Патенты с меткой «сверхпроводящей»

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...

Номер патента: 2000614

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Кучинский, Рошаль

МПК: G21B 1/00

Метки: tokamak, обмотки, поля, сверхпроводящей, секционированной, термоядерной, типа, тороидального, установки, электропитания

...устройство электропитания секционированной сверхпроводвщей обмотки тороидального поля термоядерной установки типа токамак, содержащее секции обмотки, подключенные последовательно через пары последовательно соединенных энергопоглощающих резисторов, средняя точка которых через заземляющие резисторы подключена к общей шине, размыкатели, шунтирующие пары энергопоглощающих резисторов и источник постоя н ного на и ряжения, подключенный в последовательную цепь между секциями обмотки, снабжено дополнитель; ным размыкателем, а источник постоянного напряжения включен между энергопоглощающими резисторами одной из пар резисторов, при этом каждый резистор данной пары зэшунтирован основным или дополнительным размыкателем.На фиг.1 приведена схема...

Номер патента: 1484241

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Желамский

МПК: H01F 7/22, H02H 7/00

Метки: магнитной, нормальной, обмотке, обнаружения, сверхпроводящей, системы, фазы

...5компенсации, выход которого совместно свыходом первого блока компенсации подключен к первому и второму входам сумматора 6, 20Устройство работает следующим образом.Первый блок 1 компенсации настраивается из условия баланса компенсирующего и реактивного напряжения наобмотке. Остаточный сигнал, которыйнельзя скомпенсировать, будет определяться непропорциональностью тока и магнитного поля, пронизывающего обмотку,или скоростью изменения ее вихревого,магнитного момента. Сбалансированная .разФормула изобретенияСпособ обнаружения нормальной фазы в оверхпроводящей обмотке магнитной сис темы, основанный на измерении чапряжения на исследуемой части магнитной системы, формировании компансируюаего напряжения и уравновешивании его с полным...

Номер патента: 2003129

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Епанчинцев, Колесников

МПК: G01R 33/035, G01R 33/12

Метки: высокотемпературной, керамики, сверхпроводящей, электросопротивления

...реализации предлагаемого способа поясняют фиг, 2, 3 где 1 - образец из ВТСП керамики, 2 - переходный контактный слой, например, покрытие из золота, 3 - припой, например, из сплава свинец-олово. 4 - проволочный токоподвод, На фиг. 3 показана воэможность реализации предлагаемого способа на образце ВТСП керамики большой к до 10 мм/ толщины.Образец изготовляют следующим образом. В нем выполняют, например, сверлят сквозные отверстия конического или иного профиля, на боковые поверхности который наносят, например, напыляют переходныйконтактный слой из золота или другого металла, в каждое отверстие в образце вводят проволочный токоподвод, который припаивают к переходному контактному слою, так, что припой заполняет отверстие с...

Номер патента: 2003130

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Ланге, Липовка

МПК: G01R 33/035

Метки: вч-сквид, высокотемпературной, керамики, объемный, сверхпроводящей

...сверхпроводящей керамики.Целью настоящего изобретения является повышение надежности и чувствительности к внешнему магнитному полю ВЧ ВТСП сквидов.Указанная цель достигается тем, что объемный ВЧ сквид из.ВТСП, имеющий контур квантования со слабым звеном, выполнен в виде открытого с одной стороны полого тела вращениянапример, параболоида, конуса, стакана, разрезанного с одной стороны узкой щелью до вершины, а контур квантования образован иэ отверстия, находящегося на вершине полого тела вращения, части щели и слабого звена, сформированного в виде перемычки, расположенной в узкой щели.Предлагаемое решение соответствует критерию "существенные отличия", так как благодаря новой совокупности признаков ВЧ сквид из ВТСП...

Номер патента: 1557950

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Антонова, Загоскин, Квичко, Литвиненко, Могилко, Помазунов, Семиноженко

