Магнитный запоминающий элемент

1 вс. т.гор,1ь.Ф ь 111,) аф,к "о:1 ъл,о гъ. ,.с,ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ рц 56 О 99 Сою Ооввтскид Соцндлистнчвскнк рвснублнколнительное к авт. свид-ву 22) Заявлено 10,03.75 (21) 2112563/24 1 С 110 ки о с присоединением Госуаарстввнный комнт 23) ПриоритетОпубликовано 30.05.76, Бюллетень Ло 2 Дата опубликования описания 02.08.76 вввтв Министров СССРво валом ндобрвтвкнй н открытий 681.327,66(088.8)(53) Ъ1 2) Авторы изобретени П. Балашов, А. И, Водяхо, А. О. Тимофеев и Л, А. Шумило енинградский ордена Ленина электротехнический институт им, В. И. Ульянова (Ленина) 1) Заявител(54) МАГН ИТНЫ Й ЗАПОМИ НА 1 ОЩИ Й ЭЛЕМ верстиями, расположенными метрии пластины и раздел по сечению перемычками, мотки, разрядную обмотк тую через четвертое малое стие, выходную обмотку, большое крайнее отверстие вдоль оси симиными равными оординатные обзаписи, проши- крайнее отверпрошитую через И Изобретение относится к области вычислительной техники и предназначен для использования в оперативных запоминающих устройствах, работающих по принципу координатной выборки информации.5Известны магнитные запоминающие элементы, содержащие ферритовую пластину сотверстиями, расположенными вдоль осисимметрии пластины, разделенными равнымипо сечению перемычками и прошитыми координатными, разрядной и выходной обмотками,Один из известных магнитных запоминающих элементов содержит ферритовую пластину с одним большим и двумя малыми отверстиями. В этом элементе через малоекрайнее отверстие проходят выходная и одна из координатных обмоток. Для такогоэлемента принципиально возможно совмещение разрядной и одной из координатных обмоток, т. е. получение эффекта прохожденияпо одному проводу в каждое отверстие, однако в этом случае необходимо иметь несколько комплектов разрядного оборудования, 25Наиболее близким техническим решениемк данному изобретению является магнитныйзапоминающий элемент, который содержит,как и предложенный, ферритовую пластинус большим крайним и четырьмя малыми от Недостатком известного элемента является прохождение двух координатных обмоток через одно и то же отверстие.Цель изобретения - упрощение магнитного запоминающего элемента.Это достигается тем, что в предлагаемом матнитном запоминающем элементе, содержащем ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, координатные оомотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие, одна из координатных обмоток прошита через третье малое отверстие, а другая - через первое и второе малые отверстия в противоположных направлениях,В предлагаемом элементе каждое отверстие пластины прошито только одной обмоткой.На фиг. 1 показан магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 - граф переходов сердечника выбранного элемента,Магнитный запоминающий элемент (фиг.1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку 2 записи, прошитую через четвертое малое кр айнее отверстие, первую координатную обмотку 3, прошитую через третье малое отверстие, вторую координатную обмотку 4, прошитую через первое и второе малое отверстия в противоположных направлениях и выходную обмотку 5, прошитую через большое крайнее отверстие. По координатным обмоткам могут подаваться токи как положительной, так и отрицательной полярности 1,+, 1-, 1, - , 1 - , по разрядной обмотке записи подается однополярный разрядный ток записи 1 р.Разрушающее считывание осуществляется совместным действием координатных токов 1+ и 1+. При считывании 1 перемагничивается перемычка, прилегающая к большому отверстию с внешней стороны, и в выходной обмотке появляется полезный сигнал, в полу- избранных сердечниках при этом материал прилегающий к малым отверстиям перемычек, может перемагничиваться в зависимости от предыстории по различным контурам. Направление на магниченности перемычек, прилегающих к малым отверстиям, не имеет принципиального значения, поэтому информационным состоянием О и 1 ставятся в соответствие магнитные состояния, характеризующиеся намагниченностью крайней перемычки вверх и вниз, соответственно при произвольном направлении намагниченности перемычек, прилегающих к малым отверстиям.Запись 1 осуществляется совместным действием координатных токов 1, - и 1 - , которые намагничивают вверх три перемычки, прилегающие к малым отверстиям (фиг.2), Насыщение трех перемычек вверх заставляет оставшиеся три перемычки намагни титься вниз, т, е. происходит установкаэлемента в состояние 1. При записи О разрядный ток запрещает действие тока 7, - , стремящегося намагнитить крайнюю перемычку вверх, т, е. запрещает переход,из 10 состояния О в состояние 1.Основным достоинством описанного вышеэлемента является наличие в каждом отверстии по одному проводнику, что позволяет существенно упростить процесс сборки мат риц. Сравнительные испытания предложенного и известных элементов показали, что одновременно повышается надежность запоминающего устройства за счет уменьшения вероятности короткого замыкания меж ду различными шинами.Формула изобретения25 Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим крайним и четырьмя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению 30 перемычками, координатные обмотки, разрядную обмотку записи, прошитую через четвертое малое крайнее отверстие, выходную обмотку, прошитую через большое крайнее отверстие, отличающийся тем, что, 35 с целью упрощения элемента, одна из координатных обмоток прошита через третье малое отверстие, а,другая через первое и второе малые отверстия в противоположных направленчях.40Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.1. Авт. св,226954, кл. 6 11 с 11/08, от02.08.67.едактор Т. Рыбалов Тираж 723Совета Министров Си открытийская наб., д, 4/5 Изд.1437 И Государственного комитет по делам изобретений 13035, Москва, Ж, Рауш