластинь, первую обмотку, прошитую через первую пару отверстий в противоположных направпеняих, и вторую обмотку, прошитую через вторую пару отверстий в противоположных направлениях,Однако известный магнитный ЗЭ можно ферритовую пл 3, расположенсп симметрии5 и дополни, расположен- и, симметрично чения осей. Перрез отверстия 2 правлениях, вто529483 Составитель Ю, Розенина Техред М. Ликович ьК тор В, Микита Редактор О, С П одписноеСовета Миниси открытийская наб., д. 4 ов СС твенного комитета о делам изобретен москва, Ж, Ра 3035,илиал ППП "Патент", г. Ужгород,...
Магнитный накопитель
Номер патента: 529484
Опубликовано: 25.09.1976
Автор: Хачиан
МПК: G11C 11/08
Метки: магнитный, накопитель
...разного к 1 естс положения разрядных шцн по отношению к адреснь 1 м шинам, Экранцрованце с целью снцже 11 ия помехи усложняет конструкцию, так как экран, через который проходят Все адресные шины, не может быть выполнен с 11 лошным,аз 11 есенце геометрически по;1 я ферритовых линеек ц дешпфоатора с этой же цель 10 нриВОдит к увеличени 10 накопителя, оставаясь прц этом малоэффективным, При увеличении количества адресэв, ц следэвателы 1 э, прэтяженнэсти кээрдцнатных шин рабэчая зэна накопителя Оказывается узкэй, а надежнэсть низкэй.На чертеже представлена принципиальная апектрическая схема предлагаемого магнитного накопителя на и, чисел по тразрядов,Магнитный накопитель содержит ферритовые числовые линейки 1 с тремя рядамиотверстий,...
Элемент памяти
Номер патента: 531193
Опубликовано: 05.10.1976
Авторы: Ильяшенко, Киселев, Ревенко
МПК: G11C 11/08
...мощность. блокировки, подготов ходными 21.Недостатками такого являются сравнительно .ствие и большая потре что перемычки вокруг малогЬ оказанные пунктиром, выпол ф531193 иг. 2Корректор . Б. Ю Составитель Ю.едактор Л. Утехина Техред М. Лико нталь Тираж 723твенного комитетаделам изобретений Ж, Раушсквя каз 5551/243 ЦНИИПИ Государс по 113035 МоскваПодписноеСовета Министрои открытийаб., д. 4/5 Филия ППП ГЬтснт, г. Ужгород, ул, Про.ктнчя нены и материала с коэрцитивной силой,большей, чем коэрцитивная сила материалаостальной части магнитопровода трансфлюксора,При этом при одновременной подаче имфпульсов токаии в обмотки считываниМ и подготовкиЮп соответственно элементспамяти намагничивается против часовой стрелки, что соответствует...
Магнитное запоминающее устройство
Номер патента: 532132
Опубликовано: 15.10.1976
Авторы: Балашов, Жмакин, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающее, магнитное
...8, которая не меняет своего состояния, в выходной шине наводится лишь э.д.с. помехи. При считывании 1 поток изменяет направление в контуре, составленном пз перемычек 5 и 8, и в выходной шине наводится э.д.с, сигнала.На фиг. 2 показано запоминающее устройство с многокоординатной выборкой, В состав запоминающего устройства входит накопитель ча вышеописанных сердечниках, прошитый шинами выборки 10 и шиной записи 9, проходящими через большие отверстия сердечников, шинами считывания 11, проходящими через центральные отверстия и шиной управле 10 15 20 25 35 40 45 50 55 бО 65 пия-выхода 12, проходящей через крайние малые отверстия сердечников. В состав устройства входит блок формирователей 13 токов выборки, вход которого соединен со...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 532898
Опубликовано: 25.10.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...поперечное сечение между большимкрайним и соседним с ним малым отверстиими 1 (см фиг. 3)Считывание и восстановление осуществляются поочередным действием числовых токов считывания 4, ивосстановления " , , при этол при считывании "1 по полному гистерезисному циклу перемагничивается материал вокруг тре;,малых отверстий и в выходной обмотке появляется полезный сигнал, При считывании"О" помеха определяется упругими изменениями потока,В простейшем случае запись может осуществляться методом идеального намагничивания. При этом по обмотке восстановления подаются чередуюциеся во времениразнополярные импульсы тока, а по выходной обмотке подается ограниченный по алплитуде ток управления одной или другойполярности,При работе элемента в режиме...
