Числовой блок для запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(11)542242 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл,"- Ст 11 С 11/08 рисое сударственныи комитетавета Министроо СССРпо делам изобретенийи открытий) Опубликовано 05.01,77.Бюлл5) Дата опубликования описани нь 1 53) УД(72) Авторы изобретени оскэвский эрдена Трудэвэгэ Красного Знамени инженерн э-физический институт71) Заявител ЧИСЛОВОИ БЛОК ДЛЯ ЗАПОМИНАУСТРОЙСТВА зобретени Ублэсен тельнои т нающих устроис рушения информ коммутационных инаеские опе х устрои сью ин ац вестны чи лэкэв для запомина авляющим ислоени ыст лока во в ем предз матого сод ий з ма- юира раз- соотносится к области вычиси и автоматики и мэжет тть использовано для построения запомив со считыванием без разции (ЗУБРИ), магнитных матриц, реализуюши ации, постоянных запом с электрической перез и (ЭППЗУ) и т, и. словые блоки для ЗУ, влненные на многэотверстных пластин из материала с прямоугольной петлейтерезиса (ППГ) 1, 21.Один из известных числовых бЗУ содержит ряд двухотверстныхющих элементов, прошитых упробмотками 11, Недостатком этогэ чвого блока является невозможность пения на его основе накопителя ЗУБРИНаиболее близким техническим решк данному изобретению является числблок для ЗУ, который содержит как иложенный многоотверстную пластину итериала с ППГ, числовую, адресную ирядные обмотки 21, Несмотря на вы фирсэв и А. Н. Степанэ к ю технэлэгичнэсть известнэгэ числэвэгока (адресная эбмэтка мэжет быть нане- а печатным спэсэбом), эн обладает рядом недэстаткэв. К ним, в частнэсти, этнэсится низкая скэрэсть записи информации, эснэванная на способе "идеальнэгэ" намагничивания сердечника, Другой недэстатэк связан с малэй величинэй сигнала неразрушающегэ считывания, кэтэрый возникает по фрэнтам адресных тэкэв считывания за счет эбратимых процессов перемагничивания и имеет величину менее 10 мв, в связи с этим услэжняется электронное эбрамление ЗУБРИ, затрудняется выделение пэлезных сигналэв на фэне шумэв в разряднэй линии. Все этэ снижает надежность устройства памяти, испэльзующегэ данные числэвые блэки.Целью изобретения является пэвышение одеиствия и надежности чисдля ЗУ.тавленная цель дэстигаетсячто в числовой блок для ЗУмнэгээтверстную пластинуа с ППГ, числэвую, адресн3рядные обмотки, введены на пластине четыре равнэудаленных ряда отверстий пэ числу разрядов числового блэка. Ширина перемычек между отверстиями одного ряда в два раза больше ширины перемычек между рядами. Адресная обмотка тока подготэвки прошита через отверстия первого и четвертогэ рядов, числовая обмотка записи- считывания - через этверстия второго и третьегэ рядэв, а разрядные эбмэтки заниси, вэсстанэвления и съема информации19через этверстия третьего и четвертогорядов.На фиг, 1 изображен числовой блокдля ЗУ; на фиг. 2 - временные диаграммы5 ,работы числового блока в режиме записи "1" и "О" и в режиме неразрушающего считывания; на фог. 3 последовательность магнитных содтэяний одного запоминающего элемента на многоотверстной пластине после подачи соответствующих управляющих токов.Числовой блок для Зу саержит многоотверстную пластину 1 из материала с ППГс четырьмя равноудаленными рядами отверстий 2-5. Сечение перемычек междусоседними рядами в два раза меньше се- чения перемычек между соседними отверстиями одного ряда. Печатная адресная)обмотка тока подготовки 6 последователь-но проходит через все отверстия крайнихрядэв 2 и 5. Числовая обмотка записисчитывания 7 последовательно проходитвсе отверстия средних радое 3 и 4, Разрядные обмотки 8 пронизывают соответ- З 5ствующие пары отверстий рядов 4 и 5 ислужат как обмотки подачи важа в режиме записи, так и в качестве обмоток сьема информации и обмоток восстановленияинформации в режиме неразрушакицегосчитыванияЧисловая пластина ЗУБРИ работает следующим образом.Запись информации всегда начинаетсяс посы ои дреснэгэ тока подготовки 1,4 Ьв обмотку 6, при этэм устаиавпиваетсямагнитное состояние, условно изображенное на фнг. 3 О. Для этого сэстщнияхарактерно, что материал перемычек,прилегающих к крайним отверстиям, находится в насыщенном состоянии, эстальная часть элемента "размагничена. Запись "1" производится последовательнэотью сдвинутых во времени адресного токазаписи в обмотку 7 и соответствующегоразрядного тока в обмотку 8 (фиг. 2),При этом происходит смена магнитныхсостояний элемента, изображенная наФиг. 