Способ изготовления фольговых тензорезисторов

Номер патента: 993009

Авторы: Андронов, Конева, Лепорский, Петрова, Цывин

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик р 11993009(22) Заявлено 290981 (21) 3342394/25-28 с присоединением заявки М 9 -0 01 В 7/18 Государственный комитет СССР по. делам изобретений и открытий(088. 8 ) Дата опубликования описания 30. 01. 83 А.А.Цывин, А.Р.Лепорский, В.З.Петрова, Б,Н,А(54 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОЛЬГОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Недостатком известного способаявляется невозможность изготовления на его основе фольговых тензорезис-.торов с рабочей температурой выше 350 аС, что обусловлено способностью тенэорезистивных фольг подвергаться окислению при температурах выше 45 дС.25 Второй недостаток заключается внеобходимости использования двух различных по составу стекол, что усложняет и удорожает технологический процесс изготовления тенэорезистоЗ 0 ров. Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных фольговых тензорезисторов и резисторов на металлической основе.Известен способ изготовления высокотемпературных проволочных тензорезисторов, заключающийся в том, что на,металлическую основу газо- пламенным напылением наносят первый слой диэлектрика из жаростойких окислов, закрепляют в слое фиксирующие штыри, укладывают между штырями тенэореэистивнуюпроволоку в форме меандра, образуя решетку тенэорезистора, напылением наносят второй слой диэлектрика из жаростойких окислов для закрепления решетки к первому слою и изготавливают выводы11.Недостаток известнотЪ способа заключается в сложности обеспечения технологических режимов, позволяющих получать воспроизводимые, контролируемые слои жаростойкого окисла с равномерной толщиной, что обусловливает разброс метрологических характеристик тензореэисторов в партии. Кроме того, способ трудоемок, требует применения специального оборутования и исключает возможность использования групповых методов изготовления.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ изготовления фольговых тензорезисторов, заключающийся в том, что на металлическую основу наносят слой диэлектрика нз стекла, затем на нем размещают тензорезистивную фольгу, соединяют их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фотогравируют тензорезисторы, герметиэируют их вторым слоемдиэлектрика из стекла другого состава и изготавливают выводы 2.Цель изобретения - расширение температурного диапазона тензореэисторов.укаэанная цель достигается тем,что согласно способу изготовленияфольговых тензорезисторов, заключающемуся в нанесении на металлическуюоснову слоя диэлектрика, размещениена нем тензореэистивной фольги, соецинении их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фотогравирование тензорезисторов, герметизации их вторым слоем диэлектрикаи изготовлении выводов, в качестве,циэлектрика используют ситаллоцементтензорезистивную Фольгу перед соединением защищают бт окисления ситал,лоцементом того же химического состава, что и для,изоляции тенэорезисторов от основы, соединяют тенэорезистивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие игерметизируют открытые поверхноститензорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава. 25На чертеже показана последовательность основных технологическихопераций предлагаемого способа.Способ осуществляют следующимобразом. 30На одну из сторон металлическойосновы 1, например из сплава НМ 23 ХЮтолщиной 100 мкм, наноаят электрофоретическим способом слой 2 ситаллоцемента толщиной 20 мкм, укладывают на этот слой тенэореэистивнуюфольгу из сплава НМ 23 ХЮ толщиной5 мкм, которая предварительно защищается от окисления защитным покрытием 4 ситаллоцемента того жехимического состава, что и для изоляции тензорезйстивной фольги 3от основы, соединяют тензорезистивнуюФольгу 3 с основой 1 через слой 2зиталлоцемента под давлением притемпературе кристаллизации ситаллоцемента, после чего путем травления удаляют с Фольги 3 защитное покрытие из ситаллоцемента 4. Далеепроводят фотогравировку рисунка тенэорезисторов 5 и открытие поверхности тензорезисторов герметизируют,слоем 6 ситаллоцемента толщиной 15 мкмтого же химического состава,После этого в герметиэирующемслое б ситаллоцемента вскрывают окна 557 и 8 для разрезки на отдельные тенэорезисторы и под электричеекие контакты, приваривают электрические выводы 9 и разрезают основу 1 для образования отдельных тензорезисторов 10.Предлагаемый способ может найти применение при изготовлении групповыми методами высокотемпературных фольговых тензорезисторов и резисторов на металлической основе со стабильными метрологическими характеристиками для рабочих температур 600 С и вьме. Использование способа позволит упростить технологию изготовления высокогемпературных тензорезисторов за счет использования од" ной марки ситаллоцемента для изоляции тензореэисторов от основы, защиты тенэорезистивной Фольги от окисления и герметизации тензореэисторов.Формула изобретенияСпособ изготовления фольговых тензоргзисторов, заключающийся в том, что на металлическую основу наносят слой диэлектрика, затем на нем размещают тенэорезистивную фольгу, соединяют их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фото- гравируют тензореэисторы, герметизируют их вторым слоем диэлектрика и изготавливают выводы, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью рас-ширения температурного диапазона ,тензорезисторов, в качестве диэлектрика используют ситаллоцемент, тензорезистивную фольгу перед соединением защищают от окисления ситаллоцементом того же химического состава, что и для изоляции тензорезисторов от основы, соединяют тензорезистивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие и герметизируют,открытые поверхности тенэорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Ильинская Л.С. и др. Высокотемпературные тензореэисторы на основе жаростойких окислоВ. М., "Энергия", 1973, с. 19-21,2. Авторское свидетельство СССР9 815479, кл. С 01 В 7/18, .1981/53 Тираж 600 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва, .Ж, Раушская наб., д. 4/ Заказ 439 Филиал ППИ "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектна

Смотреть

Заявка

3342394, 29.09.1981

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И КОНСТРУКТОРСКИЙ ИНСТИТУТ ИСПЫТАТЕЛЬНЫХ МАШИН, ПРИБОРОВ И СРЕДСТВ ИЗМЕРЕНИЯ МАСС

ЦЫВИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЛЕПОРСКИЙ АЛЕКСАНДР РОСТИСЛАВОВИЧ, ПЕТРОВА ВАЛЕНТИНА ЗАХАРОВНА, АНДРОНОВ БОРИС НИКОЛАЕВИЧ, КОНЕВА ОЛЬГА ЕГОРОВНА

МПК / Метки

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезисторов, фольговых

Опубликовано: 30.01.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-993009-sposob-izgotovleniya-folgovykh-tenzorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления фольговых тензорезисторов</a>

Похожие патенты