G11C 11/08 — многодырочных элементов памяти, например трансфлюксоров; пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти

Страница 6

Магнитный запоминающий элемент

Загрузка...

Номер патента: 614467

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Балашов, Водяхо, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...предлагаемый элемент.Он содержит ферритовую пластину 1 с отверстиями 2.и 3, расположенными вдоль верти. кальной оси симметрии пластины. Отверстия 4 - 9 расположены вдоль горизонтальной осисимметрично относительно точки пересечения осей. Мервая обмотка 10 прошита через отверстия 2 н 3 в противоположных направлениях, вторая обмотка 11 - через отверстия 6 и 7 в противоположных направлениях, третья обмотка 12 - через отверстия 5 и 8, а четвертая - 13 через отверстия 4 и 9 в противоположных направлениях.По обмоткам 11 н 12 подаются координатные токи выборки 1 и 1 соответственно, по обмотке 13 - постоянный ток смещения.614467 формула изобретения Магнитный запоминающий элемент, содержащий феррнтовую пластинку с тремя парами отверстий, одна...

Способ записи информации в запоминающее устройство на многоотверстных ферритовых пластинах

Загрузка...

Номер патента: 615539

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Новиков, Яковлев

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающее, информации, многоотверстных, пластинах, ферритовых

...устройства,Поспе действия импупьсов второго адресьного тока записи в чисповую шину запи 30си выбранной ячейки подают импупьс первого адресного тока записи 1. Еспив 1 -м разряде выбранной ячейки осушес 1.впяют запись нулевой информации, то од 35новременно с импупьсом 1, в адреснойшине в -ю разрядную шину записи подают импупьс разрядного тока записи .1 р, который равен по амппитуде и длитепьности импульсу тока 1 и проходит0встречно ему,Так как передний фронт импупьса разрядного тока 1 совпадает с задним фронтом импульса второго адресного тока записи, то даже при бопьшой индуктивнос 15ти разрядной шины записи, соответствующей бопьшой информационной емкости накопитепя, импупьс разрядного тока р успевает достичь номинапьного значения...

Запоминающий модуль для магнитного накопителя

Загрузка...

Номер патента: 624293

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Бурковский, Золотенков, Новиков, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитного, модуль, накопителя

...шины или разрушение магнитопровода, то отремонтировать его прак= тически невозможно, так как в большин стве случаев ферритовые запоминающие элементы залиты компаундом.Целью изобретения является повышение надежности модуля.Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит дополнительные контакты и ферритовые числовые линей ки, установленные на печатной плате, причем два смежных отверстия средних рядов ферритовых числовых линеек прошиты разрядной шиной, а отверстия крайних рядовчисловой. шиной, начало и конец которой соединены с дополнительными контактами. При возникновении неисправности в одной из ферритовых числовых линеек 4,624293 начало и конец числовой шины 2 отсоединяют от выходного контакта 6 и диоднойсборки 3...

Магнитное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 628535

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Балашов, Жмакин, Тимофеев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее, магнитное

...4 режима, разрядные формирователи 11 токов записи, выходы последних соединены с разрядными обмотками 5 записи а на вход поступают сигналы с выхода блока 12 вентилей, на вход которого поступает код записываемого числа с регистра 13 числа. Выходные обмотки.6 соединены с входами усилителей 14 воспроизведения, выходы триггера 15 запоминания переноса связаны с блоком управления запоминающего устройства (на чертеже не показано), входы установки 1 - с выходом элемента . ИЛИ 16 и с цепью 17 подачи единичных приращений, а вход установки О - с элементом 18, на его входы поступают управ- ляющие сигналы.Устройство работает в режиме счета следувщим образом.Перед очередным добавлением единицы на кодовых шинах 19 адреса присутствует в...

Магнитный накопитель для запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 643970

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Богданова, Бурковский, Сташков

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающего, магнитный, накопитель, устройства

...магнитного накопителя, причем отверстия крайних рядов ферритовых пластин прошиты дополнительной числовой шиной.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого магнитного накот 5 пителя для ЗУ.Предложенный магнитный накопительдля ЗУ содержит ферритовые пластины 1 с тремя рядами отверстий, разрядные шины 2, прошитые через отверстия средних рядов, числовые шины 3, прошитые через 2 О отверстия крайних рядов, подключенные квыходам магнитного накопителя 4 и диодам 5 дешифратора 6, Дополнительная числовая шина 7 проходит через отверстия крайних.Составитель Ю. РозентальТехред О. Луговая т р ВаОГосуда рственного ком итета делам изобретений н отк осква, Ж.35, Раушская нПатент, г. Ужгород, ул Реда кто Заказ 8 Е. Гончар4/49ЦНИИПИпо13035,...

Магнитный запоминающий элемент

Загрузка...

Номер патента: 680049

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...превосходят сечения перемычек разветвленных участков, обмотку записи 2, секции 3, 4 которой расположены соответственно на переььчках 5, 6 разветвленных участков, образующих источники потока 7, входные 8 и выходные 9 обмоткирасположенные на перемычках 10 разветнленных участков, образующих запоминающие. элементы 11, источник разнополярных импульсов тока 12 и диодный мост,выполненный на диодах 13-16, причемодно плечо моста содержит соединенные параллельно потенциометр 17 и управляемый ключ 18 с выводами 19. Секции 3, 4 обмотки записи 2 через диодный мост подключены к источнику разнополярных импульсов тока 12 таким образом, что при поступлении от последнего отрицательного импульса,они оказываются включенными согласно, а при поступлении...

Способ записи информации в запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка

Загрузка...

