Патенты с меткой «температурной»

Номер патента: 1647741

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Зюзин, Коваленко, Кравченко, Мельник, Портной, Стройников, Черноусов

МПК: H02H 5/04, H02H 7/08

Метки: защиты, температурной, электродвигателя

...может происходить вследствие их нагрева от обмоток электродвигателя при небольших перегрузках электродвигателя до 21 и) или их комбинированного нагрева обмоток электродвигателя и за счет тока, протекающего по позисторам Я 1 а и Я 16 (при больших перегрузках электродвигателя и токах больше 2 1,). Так как позисторы Я 1 а и Я 16 имеют разные классификационные температуры срабатывания - меньшую и большую (фиг, 7), то и срабатывание их при нагреве происходит постепенно: вначале позисторы Я 1 а, вызывая подачу световой или звуковой сигнали 1 б 47741зации, а затем позисторы Вж, обеспечивая аварийное отключение перегретого электродвигателя.Для качественной и стабильной работы термочувствительной цепи величины сопротивлений Я 1 и В 6...

Номер патента: 1652899

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Левчук, Лихновский, Луцик, Стаднык

МПК: G01N 29/00

Метки: зависимости, модуля, температурной, упругости

...сигнале соответствует записанная заранее кодовая комбинация на выходах ПЗУ 15. Сигнал с четвертого выхода ПЗУ 15 (фиг, 2 ж) поступает на входы запуска формирователей 7 и 3 импульсов, которые формируют соответственно из сигнала с выхода усилителя-ограничителя 2 и сигнала генератора 6 прямоугольные импульсы, равные по длительности заданному числу и периодов входных сигналов, На выходе формирователя 7 импульсов формируется импульс дли 1652899тельностью пА, а на выходе формирователя 3 - импульс длительностью пВ (здесь и - число импульсных сигналов. А - период сигнала генератора 6, В - период сигналазатухающих колебаний образца 32),Указанные прямоугольные импульсы подаются на входы инверторов 8 и 4, причем сигнал с выхода формирователя...

Номер патента: 1652924

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Исаков, Маланьин, Пащенко, Спиридонов, Фильчиков

МПК: G01R 19/00, G01R 19/32

Метки: измерительного, коррекции, погрешности, преобразователя, температурной

...погрешности усилителя на единицу изменения температуры;ао- температурный коэффициент нуляосновного усилителя.Как видно из(1), напряжение, содержит 55две составля 1 ощие температурной погрешности: аддитивную, определяемую вторым числом(1), и мультипликативную, определяемую первым членом (1). Для осуществления коррекции необходимо иметь сигнал, изменяющийся от температуры, Для этого в устройство введены преобразователь 3 для измерения температуры и дополнительный усилитель 7.Сигнал на выходе дополнительного усилителя 7 будет равен07= 0 П 7;01= 0 ъойс Т,где 01 - выходной сигнал преобразователя 3 для измерения температуры;01 а - изменение выходного сигнала преобразователя 3 на единицу изменения температуры;ак - температурный...

Номер патента: 1658271

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Портной, Стройников

МПК: H02H 5/04, H02H 7/08

Метки: защиты, температурной, электродвигателя

...3, то срабатывает исполнительный орган 13, воздействующий на коммутационный аппарат 14, и перегретый электродвигатель отключается от источникд питания. Напряжение срабатывания ключа 12 определяется только сопротивлением позисторов и не зависит от величины тока в гермочувствительной цепи.В режиме нормальных пусков (что характерно для многих электроприводов), ког. да электродвигатель уже достаточно нагрет, за счет теплового действия эквивалентного тока Уу, протекающего в термочувствительной цепи, может произойти опережающее срабатывание цозисторов 1, хотя температура обмоток электродвигателя не превышает допустимой для данного класса изоляции.Для устранения опережающего срдбатывания позисзоров 1 фильтры 4 и 5 обепечивают нарастание...

