Паландузян

Номер патента: 1089051

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Аванесян, Извозчиков, Паландузян

МПК: C01G 21/10

Метки: фотоэлектрически, чувствительного

...напыления, При вакууме 10 мм рт.ст. прогревают подложку в течение 1 ч при 60 С. Затем в подколпачное устройство вводят кислород до давления 510 Змм рт,ст, При заданном давлении кислорода расплавляют оксид свинца (11) и производят напыление его на установленную на расстоянии 50 мм от испарителя подложку,Полученный слой оксида свинца (11) обжигают в муфельной печи или в атмосфере кислорода прн 100-480 С сосскоростью 10 С/мин. При соблюдении этих условий на подложке получают слой сурика толщиной 1 О мкм.Затем порошок химически чистого сурика измельчают и прокаливают для вьпзаривания из него влаги при 350- 400 С в течение 45-60 мин и засыпают в стеклянный стакан с органическим связующим - полибутилметакрилатом в соотношении, мас,7.;3...

Номер патента: 1011528

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Извозчиков, Лаптев, Паландузян

МПК: C01G 21/10

Метки: слоев, сурика, фотоэлектрически, чувствительных

...1 ч при 60 С. Затем в подкол- го слоя составляет 410-650 нм, инте" пачное устройство вводят кислород до гральная фотоэлектрическая чувствидавления 5 10 Змм ртст. При заданном 2 о тельность по сравнению с прототидавлении кислорода расплавляют окись пом возрастает в 9 раз. .свинца и напыляют ее на установленную . П р и м е р 3. Условия получения на расстоянии 56 мм подложку. , и обжига окиси свинца для образоваПолученный слой полиморфной окиси ния слоя сурика такие же, как в при" свинца обжигают в муфельной печи или 2 з мере 1. При загрузке шихты 800 мгов атмосфере кислорода при 100-480 С получаемый слой сурика имеет толщисо скоростью 10 оС/мин. При соблюдении ну 50 мкм.этих условий на подложке получаютПолученный слой сурика размещают...

Номер патента: 1011500

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Извозчиков, Коршунов, Паландузян, Рымкевич

МПК: C01G 21/10

Метки: слоев, сурика, фотоэлектрически, чувствительных

...автоклав, напускают в автоклав кислород ЗО и производят изотермическую выдержкуслоя при 200 С и давлении кислорода 150 атм, Слой обжигают в течение 30 - 45 мин. После обжига проводят стабилизирующий отпуск слоев сурика при 50 С в течение 2 ч, В течение этих 2 ч уменьшают 35 давление кислорода в автоклаве до атмосферного. 40 45 После обжига проводят стабилизирующий отпуск слоев в течение 3 ч при 100 С.В течение этих же 3 ч уменьшают давление кислорода в автоклаве до атмосферного.Величина адгезии полученного слоя сурика составляет 68 г, слой выдерживает среднее электрическое поле по всей поверхности до 10 В/см.Пример 3, Слой окиси свинца помещают в автоклав, напускают в автоклав кис дород и производят изотермическую выдержку слоя...

Номер патента: 577507

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Богословский, Извозчиков, Паландузян

МПК: G03G 5/08

Метки: слоев, электрофотографических

...пространство между микрокристалликами слоя, уменьшая ;о гористость. Ю Последнее контролируют визуально по отражательной способности слоя. Нанесение парафина прекращают до наступления резкого повышения отражательной способности слоя при увеличении толщир 8 ны на 5. Таблица 2 Данные РДА о фазовом составе слоя,полученного предлагаемым способом,4/и эксп. ике Вещество Фазовый состав 1 эксп,Р 1 Оз 4Р 8 О 110 6,23 101 3,353.112,031.755 3 4.Р 1 О Сурик 220 411 СЛ 3 4 332 Сурик 3 4 3 4 114 1. 586 1.468 600 О,С П р и м е р 2. Условия получения иотжига слоя окиси свинца такие, как ив примере 1. Температура обрабатывае- )(мого парафином слоя 660 К, что несколько повышает скорость обработки слоя,использование предлагаемого способа получения...

Номер патента: 513936

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Извозчиков, Паландузян

МПК: C01G 21/10

Метки: слоев, сурика, фотоэлектрически, чувствительных

...фотоэлектрической чувствительностью, например, при освещении слоя белым светом 50 - 5 10 люкс, темновой ток резко увеличивается в 10 - 10 раз соответственно при удельном сопротивлении обраца" Ом см и приложенном к нему полеЕ= 10 В/см,5 По предлагаемому способу можно получитьслои сурика РЬз 04 на полупрозрачной проводящей подложке пз окиси олова ЯпОъ чтодает возможность более глубоко исследоватьфотоэлектрические явления в слоях сурика и10 практически использовать пх в качестве фотопроводящей мишени телевизионных передающих трубок типа впдикон.Прим ер 1. Берутмг порошкообразной химически чистой окиси свинца и засы 15 пают ее в платиновую лодочку испарителявакуумной установки для напыления. Привакууме 10 - 5 мм рт. ст. прогревают...