Датчик магнитосопротивления

Номер патента: 470772

Автор: Сафинов

ZIP архив

Текст

Со 1 оз Советскик Социалистических Республик(51) М. Кл. С 01 г 33/06 Государственный комитет Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий(72) Автор изобретения Ш. С. Сафинов Уфимский авиационный институт им, Орджоникидзе(54) ДАТЧИК МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров магнитного поля или в качестве чувствительного элемента в устройствах информационно-измерительной техники и автоматики.Известные датчики магнитосопротивления, в которых для уменьшения температурной погрешности и влияния разброса параметров материала четыре магииторезистора соединены в мостовую схему и расположены на одной подложке, отличаются трудностью экранирования двух магниторезисторов из четырех от действия магнитного поля. Практически трудность заключается в балансировке схемы, так как введение дополнительных балансировочных элементов снижает термостабильность, с помощью мостовой схемы невозможно получение высокой температурной стабильности. Для упрощения конструкции, повышения термостабильности и надежности предлагаемый датчик выполнен в форме параллелепипеда, иа четыре грани которого нанесен слой и пи торез исти в 1 юо м а 1 ср 1 ал 1 с ) аска ми на рсбрах этих граней, делящих магниторезистивный слой иа равныс части, и с металлическими контактами иа двух других гранях датцика. На чертеже показана конструкция предлагаемого датчика.Датчик магнитосопротивления состоит изподложки 1 в форме параллелепипеда из фер родиэлектрика с нанесенным иа четыре ее грани слоем магниторезистивного материала 2 и металлизацией 3. Четыре ребра граней имеют фаски 4, благодаря которым грани с слоем магниторезистивного материала образуют 10 остовую схему.Если датчик находится в магнитном полетак, что его вектор перпендикулярен одной из четырех рабочих граней, то при изменении величины индукции магнитного поля изменяет ся сопротивление только двух граней с слоеммагниторезистивного материала. Сопротивпение двух граней не изменяется, так как их плоскость параллельна вектору магнитного поля.Предлагаемая конструкция датчика позво ляет осуществить балансировку вращением еговокруг своей оси симметрии, перпендикулярной двум граням со слоем магниторезистивного материала, относительно вектора магнитного поля и имеет высокую термостабильность 25 и надежность, потому, что все элементы мостовой схемы выполнены из одного и того же материала за одну технологическую операцию нанесения магниторезистивного материала на подложку в форме параллелепипеда,470772 Предмет изобретения Составитель Н. ДанилинРедактор И. Шубина Техред О. Гуменюк Корректор Л. Денисова Заказ 1994/13 Изд, Мв 1436 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, 1 аушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 Датчик магнитосопротивлепия, содержащий четыре магпиторезистора на подложке, включенные по мостовой схеме, о тл и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения конструкции, повышения термостабильности и надежности,датчик выполнен в форме параллелепипеда, на четыре грани которого нанесен слой магниторезистивного материала с фасками на ребрах этих граней, делящих магниторезистив пый слой на равные части, и с металлическими контактами на двух других гранях датчика.

Смотреть

Заявка

1961839, 01.10.1973

УФИМСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. ОРДЖОНИКИДЗЕ

САФИНОВ ШАМИЛЬ САИДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 33/095

Метки: датчик, магнитосопротивления

Опубликовано: 15.05.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-470772-datchik-magnitosoprotivleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик магнитосопротивления</a>

Похожие патенты