Номер патента: 1675696

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Зевелев, Коляджин

МПК: G01L 1/22

Метки: компенсацией, температурной, тензодатчик

...путем регулирования коэФФициента усилителя 7 с помощью магазинов сопротивления таким образом, чтобы значение выходного напряжения датчика при повышенной температуре возвратилось в исходное состояние, то есть к нулю. Коэффициент усиления усилителя 7 определяется отношением 819 Я 20,причем 817 Я 18, 819=820. Значения резисторов 819 и 820 выбираются иэ ряда Е 192(ГОСТ 10318-74), причем наиболее близкимик значениям, полученным на магазинах со 5 противления, В зависимости от положенияперемычек 6 выходной сигнал датчика определяется выражениямиОвых=Ь О К 1-К 2(1-20)или Овых= йЗ К 1+К 2(С),10 что позволяет обеспечить нужное направление компенсации.Схема тензодатчика не содержит внутри тензомоста дополнительные резисторы,что позволяет...

Номер патента: 1677100

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Косенок, Майборода, Овдей, Шекера

МПК: D01D 13/00

Метки: аппарата, волокнистого, длинномерного, заправочное, проходного, температурной

...и передвижения в гнезде приспособления 1 захвата и фиксации (фиг. 3).Средство удерживания и передвижения приспособления захвата может быть также выполнено в виде ряда:трубчатых элементов 13, штифтами 14 соединенных между ,собой через серьгу 15 и резьбовые втулки 16, Трубчатые элементы имеют одинаковые параметры и с обоих концов содержат наре,занную резьбу и пазы (фиг. 5).Заправочное устройство работает сле,дующим образом.Средство удерживания и передвижения приспособления захвата раздвигают в одну линию, образуя жесткую конструкцию, протянутую с входа рабочей камеры на ее выход.При использовании средства 2 удерживания и передвижения, выполненного в виде складывающихся звеньев, последнее разворачивают в одну линию, последовательно...

Номер патента: 1679274

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Шполянский

МПК: G01F 23/16, G01N 9/00

Метки: жидкости, компенсации, плотномерах, температурной

...18 и компенсационном сильфоне 19, Изменившееся от изменения15 температуры давление сжатого газа 24сформирует на компенсационном сильфоне19 новое значение компенсационного усилия Г, восстанавливающее исходное положение петлевой трубки 1, а следовательно, и20 выходной сигнал плотномера.Условие равновесия измерительной кинематической системы плотномера при любых температурах контролируемойжидкости имеет вид25 ЬЕрр= Юк 1 Ь (1)где ЬЕр - изменение рабочего усилия плотномера, вызванное изменением температуры контролируемой жидкости;1 р- расстояние от оси опоры вращения30 до центра масс контролируемой жидкости впетлевой трубке;ЬР - изменение компенсационногоусилия плотномера, вызванное изменением35 температуры контролируемой жидкости;1 к...

Номер патента: 1695034

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Биленко, Гомзяков, Микушевич

МПК: F22G 5/00

Метки: вода, коррекции, котла, прямоточного, соотношения, температурной, топливо

...время частобывает имеется только один выходнойвпрыск) или за одной из ступеней пароперегревателя (в противном случае), изменяет положение клапанов впрыска. Это ведет кизменению величины сигнала датчика 2, ха 1695034фЮ= -Ч 5Ю 7 (р) 20 25 30 блок динамического преобразователя (ДИН) М 21,35 Изобретение может найти применениев энергетике, в первую очередь, в системах автоматического регулирования энергоблоков с гэзомазутными котлами.Экономическая эффективность от внед рения изобретения, например, для газомазутных энергоблоков 300 Мвт может быть оценена следующим образом.По данным промышленных испытаний в. базовом обьекте-прототипе при иэменени ях нагрузки, сопровождаемых сильнымивоздушными возмущениями, вследствие реакции сигналов...

Номер патента: 1698688

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Гюнтер, Монасевич, Паскаль, Серикова

МПК: G01N 3/28

Метки: зависимости, предела, сплавов, текучести, температурной

...и измерение напряжения в нем при заданной температуре, образец деформируют на величину 2-6;4 при температуре ниже температуры начала мартенситного превращения, фиксируют относительное положение средств крепления образца, изменяют температуру образца в пределах исследуемого диапазона и одновременно измеряют напряжение в образце, по значениям которых определяют искомую зависимость.На чертеже приведены кривые температурной зависимости предела текучести материала с эффектом памяти формы.Способ осуществляется следующим образом.Температурные зависимости предела текучести получали с использованием об1698688 Составитель С, Караваеваолуженко Техред М,Моргентал Корректор Т.Палий аказ 4387 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1700672

