Номер патента: 336638

Авторы: Дейч, Лаврова, Нюнько, Плавина

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сониалистическик РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 09970 ( 394977/23-4)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 2.т/.972. Вюллетень4Дата опубликования описания 29 Х,1972 М. Кл. О 03 д 5/08 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРЗаявитель СЯДЯ ЭЛ ЕКТРОФОТОГРАФ И Ч ЕСКИ Й МАТЕР ИАЛ Изобретение касается электрофотографического материала, используемого для фотопластической записи информации.Известен электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки, слоя, содержащего неорганический фотополупроводник, и слоя из термопластического органического полимера.Такие слои имеют, как правило, неплохую фоточувствительность, но являются непрозрачными, так как толщина фотополупроводникового слоя (ФП) обычно составляет не менее 1 мк. Кроме того, фоточувствительность такой системы зависит от толщины фотополупроводника: чем больше его толщина, тем больше фоточувствительность.Кроме того, двойные ФП слои требуют подзарядки или заземления поверхности переменным коронным разрядом после экспонирования. Это вызвано необходимостью образования зарядного рельефа на поверхности слоя, так как продавливающие канавку электростатические силы зависят лишь от плотности поверхностных зарядов и зарядов экранирования, которая после экспонирования не изменяется.Цель изобретения - получение прозрачного однородного слоя.Эта цель достигается тем, что получен электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки, слоя, содержащего неорганический фотополупроводник, и термопластического слоя, состоящего из органического фотополупроводника и тер мопластического полимера (ТП) с низкой температурой размягчения.В качестве слоя неорганического фотополупроводника применяют слой селена толщиной 0,01 - 0,1 лтк.10 В качестве органических фотополупроводников, которые в композиции с термопластическим полимером с низкой температурой размягчения обнаруживают эффект фотоиндуцированной инжекции дырок из тонкого слоя 15 неорганического полупроводника (селена, соленида мышьяка и других) применяются, например, поли-Х-винилкарбазол (ПВК) и его производные, поли-М-винилдифениламин и его производные и другие.20 В качестве термопластических полимеров снизкой температурой размягчения может быть применен целый ряд веществ: композиция полиэтилена с парафином, полиариленовые эфиры, канифоль, сополимер стирала с 25 метилметакрилатом, полибутилметакрилат вкомпозиции с эпоксидными и кремнийорганпческими смолами и т. д.Двойной слой может работать также прииспользовании не только тонких пленок 30 аморфного селена. В режиме фотоиндуциро336638 Составитель Э. Рамзова Техред Л. Евдонов Корректор Л, Бадылама Редактор Л. Герасимова Заказ 1499/4 Изд, Мо 607 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Сввете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ванной инжекции работаег также селении мышьяка в сочетании с композициями ПВК-ТП. Могут быть найдены и другие пары материалов для изготовления двойного, прозрачного электрофотографического слоя для фототермопластической записи. Однако каждая пара материалов - неорганический-органический фотополупроводпик - является индивидуальной,В качестве термопластика может быть использован сополимер стирола с бутадиеном, с добавками некоторых пластификаторов. В композиции ПВК-ТП оптимальным является соотношение компонент от 6: 4 до 9: 1, При этом с ростом концентрации ПВК-ТП фото- чувствительность возрастает, однако повышается температура размягчения.Чтобы осуществлялась фотоиндуцированная инжекция из аморфного селена в композиции ПВК-ТП, необходимо поверхность слоя заряжать отрицательным зарядом. Экспонироваться слой может как со стороны подложки, так и со стороны свободной поверхности. При этом из-за тонкости фотополупроводникового подслоя в экспонированных участках заряд экранирования не только переходит на границы фотополупроводник - термопластик, но и рекомбинирует с зарядом поверхности, Это значительно облегчает процесс теплового проявления скрытого изображения, исключая операцию заземления поверхности переменной короной,Кроме того, слои могут выдерживать многократный нагрев до температуры 90 - 130 С, при этом тонкий слой аморфного селена, покрытого слоем композиции ПВК-ТП, не изменяет своих первоначальных свойств.Изготовленные слои обладают высокой фоточувствительностью, требуется экспозиция 10 - 30 лк сек для модуляции потенциала ЛУ= 0,3 (при тол щин ах 5 е 0,02,як, ПВК-ТП 5 мк).Такой двойной слой был прозрачен и имеет желтовато-оранжевую окраску. Максимум фоточувствительности находится в обл асти 450 мк. П р и и е р. На стеклянную подложку, покрытую проводящей прозрачной пленкой двуокиси олова, в вакууме (10 4 н,н рт. ст.) напыляют тонкий, прозрачный слой аморфного 5 селена (0,02 мк), при температуре подложки75 С, Затем в бензольном растворе готовят полимерную композиции, содержащую 70% полиЧ-винилкарбозола и 30 о/о сополиме 1 эа стирала с дивинилом с добавкой полиоргано силоксанов в качестве пластификатора.Из раствора полученную полимерную ком.позицию наносят методом полива на тонкую пленку селена, Толщина полимерного покрытия 5 мк. Затем образцы высушивают в ва куумном сушильном шкафу при температуре50 С в течение 12 час.Полученный таким образом электрофотографический слой может быть использован для фототермопластической записи. При этом 20 он проявляет максимальную фоточувствительность при зарядке отрицательным коронным разрядом, так как только в этом случае наблюдается фотоиндуцированная инжекция дырок. Величина фоточувствительности равна 25 20 лк сек (количеспво света, необходимоедля уменьшения потенциала на 50%), Начальный потенциал слоя составлял 800 в.Температура размягчения слоя 55 С. Предмет изобретения1. Электрофотографический материал, состоящий из электропроводящей подложки слоя, содержащего неорганический фотополупроводник, и термопластического слоя, отла чаюиийся тем, что, с целью получения прозрачного, однородного носителя записи, применен термопластический слой, состоящий из органического фотополупроводника и термопластического полимера с низкой температу рой размягчения.2. Материал по п. 1, отличающийся тем,что в качестве слоя неорганического фотополупроводника применен слой селена толщиной 0,01 - 0,1 лск.45 3. Материал по пп. 1 и 2, отличающийсятем, что в качестве органического фотополупроводника применен поли-К-винилкарбазол.

Смотреть

Заявка

1394977

Л. И. Нюнько, Г. М. Дейч, Л. И. Лаврова, И. Плавина

МПК / Метки

МПК: G03G 5/08

Метки: сидаравичус

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-336638-i-d-b-sidaravichus.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">И. -д. б. сидаравичус</a>

Похожие патенты