Запоминающее устройство с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 533984
Опубликовано: 30.10.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающее, информации, неразрушающим, считыванием
...рядов каждой пластины, одни концы шин опроса подключены к числовому дешифратору, а другие - через диоды к разрядному распределителю,На чертеже п ипиальная схема предлагае го устройства.Запоминающее устройство с неразрушающим считыванием информации содержит ферритовые пластины 1 с тремя рядами отверстий: через отверстия 2 числовой записи опроса, расположенные симметрично относительно отверстий 3 и 4 среднего ряда, проходят числовые шины 5 записи, через нечетные рабочие отверстия 3 средних рядов проходят разрядные шины 6 записи и выходные шины 7 чтения, соединенные последовательно, Шины 8 опроса прошиты в противоположных направлениях через пары смежных отверстий крайних рядов каждой пластины и одними конца 533984ми подключены к числовому...
Многоустойчивый накопительный элемент
Номер патента: 533985
Опубликовано: 30.10.1976
Авторы: Арефьев, Крештал, Ромащев, Федин
МПК: G11C 11/08
Метки: многоустойчивый, накопительный, элемент
...т. е, участки магнитопровода вокруг отверстий а и Ь не перемагничиваются из одного насыщенного состояния в другое под действием приложенных к ним соответствующих м.д.с. Это обеспечивается тем, что амплитуда переменного тока считывания сп, текущего по обмотке 15, ограничена такой величиной, что образуемое этим током поле недостаточно для перемагничивания магнитопровода вокруг большого отверстия, а импульсы тока форсированного перемагничивания (записи) 1+зап создают поле, направление которого совпадает с направлением остаточной намагниченности внешней перемычки вокруг отверстия а. В обмотки 7, 8, 9 подается постоянный ток подготовки 1,. Величина магнитного поля, создаваемого этим током, достаточна для перемагничивания всего...
Магнитный запоминающий и логический элемент
Номер патента: 536525
Опубликовано: 25.11.1976
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, логический, магнитный, элемент
...и логичеакого элемента.Это достигается тем, что в магнитный запоминающий и логический элемент, содержащий сложный магнитопровод с источником потока, расположенным на среднем стержне, площадь поперечного сечения которого вдвоа больше, чем у всех остальных участков магнитопровода, с двумя исходящими из,концов этого стержня симметричными относительно него замкнутыми раоочими стержнями, каждый из которых содержит, пару отверстий, симметриччо расположенных отлосительно среднего стержня и прошитых опросными и сигнальными обмотками, введены входные обмотки, расположенные на каждом рабочем стержне магнитопровода.На чертеже изображен предлагаемый элеПри записи информации в рабочий стержень 3 управляющий ток по определенному направлению...
Способ считывания информации с магнитного запоминающего элемента и магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 538419
Опубликовано: 05.12.1976
МПК: G11C 11/08, G11C 7/00
Метки: запоминающего, запоминающий, информации, магнитного, магнитный, считывания, элемент, элемента
...из которых прошита через малое крайнее отверстие. и выходную обмотку, в котором вторая координатная обмотка прошита через малое крайнее и центральное отверстия в одном направлении и через большое крайнее отверстие в другом направлении, а выходная осмотка прошита два раза через центральное отверстие в одном направлении и через большое и малое крайнее отверстия в другом направлении,На фиг, 3 изображен магнитный запоминающий элемент для ссуществлегяя предложенного способа считьвания; на фиг, 2 - граф переходов сердечника элемента под действием импульсных управляющих токов.Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 538422
Опубликовано: 05.12.1976
Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...записи 1 -го и (+ 1)-го чисел соответственно,Эоч . - Э ач, - токи считывания 1с. ю .нго и (+1 )-го чисел соответственно,1 р - разрядный ток Ю -го разряда.На фиг. 2 показано изменение магнитногосостояния элемента под действием управляющих сигналов.Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с тремя отверстиями 2-4, числовую обмотку 5, прошитую через отверстия 2 и 3 в противоположном направлении, разрядную обмотку 6, прошитуючерез отверстия 2 и 3 в одном направлении и через отверстие 4 в противоположном направлении. На фиг. 1 показано также расположение соседнего бита 7, принадлежащего одноименному разряду соседнего числа. 0Считывание информации осуществляется действием числового тока 1 сч. При считывании "1" перемычка...