3 б, в., Для маХнитных ферритовых 4;,.атериалэв с 1 Г с.прайедливы следукшл законы коммутации: переключение происходит пэ наикратчайшему пути, величина зменения магнитнэгэ и; эка определяется минимальной прэпускнэй спэсэбнэстью связанных перемычек. Магнитное сэстэяние в режиме хранения 1 ( фиг, 3,Ь) характернэ пэлным насьицением материала в эбласти,охватывающей эба средних этверстия элемента, Запись О" осуществляется эднэвременным действием адреснэгэ тока .записи и разряднэгэ тэка (фг.2), При этом устанавливается магнитнэе состэяние, изображенное на фиг. 3 Г (насыщаются области вокруг второго и чет" вертэгэ отверстий элемента). Б режиме считывания информации подается последовательность импульсэв адресногэ тэка считывания в обмотку 7 и вслед за ней импульсов токов восстановления во всех разрядных обмотках 8 (фиг, 2), Если запэминающий элемент хранит состояние "1", тэ происходит последовательное изменение распределения магниТного сэстэяния элемента (фиг. 38 , Е ), При, этэм возникают процессы переключения материала в области между третьим и четвертым этверстиями, в такте считывания в выхэднэй обмотке 8 индуцируется значительный сигнал считывания. Если запоминающий эле мент находится В состоянии О (фиг. З ж), то это состояние для токов считывания и восстановления является заблокированным, в такте считывания на выходе элемента возникает незначительный сигнал помехи, связанный с упругими обратимыми переключениями материала в области насыщения.При использовании современных материалов с большим коэффициентом прямоугольности петли гистерезиса элемент позволяет работать в форсированных режимахпереключения, запись информации производится неограниченными сверху токами. Приэтом легко реализуется время записи информации менее 1,5 4 2 мксек (более чемв 50-100 раз меньшее пэ сравнению сизвестной числовой линейкой ЗУБРИ).За счет форсированнэгэ неупругэгэ переключения материала в режийе неразрушающего считывания выхэдной полезныйсигнал более чем в 10 ь 15 раз превышаетсигнал, снимаемый с известнэгэ устрэйггва, при тех же основных геэметрических размерах пластин,формула изобретенияЧислэвэй блэк для запоминающего уст рэйства, содержащий многоотверстную пласг аж .7 эдписнэе Филиал П "Патент,Гнну из ма Гаркала с прямоугольной пет лей гистерезиса, числовую, адресную и разрядные обмотки, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения быстро: действия и надежности числового блока, на пластине выполнены четыре равнэудаленных ряда отверстий по числу разрядов числового блока, ширина перемычек между этверстиями одного ряда в два раза Сэльше ширины перемычек между рядами; :. лресн;я эбмэтка тэка пэдгэтовки прошита через отверстия первого и четвертого рядов, числовая эбмэтка записи-считывания - через отверстия второгэ и третьего ЩНИИПИ Заказ, 5 99 О/3 2 рядэв, а разрядивши. обмотки записи, восстановления и съема информации - через отверстия третьего и четвертогэ рядов. ЬИсточники информации, принятые вовнимание при экспертизе;1. Лащевский Р. А. и др. "Запэминаюшие устройства на многоотверстных фере ритовых пластинах", И., "Энергия, 1969.2. Злобин В. А., Мурэмкина Т. С.,Поспелов П. В Изделия из ферритов и магннтэдизлектрнкэв. М., Сэв. радио, 1 972. Ужгород, ул, Проектная,
СмотретьЗаявка
2148142, 23.06.1975
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ПОПОВ ЮРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ФИРСОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ, СТЕПАНОВ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: блок, запоминающего, устройства, числовой
Опубликовано: 05.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-542242-chislovojj-blok-dlya-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Числовой блок для запоминающего устройства</a>
Предыдущий патент: Запоминающее устройство с одновременной выборкой нескольких слов
Следующий патент: Ассоциативный запоминающий элемент на мдп-транзисторах
Случайный патент: Устройство для уплотнения несыпучего материала и его разгрузки