C30B 7/10 — применением давления, например гидротермическими способами
Гидротермальный способ получения монокристаллов твердых растворов sb(sb nb )о
Номер патента: 1754806
Опубликовано: 15.08.1992
Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч
МПК: C30B 29/30, C30B 7/10
Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых
...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...
Способ получения фосфатов элементов iii группы гидротермальным методом
Номер патента: 1773953
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Димитрова, Пополитов, Стрелкова, Ярославский
МПК: C30B 29/14, C30B 7/10
Метки: гидротермальным, группы, методом, фосфатов, элементов
...и перехода ее в раствор. При Снз го 450 мас.% скорость растворения 1 а(ОН)з мала, что лимитирует образование насыщенного раствора. При Снз ро 460 мас,% происходит образование побочной фазы, что снижает выход основного продукта. Давление жидкой фазы в системе 1 а(ОН)з - НзРО 4 - НгО точно соответствует "граничному" давлению, при котором образуется только ортофосфат лантана, а не его метафосфат. При давлении ниже 0,8 МПа наряду с ортофосфатом лантана происходит кристаллизацияа(ОН)з, что снижает выход основного продукта.Превышение давления 1,5 МПа ведет к смещению реакции образования ортофосфата лантана в сторону кристаллизации метафосфата лантана. Отношение жидкой и твердой фазы необходимо для полноты протекания реакции взаимодействия...
Способ выращивания монокристаллов бромистого свинца р в
Номер патента: 1778202
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин
МПК: C30B 29/10, C30B 7/10
Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца
...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...
Способ гидротермального получения сложного оксида висмута и элемента iy группы
Номер патента: 1816812
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Ананьев, Дроздова, Дунин-Барковский, Кожбахтеев, Коляго, Рез, Шувалов
МПК: C30B 29/22, C30B 7/10
Метки: висмута, гидротермального, группы, оксида, сложного, элемента
...системы с нитратом висмутом, Процесс синтеза ведут при температуре 50-120 С, помещая в стеклянный или фторопластовый сосуд шихту, залитую дистиллированой водой. Время синтеза 12 - 24 часа.Сущность изобретениячто введение в шихта висмутта, а не оксида, позволяет ованной воде, при атмосфернои при мягкой температуре -Как видно из табл. 1, до 50 С выход вещества очень низок, в интервале 80- 100 С он резко возрастает, далее поднимаясь при 110 - 120 С практически на один уровень. Однако; дальнейшее повышение температуры приводит к необходимости применять дорогостоящую автоклавную аппаратуру, что экономически нецелесообразно,В табл. 2 приведены примеры получения кислородных соединений висмута с элементами Ч группы. Это эвлитин В 49 зОг,...
Способ получения синтетического аметиста
Номер патента: 1834920
Опубликовано: 15.08.1993
МПК: C30B 29/18, C30B 7/10
Метки: аметиста, синтетического
...примеси, которая полностью блокирует рост кварца,П р и м е р. В автоклав гидротермаль ного синтеза помещали: в нижню 1 о зону - кварц-шихту с добавками гематитэ из расчета 30 г/л раствора ; фторида лития г/л раствора и бифторида калия - 20 г/л раствора; в верхнюю зону подвешивают кварцевую затравку базисного среза, После заливки автоклава раствором добав 1 . 2 Поверхность регенерации, грубый рельеф, Большое количество проколов" .Струйчатость в распределении окраскиЧасть поверхности имеет регенерационный рельеф, другая часть - рельеф типа "булыжной мостовой", Отдельные глубокие "проколы".Поверхность розная, типа "булыжной мостовой". Наросший слой без видимых дефектов. Распределение окраски равномерное. Поверхность ровная, типа...
Способ получения окрашенных кристаллов кварца
Номер патента: 1834921
Опубликовано: 15.08.1993
МПК: C30B 29/18, C30B 7/10
Метки: кварца, кристаллов, окрашенных
...красно-фиолетовый оттенок, что приближает кристалл по ювелирной ценности к лучшим сортам природного аметиста. Во втором случае одновременно присутствуют два типа центров желтой окраски. Оттенок в обоих случаях можно варьировать, изменял концентрацию галлия в растворе и дозу облучения.Уменьшение концентрации Ге(ЙОз)з менее 0,5 г/л снижает окислительный потенциал раствора, что приводит к образованию вышеуказанной тоуднорастворимой сили 3+катной фазы и Оэ выводится из раствора. Увеличение концентрации азотнокислого железа свыше 1,5 г/л приводит к тому, что насыщение Оа затрудняется из-за интенз+сивного вхождения железа в кристалл. При концентрации Оа(ИОз)з менее 10 мг/л влияние центров желтой окраски становится малозаметным, а при...