Числовой блок для запоминающего устройства
Номер патента: 542242
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Попов, Степанов, Фирсов
МПК: G11C 11/08
Метки: блок, запоминающего, устройства, числовой
...записисчитывания 7 последовательно проходитвсе отверстия средних радое 3 и 4, Разрядные обмотки 8 пронизывают соответ- З 5ствующие пары отверстий рядов 4 и 5 ислужат как обмотки подачи важа в режиме записи, так и в качестве обмоток сьема информации и обмоток восстановленияинформации в режиме неразрушакицегосчитыванияЧисловая пластина ЗУБРИ работает следующим образом.Запись информации всегда начинаетсяс посы ои дреснэгэ тока подготовки 1,4 Ьв обмотку 6, при этэм устаиавпиваетсямагнитное состояние, условно изображенное на фнг. 3 О. Для этого сэстщнияхарактерно, что материал перемычек,прилегающих к крайним отверстиям, находится в насыщенном состоянии, эстальная часть элемента "размагничена. Запись "1" производится последовательнэотью...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 551699
Опубликовано: 25.03.1977
Авторы: Никифоров, Ракитин, Титов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...прошитые через большие отверстия сердечников, числовые шины опроса и разрядные шины выходных сигналов, прошитые через малые отверстия сердечников, и шины записи, раз. рядные шины записи прошиты через большие отверстия сердечников, а адресная шина записи про. шита последовательно через малые отверстия на среднем стержне сердечников.На чертеже изображена схема предлагаемой матрицы для ЗУ системы 2 Д.Матрица для ЗУ содержит многоотверспые сердечники 1 с больцатми и малыми отверстиями, прошитыми разрядными шшсами 2 выходных сиг. палов, адресной шиной 3 записи, разрядными ищнами 4 записи, числовыми шинами 5 блокировки и числовыми шинами 6 опроса.Запись информации осуществляется в два такта; в первый такт по числовой шине 5 подается...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 562002
Опубликовано: 15.06.1977
Автор: Фирсов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...стержней и прошитых соответственно обмотками считывания 9 и подготовки 10, На стержне 3 расположена обмотка съема информации 11.При одновременной подаче токов записи одинаковой полярности в обмотки 5 и 6 в потокозадающий стержень 1 записывается магнитный поток, направленный, например, по часовой стрелке. Стержень 1 насыщен, Этот поток проходиг через стержни 2 и 3. Так как геометрия магнитопровода такова, что пути замыкания через эти стеркни одинаковы, то происходит равное распределение потока стержня 1 между стержнями 2 и 3. При подаче в обмотку 10 тока подготовки происходит локальное насыщение материала вокруг отверстий 8. Это приводит к тому, что значение потока в стержне 3 становится равным нулю, но прп этом сохраняется значснис...
Магнитный запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации
Номер патента: 566266
Опубликовано: 25.07.1977
Автор: Милославский
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент
...а формепараллелепипеда с двумя отЪерстиями2 и 3, оси которых взаимно ортого 10нальны. Кроме того пластина имеет пер.вый ряд дополнительных отверстий 4,оси которых параллельны оси отверстия 3, и второй ряд дополнительныхотверстий 5, оси которых параллельныоси отверстия 2.Отверстие 2 и отверстия 5 прошитысоответственно разрядной обмоткой 6и дополнительными разрядными обмотками 7. Обмотка 8 выборки по записи проОшивает отверстие 2 и отверстия 5, аобмотка выборки по считыванию 9 - отверстие 3 и отверстия 4, при этом всенечетные дополнительные отверстия прошиты встречно, а четные - согласно по 25отношению к прошивке соответствующимиобмотками отверстий 2 и 3,Работа магнитного запоминающегоэлемента происходит следующим образом.Эапись а...
