Пузинене

Номер патента: 1603336

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Валюс, Древницкене, Пузинене, Старосельский

МПК: G03G 9/08

Метки: магниточувствительного, однокомпонентного, проявителя, электрографического

...чего полученный порошок смешивают сжелезосодержащим мелкодисперсным порошком,например магнетитом, предварительнообработанным раствором синтанола вацетоне.1603336 ф о р м у л а изобретения Составитель Л.НосыреваТехред Л,Сердюкова Корректор Л,Патай Редактор И.Касардайв Заказ 3384 Тираж 371 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035 Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент" г.ужгород, ул. Гагарина,101 Обработку магнетита раствором синтанала в ацетоне осуществляют следующим обравом,100 вес.ч. измельченного магнетита загружают в механическую мешалку и и заливают раствором из 5 вес.ч синтанола АЛИО (ТУ-14-864-86), представляющего собой смесь...

Номер патента: 1000992

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Баерас, Каравацкас, Круконене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...щ50 до 80:20, а соотношение окиси цинкаи общего количества сухого вещества от80:20 до 87,5: 12,5,Возникшие свободные радикалы ЦПК дспособны в условиях изготовления фотополупроводникового состава инициироватьреакции радикальной полимеризации черездвойные связи как в самом полимере,возникшие из-за реакций диспропорционирования при его синтезе, так и за счетследов мономеров, что приводит к увеличению молекулярной массы и к структурнымизменениям, в результате чего фотополупроводниковый слой становится более35равномерным, гладким и твердым по сравнению с контрольным образцом без инициатора, Гладкость фотополупроводникового слоя увеличивается на 50%, твердость - на 45%, что улучшает электри 40ческую и механическую прочность...

Номер патента: 934442

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Баерас, Дамбраускене, Каравацкас, Круконене, Пузинене, Саусенис

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...сухоговещества связующего - от 80:20 до87,5:12,5.Оптимальное соотношение компонен- Зф тов фотополупроводникового слоя(вес.7. сухого вещества);Окись цинка 83,31Силиконовая смола 8,33Акриловые сополимер 8, 33 И Динитрил азоизомасляной кислоты 0,03Динитрил азоизомасляной кисиоты способствует лучшему пленкообразованию фотополупроводникового слоя. Роль инициирующих количеств ДАК сводится к возможному образованию свободных радикалов, способных в условиях изготовления фотопроводящего состава45 и формования пленки инициировать попимеризационный процесс,.В результате возрастания молекулярной массы (что подтверждают вискозиметрические исследования силиконовых смол и акрило 50 вых сополимеров) и других структурных изменений образующаяся пленка...

Номер патента: 614415

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Дракшас, Камалу, Каравацкас, Минкявичене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: гибкая, использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...Фольги промежуточным слоем ссоответствующим электрическим сопротивлением, препятствующим замыканиюкоронного тока на Фольгу при зарядкеЭлектрофотографической Пластины, Фотополупроводниковый слой наноситсяна поверхность промежуточного слоя.Промежуточный слой должен обладать 30хорошей адгезией к фольге и фотополупроводниковому слою и определеннымэлектрическим сопротивлением, ЭлектРическое сопротивление промежуточногослоя не должно превьнаать 10 ом м, 35чтобы не препятствовать рассеиваниюэлектрического заряда при освещениизаряженного Фотополупроводниковогослоя. Электрическое сопротивление промежуточного слоя менее 10" ом мм не Юпрепятсвует замыканию коронного тока.Цель изобретения - создание фотополупроводникового слоя,...