Номер патента: 699565

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Гаврилов, Милославский

МПК: G11C 11/08, G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент

...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...

Магнитный запоминающий элемент

Загрузка...

Номер патента: 699566

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, магнитный, элемент

...12 и закорочена на диод 7, Выводы потенциометра 9 зашунтированы диодом 8.МЗЭ работает следуюлим образом.На время действия очередного отрицательного импульса, поступающего с источ- ЗО ника 14, подачей сигнала подготовки на выводы 11 открывается ключевой элемент 10. Тем самым отрицательный импульс без ограничения пропускается в секцию 2 обмотки записи и весь сердечник 1 намагничивается до насыщения по часовой стрелке (происходит установка сердечника 1 в исходное состояние). При этом магнитное поле секции 3 не препятствует такому намагничиванию, так как диод 7 по отношению к токам индукции включен в непроводящем направлении, зрСледующий (положительный) импульс источника 14 благодаря шунтирующему диоду 8 также без ограничения пропускается...

Ферромагнитный запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации

Загрузка...

Номер патента: 871219

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Арасланов, Васильев, Воропаев, Гессен, Гольдберг, Живулин, Ильмъяров, Котягова, Филимонов, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающий, информации, неразрушающим, считыванием, ферромагнитный, элемент

...разрядной обмотке 4 соответствующего отверстия положительного или отрицательного импу"льса напряжения считываемого сигнала.Записанная информация при этом неразрушается.Таким образом, предложенный ЗЭ имеет повышенную плотность записи информации. Формула изобретения каз 8 й 44/24 Тираж 648 одписное ент", г. Ужгород, ул. Проектная илиал ППП мпаунда, .расположенный на противоположных сторонах пластины по всей ширине ее боковой поверхности, а адресная обмотка расположена по периметру пластины в средней части ее боковой поверхности под слоем ферромагнетика.На чертеже изображен предложенный ЗЭ с иеразрушающим считыванием информации.ЗЭ содержит пластину 1 из феррита с ППГ, первый ряд отверстий 2, второй ряд отверстий 3, разрядные обмотки 4,...

Магнитное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 928410

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гафаров, Иванов

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее, магнитное

...(полярность заряда конденсатора 2 показана на фиг. 1). Следующий (от 11 рицательный) импульс источника будет стремиться насытить весь магнитопровод (т.е. перевести сердечник .1 в исходное состояние). Однако со" противление потенциометра 12 отрег лировано таким образом (ключевы е 55гулиэлементы 15-17 закрыты), что имеет место переключение по всей длине магнитной цепи только определен 0 4ной величины (примерно четверти от максимального значения) магнитного потока. При этом переключается поток также только в перемычке 28 Фиг. 2 в), в результате чего происходит очередной подзаряд конденсатора 21 и отсутствует заряд конденсатора 22, С поступлением следующего (положительного) импульса источника 29 (ключевые элементы 15-17 закрыты) и при...

Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации

Загрузка...

Номер патента: 968853

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Добролюбов, Пивоваров

МПК: G11C 11/08

Метки: информации, магнитный, неразрушающим, считыванием, элемент

...каждого отверстия до ближайших боковых граней сердечника, расстояние между осями отверстий записи и опроса выполнено равным 1,10-0,05 полусуммы их диаметров.На чертеже изображена конструкция предложенного магнитного элемента.Магнитный элемент с неразрушаюшим считыванием информации содержит сердечник 1 типа биакс с отверстиями записи 2 и опроса 3, оси которых ортогональны, Отверстие 2 записи прошито разрядной обмоткой 4, объединенной с выходной обмоткой, а отверстие 3 опроса прошито35 числовой обмоткой 5, объединенной с обмоткой опроса.Отверстие 2 записи образует с боковыми гранями сердечника одинаковые по ширине перемычки 6 и 7, Также одинако 40 вы по ширине перемычки 8 и 9, образованные отверстием опроса 3 и боковыми гранями....

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 970466

Опубликовано: 30.10.1982

Автор: Гафаров

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающее

...импульсов магнитодвижущая5О15 20 25 30 35 40 45 55 65 сила (МДС) обмотки 2 направлена блева направо и поток в перемычке 22 не переключается. МДС обмотки 3 при каждом очередном импульсе источника 11 меняет свое направление, в результате чего в перемычке 23 происходит переключение магнитного потока, величина которого определяется сопротивлением потенциометра 12. В исходном состоя" нии устройства распределение переключаемого указанным образом потока между перемычками 24 и 25 разветвлен(ного участка 21 магнитопровода может быть любым, Если поток переключает ся по одной из двух или обеим перемычкам 24 и 25 одновременно, соответствующие конденсаторы 17 и 18, подключенные через диодные мосты 9 и 10 к выходным биотокам 6 и 7,...

Запоминающая линейка

Загрузка...

Номер патента: 1127002

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Беневич, Иванов, Соловьев, Цогоев

МПК: G11C 11/08

Метки: запоминающая, линейка

...направ- .лении, а смежные пары одноименныхадресных отверстий групп прошиты этимже проводником в противоположныхнаправлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разряднымипроводниками.в противоположных направлениях,На чертеже изображена конструкция предложенной запоминающей линейки.Запоминающая линейка содержитпластину 1 из Феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий 2 и группа разрядных отверстий 3,причем центры одноименных адреснькотверстий групп 2, расположены налиниях 4, перпендикулярных продольнойоси 5 пластины 1, а центры разрядныхотверстий группы 3 смещены от середи.ны б расстояний между линиями 4. Адресные отверстия групп 2 прошиты адресным проводником 7 с началом 8 иконцом 9, а разрядные...