Магнитное запоминающее устройство
Номер патента: 568971
Опубликовано: 15.08.1977
Авторы: Жмакин, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающее, магнитное
...чертеже представлена схема предлагаемого магнитного запоминающего устройства.Магнитное запоминающее устройство содержит матрицу памяти 1, выполненную на трехотверстных сердечниках 2 флюксорного типа из материала с ППГ, прошитых шинами выборки 3, 4, проходящими через большие отверстия сердечников, шиной режима 5, проходящей через первые крайние отверстия сердечников в одном направлении, а через центральные отверстия - в другом направлении, шиной управления-выхода 6, проходящей через вторые крайние отверстия сердечников. Шины выборки 3, 4 подключены к формирователям токов выборки 7, 8, шина режима 5 - к формирователю тока режима 9, а шина управления-выхода - к блоку управления записью и съема сигнала 10, на вход которого поступают...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 585545
Опубликовано: 25.12.1977
Автор: Тимофеев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...осн симметрии и прошиты разрядной обмоткой, является наиболееблизким техническим решением к предложенному элементу. Этот элемент имеет малый выходной сигнал по причине неглубокой модуляциивыходного напряженно от разрядного тока записи 1),Цель изобретения состодежности элемента путем уго сигнала. Для этого отверстия на пластинежены вдоль одной оси, координатные ообмотка смещения прошиты соответстрез первое и восьмое, четвертое и пятоеи шестое отверстия в противоположнылениях, а разрядная обмотка прошивторое и седьмое отверстия в одинакправлениях.Эти изменения в расположенииприводят к более тесному вэаимодейстхранения информации и зоны опроссамым к увеличению выходного сиги585545 Хр 1 у 3 Тсг/У ЦНИИПИ Закаэ Б 055/42 Тираж...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 586496
Опубликовано: 30.12.1977
Авторы: Балашов, Водяхо, Гессен, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...5, 6 и 7 в элементе 1 и 8, 9, 10, 11 и 12 в элементе 2, которые расположены вдоль оси симметрии, причем желательно, чтобы расстояние между отверстиями 4 и 6 и отверстиями 6 и 7 было как можно меньше. Числовая обмотка 13 прошита через первое и третье отверстия в противоположных направлениях, разрядная обмотка 14 - через четвертое отверстие, дополнительная числовая обмотка 15 - через второе и третье отверстия, а обмотка восстановления 16 - через пятое отверстие.Считывание информации осуществляется подачей тока считывания 1 оч. по дополнительной числовой обмотке 15. При считывании 1 по полному гистерезисному циклу перемагничивается слой феррита вокруг отверстий 5, 6 и 7. В качестве выходной обмотки используется разрядная обмотка 13. При...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 587503
Опубликовано: 05.01.1978
Автор: Тимофеев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...запоминающий элемент; на фиг, 2 - используемые магнитные состоянияМагнитный запоминающий элемент (фиг.1) выполнен на участке 1 пластины 2 из материала с прямоугольной петлей гйстереэиса, содержащем 3-8 отверстий, расположенных в ряд и прошитых первой обмоткой выборки 9 через 3 и 8 отверстия в противоположных направлениях, разрядной обмотки 10 через 4 и 7 отверстия в одинаковых направлениях, второй обмоткой выбор58"503 ки 11 через 5 и б отверстия в противоположных направлениях.Подача тока )1 В обмотку 9 приводит к надежному стиранию информации, так как элемент переходит в магнитное состояние С, показанное на фиг.2. В разрядной обмотке 10 наводится импульс напряжения ф 1 или 0 1(о той или другой полярности в завйсимости от...
Магнитный запоминающий элемент
Номер патента: 595791
Опубликовано: 28.02.1978
Авторы: Водяхо, Жмакин, Мусакин, Тимофеев
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, магнитный, элемент
...ый е 10 поток з 11. мыкается В ос 1 овпом Вокруг отверстия 2 (фиг. 3). Материал элемента Вокруг отвсрстпя 4 хранит информацию в впдс остаточной намагниченности.Считывание информации (фиг. 2) осуществляется по началу координатных токов 1,. и 1, подаваемых в координатные обмотки считывания 11 и 12. М.д,с. координатных токов содас из)снспис ооа Вокруг Всех Отверстий элемента, так как мд.с. постоянного смс 1 цснпя поддерживаст состояппе па 11 агнпчснностп перемычек 5 и б и препятствует замыканию потока от мд.с. координатных токов 1 х и 1 у через эти пс 1)смычки Вокруг Отверстия 2. ГОток считывания ог 11 баст отверстие 2 В направлении, протиВоположном направления потока от м.д.с. смещения. Пути вокруг разрядного отверстия 4 с левой и с...