Датчик магнитного поля

( 1) 574 О 12 Союз Советских Социалистических РеспубликОп ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51) М, Кл,с присоединением заявкиЦ 01% 33/02 Гасударственный камнтет Сааатв Министраа СССР па делам нзааретений н аткрытий(45) Дата опубликования описаиия 22,06.78(72) Авторы изобретения Специальное проектно-конструкторское и технологическое бюро малых электрических машин Обьединения Эльфе"(54) ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ 1Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной техники. Известны датчики магнитного поля, выполненные в виде полупроводниковой гластины с контактами, присоединенными к торцам ее, и с областями, имеющими различные скорости поверхностной рекомбинации носителей тока 11 .Однако у известных датчиков вследствие зависимосги свойств полупроводника от температуры недостаточны точносгь преоб разования и чувствительность к магнитному полю.Бель изобретения - повышение чувствительности и точности преобразования.Это досттггается тем, что в датчике магнитного поля, содержащем полупроводниковую пластину с выходным электродом, а токовыми контактами, установленными а ее торцах, и противоположно ориентированными областями с повышенными скорос гями поверхнос птой рекомбинации носете 2лей тока, каждая иэ двух параллельныхграней пластины между ее торцами выполнена в виде двух равных между собой областей с различными скоростями поверхбностной рекомбинации носителей тока, причем области с одинаковыми скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока расположены на этих гранях у противоположных торцов пластины.На чертеже изображен предлагаемый датчикОн содержит полупроводниковую пластину1, к торцам 2 которой присоединены токо вые контакты 3. Каждая из двух параллельных граней 4 и 5 пластины 1 имеет области 6 и 7 с различными скоростямн поверхностной рекомбинации носителей тока (СПРНТ), причем области 7 с повышенными рр СПРНТ расположены на гранях 4 и 5 укаждого из противоположных торцов 2 пластины 1, между областями 6 и 7 расположен выходной электрод 8. Области 6 с малыми СПРНТ условно обозначены плоша Э дио, ограниченной внутри пластины пункти. Папи орько дак Тираж 1112енного комитета Совета Мизобретений и открытийа, Ж, Раушская набд. э 3307/4БНИИПИ Государспо делам113035, Мос Подписное инистров СС лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Пров 57 ром, а области 7 с повышенными СПРНТ условно обозначены утолщенными линиями,Датчик работает слепуюшим образом,При воздействии магнитного поля, параллельного граням 4 и 5 на пластину 1 по которой между контактами 3 протекает электрический ток, происходит перераспрепеление носителей тока в сечении между этими гранями, В результате перераспределения у областей 7 с повышенными СПРНТ концентрация носителей тока практически не меняется, а у областей 6 с малыми СПРНТ изменяется таким.образом, что при увеличении концентрации носителей тока у одной области 6 их концентрация у другой области 6 уменьшается.Средние концентрации носителей тока также изменяются по сечению пластины 1 между областями 6 и 7 по разному - в се чении между одной парой укаэанных областей средняя концентрация носителей тока увеличивается, а в сечении между другой парой - уменьшается, Изменения сопротивлений участков пластины 1, обусловленные противоположным изменением средних кон. центраций носигелей тока в сечениях этих участков, меняются пропорционально значениям напряженности магнитного поля, воз-. действующего на датчик. Квадратичные составляющие изменения сопротивлений уча 4стков пластины 1 и температурные изменения их параметров взаимно компенсируют- ся, так как выходной электрод 8 установлеи в средней зоне пласгины 1 между областями 6 и 7 с различными СПРНТ. Формула изобретения0 атчик магнитного поля, содержащийполупроводниковую пластину с выходнымэлектродом, с токовыми контактами, установленными в ее торцах, и противоположноориентированными областями с повышенными скоростями поверхностной рекомбинацииносителей тока, о т л и ч а ю ш и й о ятем, что, с целью повышения чувсгвительности и точности преобразования в немкаждая иэ двух параллельных граней пла-.стины между ее торцами выполнена в видеи двух равных между собой областей с раэличными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, причем областис одинаковыми скоростями поверхностнойрекомбинации носителей тока расположеныл на этих гранях у противоположных торцовпластины,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Авторское свидетельство СССР30 Мо 356731, С 01 Й 33/02, 1970,