МПК: C04B 35/64

Метки: бариевого, керамики, купрата, основе, сверхпроводящей

...способа по срав нению с прототипом и уровень достигнутыхсвойств представлены в таблице.(56) А Авег, Сегаа. Зос., 1987, 70, Ь 12, с. 388-390.20 Хим, состав Способ СвойстваОотн, 3 Тс,к Технологическиепа амет ы С 1,ч Т 2, ОС Т 1, С ЬТс, К Р, МПа 12,Ч 99 1,0 1,0 960 450 3 аяв- УВжСцз 07- ляе 96,1 800 0,8 960 450 1,0 1,0 92,3 92,2 958 988 850 1,2 960 10 910 450 10 09 960 10 10 933 880 300 978 960 600 880 1,0 10 960 989 0,8 960 3 аяв- УВа 2 Сцз 07- ляе 05 1,0 880 450 92,8 92,1 96,0 98.6 94,2 96,5 1,3 960 450 880 1,5 880 960 0,5 1,0 450 1,2 960 450 1,0 15 . 958 98,8 880 0,9 1000 10 94,2 98,2 880 450 1,0 а 1,0 1000 1,0 92,8 450 810 1,0 9,3 1,0 1000 45010-40 870 1,0 94,5 97,197- 99 90 - 92 1/360 - 2,7 1,8 - 2,2 По УВФСцз 07 спосо.бу прототип...

Номер патента: 1212215

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Балашов, Барбашев, Коварский, Трусов, Фридман

МПК: H01F 41/06

Метки: обмотки, сверхпроводящей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ОБМОТКИ, включающий намотку провода на основе Nd3Sn на плоский каркас, скрепление витков и отжиг, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет изготовления бескаркасных обмоток сложной формы, скрепление витков осуществляют путем переплетения слоев обмотки прокладками из пластичного материала, например меди, с жаропрочной изоляцией, после чего производят формование.

Номер патента: 725158

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Веселовский, Гринченко, Данько, Калашников, Кильдишев, Круглин, Плещунов, Рубинраут, Самойлов, Третевич, Чигиринский

МПК: H01L 39/02, H02K 23/58

Метки: индуктора, обмоткой, сверхпроводящей, электрическая

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МАШИНА СО СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ОБМОТКОЙ ИНДУКТОРА, содержащая якорь с немагнитным шихтованным сердечником, насаженным на крестовину, обмотку, токосъемное устройство и вал, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и снижения маховых масс якоря, немагнитный шихтованный сердечник со стороны крестовины выполнен со сквозными окнами, перегородки между которыми образуют продольные шихтованные ребра, которыми сердечник опирается на крестовину.

Номер патента: 1667575

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Гулевич, Дубасов, Егоров

МПК: H01F 7/22, H01L 39/06

Метки: защиты, катушки, короткозамкнутой, сверхпроводящей

УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ КОРОТКОЗАМКНУТОЙ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КАТУШКИ, содержащее разрядное сопротивление и коммутирующий элемент, соединенные параллельно и подключенные к сверхпроводящей катушке, а также блок управления и пороговый элемент, выходы которого соединены с входами блока управления и разрядного сопротивления, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности и надежности устройства, в него дополнительно введены несверхпроводящая компенсирующая обмотка и сумматор, выход которого соединен с входом порогового элемента, причем средние точки сверхпроводящей катушки и несверхпроводящей компенсирующей обмотки электрически соединены, выводы несверхпроводящей компенсирующей обмотки подключены к входам сумматора, а общая шина сумматора...

Номер патента: 1508913

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Акопян, Батаков, Лернер, Токмаков

МПК: H01F 7/22, H02H 7/00

Метки: магнитной, нормальной, обнаружения, сверхпроводящей, системе, фазы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ НОРМАЛЬНОЙ ФАЗЫ В СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ МАГНИТНОЙ СИСТЕМЕ, содержащее датчик состояния сверхпроводящей обмотки магнитной системы, на выходе которого включен исполнительный орган, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, быстродействия и электрической прочности, датчик состояния выполнен в виде двухволоконного не содержащего электропроводящих элементов оптического кабеля, предназначенного для расположения между слоями сверхпроводящей обмотки, вход которого подключен к источнику когерентного линейно поляризованного света, а выход оптического кабеля подключен к детектору интерференционной картины, причем волокна оптического кабеля имеют разные характерные времена нагревания.

Номер патента: 1805800

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Белоголовцев, Буш, Волков, Гордеев, Исаков, Кривощеин

МПК: H01L 39/24

Метки: керамики, сверхпроводящей, токонесущего, элемента

...и представляющий собой изотропный поликристалл, размалывают в шаровой мельнице, В результате дезагломерации при помоле получают порошок, состоящий из монокристаллов указанного состава и их обломков, также имеющих свойства монокристаллов, Размер частиц 0,6-1,2 мкм, После этого погружают матрицу 1, выполненную из немагнитного материала (титан) с целью уменьшения ослабления и искажения силовых линий 7, в криостат с жидким азотом,выми линиями, параллельными перегородкам 9, Для этого использовались оксидно-бариевые или "Ре-ЙЬ-В" постоянные магниты, создающие напряженность магнитного поля 1-10 кЭ (в разных опытах). После охлаждения матрицы с перегородками до 77 К (для прекращения кипения азота в ней) порошок сверхпроводника постепенно...

