417961
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 417961
Текст
ОП ИОАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 4179 И Союз Советских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ Зависимый от патентаМ. Кл, б 03 5,08 8,Х.19 О ( 1491108/23-4)29.Х.1969,87164/69, Япония Заявлен Приорит Государственныи комитеСовета Министров СССРво делам изобретенийи открытий ДК 772,932(088,8 публиковано 28.11,1974, Бюллетень М 1 кования описания 1 ЛП,1974 та оп торыбретения Иностранцы Кончи Киносита и Тададзи Фукуда(Япония) Иностранная фирма Кацурагава Денки Кабусики Кайсяаяви ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛ ния ма Изобретение относится к способу изготовлефоточувствительного электрографическоготериала.Известен способ изготовления фоточувствительного электрофотографического материала, заключающий в образовании на подложке фотопроводникового слоя (например, из аморфного селена), фоточувствительного, задерживающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней поляризации, и изоляционного слоя на одной стороне фоточувствительного.Однако таким способом трудно изготовлять материал, способный к эффективной задержке зарядов и улучшенной фоточувствительностью, так как материалы с большим числом уровней задержки зарядов, применяемые для образования фотопроводникового слоя, имеют низкую фоточувствительность.Целью предлагаемого изобретения является изготовление фоточувствительного материала для электрофотографии, обладающего высокой степенью задержки зарядов и высокой фоточувствительностью.Согласно изобретению, фоточувствительный материал, имеющий высокую чувствительность, изготовляют образованием на подложке фотопроводникового слоя осаждением паров сплава селен - теллур, содержащего 40 мол.,0 теллура, образованием фоточувствительного задерживающего заряды слоя, обладающего свойством устойчивой внутренней 5 поляризации между фотопроводниковым иизоляционным слоями одновременным осаждением паров сплава селсн - теллур, содержащего 16 мол,00 теллура, и сплава селен - теллур, содержащего 40 мол.% теллура, н после дующим образованием слоя с высокими изоляционными свойствами на одной стороне фоточувствительного слоя.На фиг. 1 показано строение фоточувствительного материала настоящего изобретения;15 на фиг. 2 дан график зависимости интенсивности скрытого изображения от величины экспозиции.Как показано на фиг, 1, фоточувствительный материал содержит подложку 1, которая 20 может быть металлической пли из диэлектрика, фоточувствительный слой 2, который может быть получен пз известных высокочувствительных фотопроводниковых материалов, слой 3, полученный осаждением смеси паров мате риала с высокой степенью задержки зарядов,и изоляционный слой 4, которые расположены в указанном на рисунке порядке и связаны вединую структуру.3П р и мер 1, Для осагкдения паров используют резервуар со множеством раздельных и нагреваемых лодочек, Сплав селена и теллура (порошок), содержащий 40 мол.% теллура и используемый в качестве высокочувствительного материала, помещают в многие одинаковые лодочки, и сплав селепа и теллура, содержащий 16 мол.% теллура и используемый в качестве масериала с высокой степенью задержки заряда, помещают в одну лодочку. В испарителе располагают подложку из алюминиевого листа, после удаления воздуха все лодочки, содержащие сплав селен - теллур с 40 мол,% теллура, за исключением одной, используют последовательно с определенным интервалом времени для образования однородного слоя, содержащего некоторое количество теллура независимо от разности давлении паров селена и теллура. Получают слой из сплава селеп- - теллур толщиной 30 мк с содержанием теллура 40 мол,%, После этого оставшиеся две лодочки (лодочку со сплавом, содержащим 16 мол.% теллура, и лодочку со сплавом, содергкащим 40 мол.% теллура), используют одновременно для образования слоя 3 толщиной 1 мк, содержащего материал с высокой фоточувствительцостью и материал с высокой степенью задержки зарядов, на осагкденном слое из сплава селентеллур. Затем подложку вынимают из аппарата и на поверхности слоя 3 образуют изоляциошсый слой из поликарбоната толщиной 10 мк. Осаждение паров сплавов селен - теллур осуществляют при величине вакуума выше 5 г(10 - " мм рт. сг. При этом температуру в лодочках тщательно регулируют таким образом, чтобы осаждешю проходило со скоростью менее 0,1 мк/мип. С увеличением содержания теллура в сплаве необходимо увеличить температуру лодочки.