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Голимбевский, Жарков, Жаркова, Калинин, Чураков

МПК: H02H 5/04

Метки: группы, защиты, температурной, электродвигателей

...источника 1 питания. Выход общего элемента ИЛИ 63 соеди",ен с управляющим электродом дополни ельнсго тиристорного ключа 64. Нечетные выходы 51 и 53 дешифратора 38 соединены также с соответствующими дополнительными управляющими входами бб и 67 управляемого источника 1 питания.Устройство работает следующим образом,При нормальном режиме работы электродвигателей воль г-амперные характеристики 68 для аналога лямбда-диода 12, сформированною на полевых транзи торах 14 и 15 подбором параметров термодатчиков 4 и резисторов 6, 8 и 9 и вольт-амперная характеристика 69 для аналога лямбдг-диода 13, сформированного на полевых транзисторах 16 и 17 подбором параметров термодатчика 5 и резисторов 7, 10 и 11,При увеличении температуры защищаемых...

Номер патента: 1711037

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Зубков

МПК: G01N 13/02

Метки: гидрофобизации, границы, коллекторов, необратимой, нефтеводонасыщенных, нижней, поверхности, пород, температурной

...Насыщенную породу помещаютв стальную трубку, па длине которой создают термоградиентное поле. Внутритрубки создают давление, равное пластоваму. Образцы выдерживают в течение определенного времени, по истечении которогоотмечают визуально интенсивность изменения цвета по длине образца,Далее содержание трубки делят на 40две равные части, которые подвергаютдоотмыву от остаточной нефти путемспиртобензольной экстракции. Послеэкстрагирования каждую из выделенных частей образца исследуют на смачиваемость 45по времени впитывания капли воды: к гидрофабным условно относят образцы, невпитывающие воду, к гидрафильным - образцы, впитывающие воду в течение определенного времени. Остальные образцы 50имеют промежуточное состояние, при этомстепень их...

Номер патента: 1718074

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Зайцев, Остраухов, Суздалов

МПК: G01N 25/00

Метки: катализаторов, области, работы, стабильной, температурной

...не происходит наложение эффектов дезактивации катализаторов.На чертеже приведена термограмма реакции дегидратации диметилового эфира в углеводороде С 2-С 11.Для осуществления способа во всех примерах была использована проточная термографическая установка.П р и м е р 1. Реакция дегидратации диметилового эфира в углеводороды.Сг-С 11 на цеолитном катализаторе - экзотермическая реакция.Навеску цеолитного катализатора типа ЕЯМ(мольное отношение Я 02 к А 120 з составляет 115) весом 0,2 г и такую же навеску эталонного вещества (стекла) помещают в одинаковые реакторы, соединенные последовательно с дозатором диметилового эфира. Для фиксирования температуры в реакторы помещают термопары. Блок с реакторами помещают в электропечь и начинают...

Номер патента: 1749801

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Варфоломеев, Грошев, Ляшков, Муромцев

МПК: G01N 25/00

Метки: зависимости, температурной, температуропроводности

...используют участки термограмм, имеющие место после 40 достижения максимальной температуры,Затем на указанных участках для двух моментов времени находят соответствующие значения температур. Зная величины указанных параметров,определяют температу ропроводность по формуле.Тепловой процесс при действии источника тепла на какое-либо тело описывается следующим дифференциальным уравнением:с р, - , = ач( А цгаб Т), (1)где с, р, А - соответственно удельная массовая теплоемкость, плотность и коэффициент теплопроводности материала тела.55 В общем.случае коэффициенты А и сзависят от температуры. Примем эту зависимость степеннойА = Т; с=с,т"2.(13) 4) 55 Тогда коэффициент температуропроводности а= - ,= - Т, Л Ло оц(2)с р с,р Обозначив 5 ао= - , е=...

Номер патента: 1762202

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Пасичный, Трефилов, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...антенны 6 и со входом фазометра 9 низкой частоты, выход которого соединен со входом регистратора 10, ходовой винт 11 с двумя резьбами, на которых закреплены держатель 12 образца 13 и приемные рупорные антенны 4 и 6, фотоэлектрический пирометр 14, ряд термопар. заделанных на различной глубине от нагреваемой поверх 17 б 220210 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ности, последняя из которых расположена на теневой границе образца,Термопары ориентированы перпендикулярно вектору электрического поля и на чертеже не показаны.Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков в условиях высокотемпературного динамического нагрева работает следующим образом,Двухпрофильное зеркало 1, периферическая часть которого имеет...

