Чернышевского
424870
Номер патента: 424870
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Белецка, Названов, Научно, При, Роках, Физики, Чернышевского
Метки: 424870
...ц комцоы в следующих колиобщему весу, %; Изобретение относится к обния фотопроводящих пленок д.ствующих переклочателей.Известен состав для получения фотопроводящих пленок на основе сульфида ц селенида кадмия, активированных хлоридом .1 елц. Однако такой состав це обеспечивает получение малоинерционных фоточувствительных пленок с линейными люкс-амперцыми характеристиками в широком интервале освещен ности до 100000 лк.Предложенный состав отличается тем, что хлорид меди введен в смеси с хлоридом кобальта в виде водного раствора, ц компоненты состава применены в следующих коли чествах по отношсншо к общему весу, %:Сульфид и селенид кадмця 89,2 - 97,1 Хлорид меди 2 - 9Хлорид кобальта 0,9- 1,8Это обеспечивает уменьшение времени фо...
Способ измерения скорости образования и толщины пленок
Номер патента: 325482
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Биленко, Галишникова, Научно, При, Пылаев, Смирнов, Физики, Чернышевского
МПК: G01B 11/06
Метки: образования, пленок, скорости, толщины
...затем облучают указанную решетку внешним когерентным источником излучения и регистрируют из 3был бы порядка 10 - 100 Х, где Х - длина волны лазерного излучения. Кроме того, четкоеразделение максимумов и минимумов интенсивности в дифракционной картине зависит отчисла периодов решетки. Решетка, состоящаятолько из одной полоски окисла, окруженнойосновной подложкой кремния, дает достаточно четкую дифракционную картину распределения интенсивности.В процессе селективного эпитаксиальногонаращивания, когда пленка растет только наоткрытых участках кремниевой подложки и нерастет на окисле, будет происходить изменение фазы луча, отраженного от подложки. Фаза же луча, отраженного от окисленного участка, изменяться не будет. Таким...