Магниторезистивный датчик

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельства Я -33,1971 (И 164011718 Заявле исоединснисм заявки Комитет по дела риоритет аобретеиий и открытийпри Совете 1 ЛинистооеСССР ДК 621.317.44 (088 Б 1 оллетсш Опубликовано 22.33,1973 ия описания 28 Х.1973 Дата опублик 4 в"горызобр етеп ия Ротарь и 3 О. А. Козлов ахманов,сковский ордена Ленина авиационный институт им, Серго Орджоникидзеявитсль ВНЫЙ ДАТЧИК МАГИ ИТОР Магниторезистивный датчик предназначен для использования в устройствах автоматики и вычислительной техники, а также в системах управления, контроля и измерения.Известны элементы, чувствительные к магнитной индукции, основанные на изменении электрического сопротивления, например магниточувствительные сопротивления. на базе которых разработаны магниторезистивные датчики.Кратность изменения электрического сопротивления таких чувствительных элементов не может быть больше кратности изменения удельного сопротивления использусмого материала, которос определяется его физической природой.Получение непрерывной зависимости кратности изменения выходного напряжения от геометрических размеров элемента связано с трудностями подбора пары матерна-ов, один из которых при действии магнитного поля увеличивает, а другой уменьшает сопрогивленис электрическому току, и соединения двух ра:породных полупроводниковых слоев.Предложен магниторезистивный датчик, выполненный в виде прямоугольного бруса, в котором перпендикулярно к поверхности бруса расположен выступ, например Г-обраанои формы, на боковой стороне основания которого, перпендикулярно расположенной к плоскости бруса, нанесен третий омический контакт.На чертеже показана конструкция магниторезистивного датчика (стрелками показано направление магнитного поля).Внешние омические контакты 1 а 2 равноправны при включении датчика в электрическую цепь, а третий омический контакт 3 является общим при включении датчика в электрическую цепь.Датчик представляет собой линию передачис переменными параметрами элекгрическои энергии от источника 4 к сопротивлению 5 нагрузки. Параметры, определяющие внутреннис потери электрической энергии в линии, зависят 1;, от напряженности магнитного поля в окружающем линию пространстве. Если потери энергии в линии малы, то мало и пада ощее на ней напряжение, а напряжение, выделяющееся на сопротивлении Б нагрузки, составляет существенную часть напряжения питания.Прп больших потерях электрической энергии, т. е. при большом падении напряжения в линии, напряжение, выделяющееся на зажимах сопротивления нагрузки, составляет значительно меньшую часть напряжения питания. Отношение напряжения на сопротивлении нагрузки в первом случае к напряжению на том же сонротивлеции во втором, принято называть кратностью изменения выходного напряжезо цив.371539 Предмет изобретения Составитель Л. Устинова хред Л, Богданова Корректоры Н, Стельмах и Г. Агав едактор Т. Рыбалова Заказ 1944 Изд. М 1219 Тираж 755 ПодписноеЦНИИПИ Когвитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская ааб., д. 4/5 1, тпп. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли Магниторезистивный датчик выполняют из однородного материала феррита, у которого знак изменения омического сопротивления при воздействии магнитным полем зависит от взаимной ориентации линии протекающего по ферриту электрического тока и магнитного поля. При наложении магнитного поля, направленного параллельно линиям электрического тока, омическое сопротивление феррпта возрастает, а при наложении магнитного поля перпендикулярно к линиям тока уменьшается. Такое конструктивное выполнение обеспечивает параллельность линии тока, протекающего от контакта 1 к контакту 2, и перпендикуляр- ность линии тока, протекающего к контакту 3, к направлению магнитного поля, пр 1 ложенного к датчику,Магниторезистивный датчик из полупроводникового материала, выполненный в виде бру са, например, прямоугольного сечения, на каждый торец которого нанесен омический контакт, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывной зависимости кратности изменения выходного напряжения от длины датчика 1 О и повышения чувствительности, пер ",ендикулярно к поверхвости бруса расположен выступ, например, Г-образной формы, на боковой поверхности основания которого, перпендикулярно расположенной к плоскости бруса, нанесен 15 третий омический контакт.