Способ получения окрашенных кристаллов кварца
Номер патента: 1834922
Опубликовано: 15.08.1993
Авторы: Булавин, Залетаева, Колобов, Юдин
МПК: C30B 29/18, C30B 7/10
Метки: кварца, кристаллов, окрашенных
...1 табл. верхности кристалла, Одновременное вхождениев состав кристалла двухвалентных ионов железа и ионов кобальта обеспечивает сине-зеленую окраску кристаллов кварца. Поскольку указаннь(е ионы входят в состав растущего кристалла кварца неструктурно, то обеспечивается возможность варьированияоттенка кристалла путем изменения концентрации раствора и количественного содержания добавок, Добавки окиси кобальта менее 0,02 г/л не дают ощутимого изменения оттенка зеленого цвета, а при концентрации более 2 г/л окись кобальта перестает растворяться в водном растворе карбоната калия с добавкой карбоната натрия.Получение кристаллов кварца сине-зео цвета возможно при концентрации з от 5 до 10%, Ма 2 СОз от 5 до 15 г/п.зо вводили в виде опилок....
Автоклав
Номер патента: 1759044
Опубликовано: 20.08.1995
Авторы: Мурашев, Олейник, Пимштейн, Тришкин
МПК: C30B 7/10
Метки: автоклав
АВТОКЛАВ для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, содержащий корпус в форме центральной обечайки и многослойной обмотки на ее поверхности, днище, крышку, нагреватель и теплоизоляцию, отличающийся тем, что, с целью снижения габаритов и массы автоклава, обмотка имеет по крайней мере один внутренний слой, выполненный перфорированием.
Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута (bi4 (ge3o4)3)
Номер патента: 1266248
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Каргин, Кожбахтеев, Марин, Нефедов, Скориков
МПК: C30B 29/32, C30B 7/10
Метки: ge3o4)3, висмута, монокристаллов, ортогерманата
Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, включающий синтез из исходных оксида висмута (III) и оксида германия (IV), расплавление полученной шихты и выращивание монокристаллов направленной кристаллизацией на ориентированную затравку, отличающийся тем, что, с целью упрощения, интенсификации и удешевления процесса при сохранении сцинтилляционных характеристик монокристаллов, синтез проводят гидротермальным методом в 3 7,5% -ном растворе фтористого аммония при следующем соотношении исходных оксидов, мол.Оксид висмута (III) 30 45Оксид германия (IV) 55 70
Аппарат для гидротермального выращивания кристаллов
Номер патента: 1824953
Опубликовано: 27.09.1996
Авторы: Бородин, Романов, Хаджи, Штеренлихт
МПК: C30B 7/10
Метки: аппарат, выращивания, гидротермального, кристаллов
...тепловой поток по стенке внутреннего сосуда из его нижней части в верхнюю по сравнению с односекционным внутренним сосудом.Другим возможным решением является использование теплоизоляционных проклалок, например, из фторопласта, устанавливаемых между секциями в зоне их соединения,На чертеже представлен аппарат впродольном разрезе.Аппарат содержит внешний сосуд 1 ивнутренний сосуд, выполненный разъемнымв виде двух секций: нижней 2 и верхней 3. 1, Аппарат для гидротермального выращивания кристаллов в агрессивных средах, содержащий внешний стальной сосуд высокого давления и внутренний сосуд цилиндрической формы, выполненный из коррозионно-стойкого материала или футерованный им, и имеющий внутри перфорированную перегородку, разделяющую его...
Ячейка высокого давления
Номер патента: 1137779
Опубликовано: 27.09.1999
Авторы: Бухарцев, Николаев, Орлов, Сидоров, Хвостанцев
МПК: B01J 3/06, C30B 7/10
Метки: высокого, давления, ячейка
Ячейка высокого давления, содержащая исследуемый образец, контейнер, нагреватель, рабочую термопару в зоне размещения образца, контрольный датчик давления и теплоизоляционную прокладку, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения давления, она дополнительно содержит контрольную термопару и герметичную ампулу с гидростатической средой, в которой размещены контрольный датчик давления и термопара, при этом теплоизоляционная прокладка расположена между образцом и ампулой.