Номер патента: 1484242

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гулевич, Дубасов, Хоружий

МПК: H01F 27/00, H02H 7/00

Метки: автоматической, датчик, катушки, компенсацией, нормальной, отводом, реактивного, сверхпроводящей, середины, фазы

ДАТЧИК НОРМАЛЬНОЙ ФАЗЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КАТУШКИ С ОТВОДОМ ОТ СЕРЕДИНЫ С АВТОМАТИЧЕСКОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ РЕАКТИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, содержащий два дифференциальных усилителя, неинвертирующие входы которых соединены с клеммой для подключения к средней точке сверхпроводящей катушки, а инвертирующие с клеммами для соединения с крайними ее выводами, сумматор, входы которого подключены к выходам дифференциальных усилителей, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и быстродействия датчика путем осуществления компенсации реактивного напряжения с высокой точностью, в него введены ключ, интегратор, компаратор, последовательная цепь из резисторов, блок ключей с N ключами, блок внешнего запуска, генератор тактовых импульсов, триггер, регистр...

Номер патента: 805901

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Барбашев, Душков, Поддымов

МПК: H01L 39/02, H02K 9/197

Метки: возбуждения, обмоткой, ротор, сверхпроводящей, электрической

Ротор электрической машины со сверхпроводящей обмоткой возбуждения, размещенной в криостате, содержащий полый вал, в котором расположены трубки подвода и отвода криогенного хладагента с каналами, и узел уплотнения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности при уменьшении габаритов, узел уплотнения выполнен в виде газосборной камеры с дисками, внутри которой расположена снабженная приводом камера с уплотняющей жидкостью, и трубки подвода и отвода снабжены дисками, причем все упомянутые диски расположены в камере с упомянутой жидкостью.

Номер патента: 555780

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Витушинский, Горохов

МПК: H01L 39/02

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий сосуд с жидким гелием, внутри которого размещена герметичная камера с расположенной внутри резонансной цепью в экране, соединенная посредством патрубков с системой откачки и газгольдером, отличающийся тем, что, с целью сокращения расхода жидкого гелия на охлаждение системы и уменьшения времени охлаждения, в сосуде размещен пароотделитель, соединенный с герметичной камерой посредством трубопровода с вакуумным вентилем, причем на участке между пароотделителем и вакуумным вентилем выполнено отверстие, а полость герметичной камеры соединена с полостью экрана через отверстия в его днище.

Номер патента: 506244

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01L 39/02

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий термостатированный сосуд с жидким гелием, в котором закреплена герметичная камера с расположенной внутри резонансной цепью в экране, отличающийся тем, что, с целью повышения долговременной стабильности частоты цепи, герметичная камера снабжена патрубком, соединяющим ее м откачивающей системой и системой заполнения газообразным гелием.

Номер патента: 638200

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Куликов, Рубинов

МПК: H01L 39/00, H01P 7/06

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий узкогорлый сосуд с герметичной крышкой, заполненный жидким гелием, и расположенную в нем закрытую снизу герметичную камеру со сверхпроводящей резонансной цепью, снабженную крышкой, узлом вакуумного уплотнения и патрубком, соединяющим ее с откачным устройством, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сверхпроводящей резонансной цепи, герметичная камера выполнена в виде жесткой тонкостенной трубы, крышка и узел вакуумного уплотнения герметичной камеры размещены вне узкогорлого сосуда, а внутренняя полость герметичной камеры соединена через патрубок с дополнительной системой заполнения газообразным гелием.

Номер патента: 1835817

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Гордополов, Григорьян, Зотов, Нерсесян, Савостьянов, Савостьянова

МПК: C04B 35/00

Метки: композиции, полимер-керамической, сверхпроводящей

1. Способ получения сверхпроводящей полимер-керамической композиции, включающий смешивание порошка сверхпроводящей керамики с соединением винилового типа и прессование, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических характеристик композиции при повышении производительности процесса, в качестве указанного соединения используют виниловый мономер в количестве 2,5-20 мас. %, после смешивания производят его полимеризацию на поверхности порошкообразной керамики, а прессование осуществляют взрывным воздействием при давлении 2-60 Гпа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полимеризацию проводят облучением Со60 дозой 30-90 кДж/кг при мощности облучения 10-30 кДж/(кг...