Для зарядки поверхности изоляционного слоя 4 (величина заряда - 2000 в) используют коронный разряд. Зарядку поверхносси изоляционного слоя зарядом противоположной полярности осуществляют одновременно с экспонированием изображения в течение 0,2 сек с,освещенность 2 люкс на освещенных участках) с целью образования скрытого изображения на поверхности изоляционного слоя, соответствусощего экспоцированцому изображснисо и имеющего потенциал - 100 в на участках, соответствующих темным участкам экспонированного изображения, и потенциал +200 в на участках; соответствующих освещенным участкам экспопированного изображения. Скрытое изображение проявляют заряженным проявляющим порошком и затем печатают путем переноса. После переноса поверхность фоточувствительного материала очищают, оставшееся скрытое изображепие удаляют известным способом.На фиг. 2 показана зависимость между величиной экспозиции фоточувствительного материала и интенсивностью скрытого изобрачсения. Кривая а показывает, что интенсивность скрытого изображения достигает макси 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 бО 65 мум при величине освещенносгп экспонируемого изобрагкения примерно 3 люкс, и что дальнейшее увеличение освещенссосси не приводит к возрасташпо инте сивпостп снсрытого изображения,Если слой 3 содержит только 16 мол,% теллура, то невозможно получить скрытое изображение сравнимоц интенсивности без увеличс пня освещс.цности экспонируемого изображения в несколько раз. С другой стороны, когда фоточувствительный материал содержит фоточувствительный слой, состоящий только из сплава селен - теллур с содержанием теллура 40 мол.%, но не содержит фоточувствительного слоя из сплава с содержанием теллура 16 мол.%, разность в напряжениях ярких и темных участков экспонированного изображения мала и не может быть использована п 1 гактически. Фоточувствительный слой толщиной (1 мк, содержащий первый слой из сплава селец - теллур с содержанием 16 мол.% теллура и второй слой с содержанием 40 мол.% теллура, полученный осаждением паров на поверхность первого слоя, и фоточувствительный слой, содержащий первый слой из сплава селен - теллур с содержанием 40 мол.% селлу 1 га и второй слой с содержанием 16 мол,% теллу 1 га, сгсагкденныЙ на одну поверхность первого слоя до толщины слоя 1 мк, образуют скрытые изображения с более низкой интенсивностью, чем описанные выше слои. Ьолее того, чувствительность последнего фоточувствительцого материала низка и такой материал не может быть использован практически, Тонкий осажденный слой смеси, имеющий толщину около 1 мк, показывает хорошие характеристики, потому что такой фоточувствительный материал, как сплав селен - теллур, обладает очень высокой способностью к поглощению света. Почти все световые лучи поглощаются в поверхностном слое, так что свободные носители зарядов, возбужденные поглощенным светом, легко перемещаются па более далекое расстояние. В связи с этим толщину слоя 3 смеси необходимо устанавливать в зависимости от степени поглощения света.Кроме того, увеличение интенсивности полученного скрытого изображения можно достичь облегчением переноса носителей зарядов между частицами двух различных фоточувствительных материалов в смеси. Это может быть достигнуто термической обработкой,П р и м е р 2. Фоточувствительный материал, изготовленный по примеру 1, подвергают термической обработке ца воздухе при 65 С в течение 3 час. Скрытое изображение получают как в примере 1. Как показывает кривая б (см. фиг. 2), чувствительность скрытого изобрагкения увеличивается в 1,7 раза и появляется возможность улучшения репродукции промежуточных тонов,Термическая обработка понижает барьерный эффект, существующий мегкду частицами различных фоточувствительных материалов,(орректор Н. Ауь Изд. М 1398 И Государственного ко по лслагп изобре Москпа, Ж, Ра,.иса гс 1 и 15 1 ушская Типография, ир. Сапунова, и таким образом, способствуя более легкому переносу носителей зарядов. Следовательно, характеристики частиц двух различных материалов проявляются эффективно. Установлено, что воздействие термической обработки более эффективно с увеличением различия характеристик двух фоточувствительных мате 1 эиалов,Предмет изооретеи ил 1. Способ получения фоточувствительного материала путем нанесения па подложку фотопроводникогого слоя, фоточувствительного, задерэкивающего заряды слоя, обладающего внутренней исэллризаццей, и изоляционного слоя с вь.соки.ги изоляционными свойствами, отлич аэощий сл тем, что, с целью повышения фоточуиствительности материала, нанесе ние на подложку фотопроводникового слояведут осаждением паров сплава селеи - теллур, содерэкаи 1 его 40 мол.% последнего, а задержив а 1 ощего за р лды - путем одновременногоо осаждении иа полученный материал паров 10 сплава селси зеллуэ, содержащего 16 мол.%последнего, и паров сплава селен - теллур, содержащего 40 мол.4 теллура.2. Способ по и. 1, отличающийся тем,что полученный в процессе материал нагре вают при температуре -65 С не,)3 час.
СмотретьЗаявка
1491108, 28.10.1970
МПК / Метки
МПК: G03G 5/08
Метки: 417961
Опубликовано: 28.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-417961-417961.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">417961</a>