Каравацкас

Номер патента: 1705798

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Айдукас, Каравацкас, Кнера

МПК: G03G 21/00

Метки: кистью, магнитной

...тока, знак которого противоположен основному знаку частиц используемоготонера, Под действием адгезионных и электрических сил частицы тонера с поверхности 9 притягиваются к частицам носителямагнитной кисти и перемещаются вместе с 50цилиндром 1 к валику 4, На полосы 7 валика4 подают напряжение постоянного тока такого же знака, как и на цилиндр 1,На поверхности полос 8 от трения о нож3 образуется трибозаряд, знак которого 55противоположен знаку. подаваемому на полосы 7,При вращении валика 4 полосы 7 взаимодействуют с магнитом расположенным на цилиндре 1, в результате чего увеличивается градиент магнитного поля, вытягиваются силовые линии, Это приводит "ворс"магнитной кисти в колебание, что облегчаетотделение частиц тонера от...

Номер патента: 1000992

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Баерас, Каравацкас, Круконене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...щ50 до 80:20, а соотношение окиси цинкаи общего количества сухого вещества от80:20 до 87,5: 12,5,Возникшие свободные радикалы ЦПК дспособны в условиях изготовления фотополупроводникового состава инициироватьреакции радикальной полимеризации черездвойные связи как в самом полимере,возникшие из-за реакций диспропорционирования при его синтезе, так и за счетследов мономеров, что приводит к увеличению молекулярной массы и к структурнымизменениям, в результате чего фотополупроводниковый слой становится более35равномерным, гладким и твердым по сравнению с контрольным образцом без инициатора, Гладкость фотополупроводникового слоя увеличивается на 50%, твердость - на 45%, что улучшает электри 40ческую и механическую прочность...

Номер патента: 934442

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Баерас, Дамбраускене, Каравацкас, Круконене, Пузинене, Саусенис

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...сухоговещества связующего - от 80:20 до87,5:12,5.Оптимальное соотношение компонен- Зф тов фотополупроводникового слоя(вес.7. сухого вещества);Окись цинка 83,31Силиконовая смола 8,33Акриловые сополимер 8, 33 И Динитрил азоизомасляной кислоты 0,03Динитрил азоизомасляной кисиоты способствует лучшему пленкообразованию фотополупроводникового слоя. Роль инициирующих количеств ДАК сводится к возможному образованию свободных радикалов, способных в условиях изготовления фотопроводящего состава45 и формования пленки инициировать попимеризационный процесс,.В результате возрастания молекулярной массы (что подтверждают вискозиметрические исследования силиконовых смол и акрило 50 вых сополимеров) и других структурных изменений образующаяся пленка...

Номер патента: 642406

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Баршкутите, Власова, Головков, Дракшас, Каравацкас, Нехайчук, Саусенис, Штрейс

МПК: D21H 1/28

Метки: бумаги, слоя, состав, фотополупроводникового, электрофотографической

...метакриловой кислоты с бутиловым эфиром метакриловой кислоты - 5 (смола АС МРТУ - 6-01 - 370 - 69); окись цинка - 87,5; сополимер бутилового эфира метакриловой кислоты с. 5% метакриловой кислоты - 5, Для этого 7,5 г сополимера амида метакриловой кислоты с бутнловым эфиром метакриловой кислоты растворяют в 120 мл толуола, затем вводят 87,5 г окиси цинка и 1,7 г метанитробензойной кислоты и диспергируют в течение 24 ч: Далее 5 г сополимера бутилового эфира с 5% метакриловой кислоты (смола БНК ТУ - 6 - 01- - 432-69) растворяют в 75 г органического рас.творителя (смесь ацетона с толуолом) .Вновь приготовленный раствор добавляют кполученной суспенэии и диспергируют в течение 12 ч,затем добавляют сенсибилиэатор и дисперги.руют еще в...

Номер патента: 614415

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Дракшас, Камалу, Каравацкас, Минкявичене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: гибкая, использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...Фольги промежуточным слоем ссоответствующим электрическим сопротивлением, препятствующим замыканиюкоронного тока на Фольгу при зарядкеЭлектрофотографической Пластины, Фотополупроводниковый слой наноситсяна поверхность промежуточного слоя.Промежуточный слой должен обладать 30хорошей адгезией к фольге и фотополупроводниковому слою и определеннымэлектрическим сопротивлением, ЭлектРическое сопротивление промежуточногослоя не должно превьнаать 10 ом м, 35чтобы не препятствовать рассеиваниюэлектрического заряда при освещениизаряженного Фотополупроводниковогослоя. Электрическое сопротивление промежуточного слоя менее 10" ом мм не Юпрепятсвует замыканию коронного тока.Цель изобретения - создание фотополупроводникового слоя,...