Номер патента: 1762265

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Литовченко, Пасичный, Фридрик

МПК: G01N 22/00, G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...ходовой винт .0 на котором закреплены держатель 11 образца 12, являющийся одновременно держателем вакуумной камеры, образованной углеродным диском 2 и кварцевым колпаком 13, вакуумный насос 14, фотоэлектрический пирометр15. затвор 16,Устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков работает следующим образом. Источник 5СВЧ - сигнала, представляющий собой свип-генератор, вырабатывает переменный по частоте и постоянный по мощности СВЧ- сигнала, причем частота сигнала меняетсяпо пилообразному закону. Указанный сигнал с выхода источника 5 подается на вход открытого отражательного резонатора 4. Образец 12 исследуемого диэлектрика помещается вплотную на зеркало 2 отражательного резонатора 4 и при одновременном...

Номер патента: 1767362

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Александров, Беляков, Сиротенко

МПК: G01K 15/00

Метки: воспроизведения, реперной, температурной, точки

...тепла, который расположен соосно ячейке в тепловом контакте с ней.По предлагаемому способу воспроизведение температурной реперной точки, заключающемуся в размещении ячейки с веществом в теплоизолирующем сосудЕ й нагревании ячейки для расплавления вещества, в отличии от прототипа, нагревание ячейки и расплавление веществ до заданно- го соотношения твердой и жидкой фаз осуществляют аккумулятором тепла, предварительно нагретым до температуры Тн выбираемого из соотношения Тн н - начальная температура аккумулято- пла; Тп - температура плавления вещества; Т 0 - начальная температура ячейки,Т - начальная температура внутреннихчастей теплоизолирующего сосуда;С 0 - общая теплоемкость ячейки реперной точки;5 С - теплоемкость аккумулятора...

Номер патента: 1775686

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Крылов, Шатунов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектриков, зависимости, параметров, температурной

...из генератора СВЧ-колебаний 6, приемноемого материала, нагреваемый потоком газа.Недостатком устройства является. большая разница между температурами газового потока и испытуемого образца, которая приводит к неоднозначности определения параметров диэлектриков из-за неоднородности и неравномерности прогрева образца, что снижает точность измерений.Целью изобретения является повышение точности измерения температурной зависимости параметров диэлектриков при высоких температурах.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения температурной зависимости параметров диэлектриков, содержащее открытую СВЧ-систему, включенную между генератором и приемно-измерительным блоком, источник нагретого газа, и измеритель температуры...

Номер патента: 1777064

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Крылов, Маков

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, зависимости, проницаемости, резонаторный, температурной

...температурной зависимости диэлектрической проницаемости в рабочей области температур.Наиболее существенное дополнительное влияние на собственные высокотемпературные характеристики ячейки в присутствии образца оказывают пары испы-. туемого материала, наполняющие внутренний объем и приводящие к изменению химического состава, электропроводности квазинейтральной парогазофазной среды резонатора за счет механизма транспортировки электрических зарядов и столкновительных процессов в среде заполнения.Для учета влияния образца испытуемого материала на изменение электрофизических свойств пространства внутри ячейки измерения калибровочных собственных характеристик ячейки проводят в присутствии паров испытуемого материала с упругостью,...

Номер патента: 1777818

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Большаков, Гребенкин, Тихомиров, Чумаков

МПК: A61B 5/00

Метки: исследования, температурной, чувствительности

...6 подключен ко второму входу сумматора 11, причем блок 7 регистрации содержит соединенные последовательно генератор 16 импульсов, элемент 17 блокировки, первый счетчик 18, индикатор 19 общего времени работы, соединенные последовательно второй счетчик 20 и индикатор 21 времени работы в установившемся режиме, вход второго счетчика 20 подключен к второму выходу элемента 17 блокировки, соединенные последовательно блок 22 определения выхода нэ режим и индикатор 23 выхода на режим, индикатор 24 заданной температуры, подключенный к выходу задатчика 10 температуры, вход блока 22 определения выхода на режим подключен к выходу сумматора 11, а второй выход - к первому входу элемента 17 блокировки, второй вход которого подключен к кнопке 9...

