Всесоюзная iпате1тно-тгх1ш; екдв

Номер патента: 1602183

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Селиверстов, Третьяков

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллизации, момента, начала, раствора-расплава, температуры

Способ определения температуры и момента начала кристаллизации раствора-расплава по авт. св. N 1543319, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения момента начала кристаллизации раствора-расплава, после первоначального определения момента начала кристаллизации в расплав элемента III группы вводят дополнительное количество соединения AIIIBV для образования насыщенного раствора-расплава при температуре начала кристаллизации раствора-расплава, повторно перемещают раствор-расплав по поверхности кристалла AIIIBV со скоростью , где Vx и V'x скорости перемещения раствора-расплава при первоначальном...

Номер патента: 890907

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Колпаков, Контуш, Сердюк, Турецкий, Чемересюк

МПК: H01L 31/18

Метки: кадмия, пленок, сульфида, фоточувствительных

...супьфица кацмия.При нагревании пленки испопьзуютинтервал температур поцпожки 380-500 С,Гленка, нанесенная на подложку, нагретуюцо температуры, меньшей,389 С,мапо прозрачна и имеет низкую фоточувствитепьность. Это объясняется присутствием в обьеме пленки кпористогоаммония, образующегося в процессехимической реакции наряду с образованиемсупьфида кадмия. При температуре поцпожки из указанного выше интервапаН 4 СЕ попностью субпимирован.Испопьзование в данном способе спиртного раствора хпорица кацмия и тиомочевины взамен трациционного водногораствора, применявшегося в процессереактивного распыпения, способствуетбопее стабипьному режиму образованиямонописперсного аэрозопя, что в конечном счете привоцит к образованию напоцпожке более...

Номер патента: 1818362

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Авербах, Князьков, Скуратов, Яценко

МПК: C30B 29/50, C30B 7/14

Метки: кадмия, пленок, сульфида

...такие частицы, для которых свдиментация еще очень мала, свойства раствора еще близки к свойствам истинных растворов и условия зарождения, адгезии и роста пленок оптимальны: пересыщения невелики, зародыши малы поразмерам и равномерно распределены вобъеме раствора и по поверхности подложки, что и способствует повышению адгезии и качества пленок. Такие условия создаются как бы самопроизвольно в той части реакционного объема, который находится под подложкой в случае ее горизонтального илинаклонного расположения, т.е, защищен подложкой, Аналогичное воздействие на процесс роста пленок, по мнению заявителя, можно создать путем наложения на реакционный объем центробежного поля с определенной величиной ускорения на начальном этапе процесса...

Номер патента: 212238

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андреев, Гусаков, Данилков, Картушина, Погорелова, Сидоров, Томсон

МПК: C01B 17/20, C01B 19/00

Метки: металлов, селенидов, сульфидов

...например кадмий и серу (селен), загружают в виде кусков на дно кварцевого реактора 1 и опускают в разогре тую до 1100 - 1200 С печь 2, Пары серы конденсируются в верхней части реактора, жидкая сера стекает, где вновь испаряется, образуя постоянно поддерживающийся столб паров. Когда нижняя часть реактора нагре вается выше температуры кипения кадмия, начинается реакция синтеза,Сульфид образуется сначала непосредственно над поверхностью металла, а затем реакционная зона перемещается вверх. Синтез сульфида осуществляется в противотоке паров реагирующих элементов.Так как верхняя часть ампулы имеет температуру, ниже температуры кипения серы, окисления серы не происходит; кадмий, находящийся в нижней части реактора, защищен от окисления...

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...