Номер патента: 1779976

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Янышев

МПК: G01N 3/30

Метки: вязкости, зависимости, температурной, ударной

...зависимости УВ этих образцов.Способ осуществляют следующим образом,Перед чистовой обработкой надреза образцов определяют режим чистовой обработки надреза, при котором в зоне надреза не возникает измененного поверхностного слоя, Для этого находят изменение собственной частоты продольных колебаний образца при ступенчатом изменении режима обработки надреза, Чистовую обработку надреза осуществляют в режиме, соответствующем минимальному изменению собственной частоты при ступенчатом изменении режима обработки. Для снятиявнутренних напряжений изготовленные образцы подвергают отжигу. Снятие внутренних напряжений в результате отжига контролируют по55 Обработали каждую заготовку по сечению образца резанием, а также сделали надрезы по...

Номер патента: 1781813

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Колупаев

МПК: H03F 1/30

Метки: варакторного, диода, емкости, стабилизации, температурной

...00 емкость варакторного диода и одновременно напряжение на выходе схемы, что также Сл стабилизирует емкость варакторного диода.При увеличении напряжения на входе диод 1 открывается, При этом со входа через открытый диод 1, резисторы 3 и 4 на общую шину будет протекать ток. Напряжение на выходе будет равно сумме падений напряжений на резисторах 3 и 4, При увеличении температуры окружающей среды уменьшается падение напряжения на диодах 1, 2, что приводит к увеличению напряжения на выходе и, соответственно, стабилизации емкости варакторного диода. Аналогично, приуменьшении температуры уменьшение напряжения на выходе стабилизирует емкость варакторного диода.Г 1 ри дальнейшем увеличении напряжения на входе диод 2 закрывается. Ток, про...

Номер патента: 1790008

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Зайцев, Лившиц, Лилеев, Мельников, Менушенков, Шамаро

МПК: H01F 13/00

Метки: магнитных, магнитов, металлами, металлов, настройки, основе, периодических, постоянных, редкоземельных, систем, соединений, стабилизации, температурной, фокусирующих

...материальных часть магнитов приходится утилизировать) и трудовых затрат.Целью изобретения является повышение стабильности системы, уменьшение времени ее настройки и расхода магнитов.П р и м е р, Стабилизированные ЯвСоб магниты К 18 х 10 х 4 размагничивали обратным магнитным полем до величины остаточной индукции в центре кольца 78 + 3 мТл (измерение проводилось на установке МИРТс точностью + 1%), после чего стабилизировали систему в течение 1 ч при 140 С, а затем вновь измеряли индукцию в центре колец.Результаты измерений магнитных свойств колец, проводившихся на установке УИФИ с точностью + 2%, и измерений индукции в МПФС приведены в табл. 1,Формула изобретения Способ настройки и температурной стабилизации магнитных периодических...

Номер патента: 1796941

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Ланганс

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, переменного, приемников, температурной, характеристики

...давления, помещенногов жидкость с нагревателем и измерителемтемпературы, Недостатком известного устройства является ограниченная точность измерений, обусловленная нестабильностьюшарикового калибратора, используемого вкачестве источника звука,20Цель изобретения - повышение точности измерений,Цель достигается тем, что в устройстведля определения температурной характеристики приемников переменного давленияисточник звука выполнен в виде громкоговорителя с концентратором звука, соединенным с введенным в устройство сетчатымтепловым экраном. При этом концентраторзвука с сетчатым тепловым экраном уста- З 0новлен в горле испытуемого приемника переменного давления.Изобретение поясняется чертежом.Устройство содержит сосуд 1 с жидкостью, в...

Номер патента: 1817181

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Попивненко

МПК: H02H 5/04, H02H 7/08

Метки: защиты, пусковом, режиме, температурной, электроустановки

...размыкающий контакт 11 подключена обмотка пускового контактора 7. Общая точка контакта 11 и 5 обмотки контактора 7 через замыкающийконтакт 9 пускового контактора 7 подключена к первому зажиму первого терморезистора. Другой зажим обмотки пускового контактора подключен к средней точке сое динения кнопок "Пуск" 13 и "Стоп" 12, другой зажим кнопки "Пуск" через ограничительный резистор 14 соединен с вторым зажимом первого термореэистора 6, а другой зажим кнопки "Стоп" соединен с 15 нулем источника питания. Отметим, что указанное подключение к нулю или второй фа. зе зависит от напряжения источника, отнапряжения, на которое рассчитана обмотка пускового контактора (127, 220 или 380 В).20 Устройство работает следующим образом.Пусть...

Номер патента: 1835504

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Аудзионис, Бальненис, Левитас, Липавичюс, Марцинкявичюс, Рубиш, Стасюкинас

МПК: G01N 21/21

Метки: активности, анизотропных, зависимости, кристаллов, оптической, температурной

...детектора 9, детектирующий сигнал второй гармоники соединен с выходом фотодетектора 7, Входы делителя 10 напряжений соединены с входом синхронного детектора 8 и с выходом синхронного детектора 9. Выходы задающего генератора 11 соединены с поляриэационным модулятором 3 и с входами опорных сигналов синхронных детекторов 8 и 9. Механизм 12 с блоком управления поворота поляризатора 2 и анализатора 6 механически соединен с поляризатором 2 и анализатором 6. Вход блока 13 выборки-хранения сигнала, пропорционального 4 с выходом делителя 10 напряжений и вход управления блока 13 соединен с одним из выходов блока 12 управления с механизмом поворота поляризатора и анализатора, Вход блока 14 выборки-х 2 оанения сигнала пропорционального(6 з 1 п С...

Номер патента: 1358742

Опубликовано: 30.03.1994

Автор: Аксенов

МПК: H03B 5/32

Метки: генератора, кварцевого, компенсации, температурной, частоты

СПОСОБ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВОГО ГЕНЕРАТОРА , заключающийся в изменении напpяжения смещения на пеpвом и втоpом ваpикапах, включенных последовательно с кваpцевым pезонатоpом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности компенсации, изменение напpяжения смещения на пеpвом и втоpом ваpикапах, включенных последовательно с кваpцевым pезонатоpом, пpоизводят пpотивофазно относительно напpяжения смещения, соответствующего экстpемуму повоpота темпеpатуpно-частотной хаpактеpистики кваpцевого генеpатоpа.

Номер патента: 1131388

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий легирование монокристаллического кремния n-типа проводимости примесями - донором мелкого уровня (мышьяком) и акцептором мелкого уровня (бором) - с общей концентрацией примесей, превышающей 8 1018 атомов см-3, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа, на бездислокационную полупроводниковую подложку кремния наносят поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 3 - 10% ангидрида-диффузанта акцептора мелкого уровня или...

Номер патента: 1101081

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/22, H01L 27/02

Метки: компенсацией, полупроводниковый, резистор, температурной

1. Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией, содержащий резистивный элемент из монокристаллического кремния n-типа с диффузионной областью, сформированной введением примеси, две контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, элемент легирован редкоземельным металлом, распределенным по объему, приближающемуся к закону дополнительной функции ошибок, с концентрацией носителей Na 5 1018 см-3 и имеющим отношение концентрации носителей в легированной области к концентрации носителей в нелегированной

Номер патента: 1635817

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

...формирование контактных площадок и межсоединений и получение омического контакта посредством вжигания алюминия,П р и м е р 3. На кремниевой пластине, марка КЭФ, плоскость кристаллографической ориентации 110), методом термического окисления создается маскирующий слой двуокиси кремния толщиной 0,5-0,8 мм, затем групповым методом фотолитографии вскрывают окно первой области, Затем на пластину методом центрифугирования наносят гидролиэно-поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 20 мас. 7 ь ангидрида - диффуэанта донора глубокого уровня - железа, Проводят термодеструкцию пленки при 600 С в течение 3 мин в потоке инертного газа (аргона) и удаляют с поверхности маскирующего слоя ЯЮг легированную железом пленку, Затем...

Номер патента: 1531753

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий формирование на поверхности монокристаллического кремния двух соприкасающихся областей путем диффузионного легирования примесями одинакового типа проводимости, при этом первую область легируют примесью глубокого уровня, а вторую область - примесью мелкого уровня до концентрации примеси мелкого уровня, значительно большей концентрации примеси глубокого уровня, и глубины p - n-перехода примеси мелкого уровня, значительно меньшей глубины p - n-перехода примеси глубокого уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощения технологии...