Патенты с меткой «слабых»

Номер патента: 1413190

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Винокуров, Ермашов, Леонюк, Сеськов, Тяглик

МПК: E02D 3/046

Метки: глубинного, грунтов, слабых, уплотнения, фундамент

...расположенные под замороженным блоком, которые при этом уплотняются в большейстепени, чем в обычных условиях (беззамораживания),45Замороженный блок, обладая большойжесткостью, позволяет распределятьдавление на подстилающие слои большей площади, чем его площадь. Приэтом сам блок работает как жесткиймассив. Его размеры в плане принимают исходя иэ того, что напряжения оттрамбовки распространяются под углом45 (как в фундаментах из бетона),т.е. размеры блока превышают размерытрамбовки на значение, равное глубине промерзания грунта,При передаче нагрузки через замороженный столбчатый блок на нижние слои грунта соседние блоки, а также рядом расположенный слой замороженного грунта( для крайних блоков) не позволяют грунту слабого слоя потерять...

Номер патента: 1458506

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Беликов, Горлов, Мотузов, Разумный

МПК: E02D 27/18

Метки: водонасыщенных, грунтах, колодца, опускного, погружения, слабых

...создают на всю глубину погружения сооружения направляющую обойму 2 из закрепленного грунта, внутренний диаметр которой несколько больше внешнего диаметра опускного сооружения. По внутреннему периметру этой обоймы создают дискретно располагающиеся выступы 3, ширина которых равна толщине ножевой части колодца и которые после их подработкч в процессе погружения колодца на проектной глубине остаются неподработанными и образуют опорные зоны, на которые осуществляют насадку опускного колодца, После создания направляющей обоймы 2 с высз упами 3 на поверхности монтируют опускной колодец 1 и опускают его с одновременной разработкой грунта в полости колодца и подработкой выступов.Направляющая обойма с внутренними выступами устраивается из грунта,...

Номер патента: 1470922

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Бутылкин, Виноградов, Жидков, Николаева

МПК: E04H 12/34

Метки: грунтах, длинномерной, закрепления, конструкции, слабых

...2 с закрепленным стаканом 3 всередине Аундамента, Стакан 3 фундамента имеет ребра 4 с отверстиями, 25к которым посредством болтов 5 присоединяют нижние концы съемных вертикальных направляющих элементов б.Верхние концы элементов 6 соединяют схомутом 7 опоры, Хомут 7 выпол" 30нен из двух частей, каждая из кото-рых имеет на одном конце ребро 8с отверстием, а на другом - удлиненное вниз ребро 9 с двумя отверстиями. К нижнему отверстию ребра 9 З 5крепят верхние концы элементов 6. Между частями хомута вставляют вкладыши 10 и отверстия ребер 8 и верхниеотверстия 9 соединяют болтами 11.Верхние концы остальных элементов 6 40прикрепляют к ребрам 12, расположенным в средней части каждой части хомута, В середине каждой части хомутарасположены два...

Номер патента: 1493727

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Зарецкий, Иващенко, Климанов, Усачев

МПК: E02B 7/06

Метки: грунтах, образования, оснований, слабых, сооружений

...идем ый экран 4, н(13 л 1 И 3133(Й ( .к(С 13(ых н . .(О Ги(е 10 1) ы,(сОн 633 Г 1 н-(1 О,(1 срИОГО матери (3 л 3 (рм)б)33 3 1 и, (3 1 м (рн( иО стс клоткс 3(1 к) ( ГО,3331333 5 О мм ), Ос(ч(нг 551 и Н . М О Г В Е Р С Г И и ),О НС НС 313(С и 3(Р О. (О,1)- и1 В.р Гик(3,(ьи( с(О )сн)В( н и 3 . 11(1 1- Верхости б (и.(ы, 1(окр( (н;О(1 й с, (дбый ,)унг 1, уста;(влиндкГ сваренные и( листоного железа ни)ланки 7 грузонодьемнктьк зо 8 т с цснтрирук)шими Отнерс(3(яи 8 и 1) и к с и Рк)3 н О н,1 3 н к (3 Отт 53 ж к 1 м 1 ) с 51 ко Р 51. м 1 10, Г. ИОИ.1(Вков 7 с Помо(цьк) и.ВчеГО к 1 и(1(;1 сскиих(3 1 О ) м монтир)к) ВГр 3 - кд,(ьную трубх 11, соединяя ее с О(версгиями 5, затем О к;(чиндк)т из иогОс(3Грубы 1 Вод) 11,сосом 1,5, когор 331,...

Номер патента: 1513375

Опубликовано: 07.10.1989

Автор: Юферев

МПК: G01J 1/04

Метки: блеска, более, звезд, звездный, опорный, слабых, стандарт, фотографический, фотометр, фотометрический, чем

...фона на участке фотопластинки 6, одинаковый с 40 уровнем фона в районе будущего вторичного стандарта. Свет, проходящий через нейтральный ослабляющий светофильтр 5 и призму 4, создает участок повышенной освещенности фона, который 45 используется в дальнейшем для калибровки вариаций плотности фона на негативе, При этом обеспечивается идентичность профилей ослабленных и неос-," лабленных изображений звезд, одинако вость (или близость) уровней фоновой освещенности под светофильтром 7, по" глощающим часть света, и в стороне от него, возможность учета небольших остаточных различий фона на обеих частях 55 фотопластинки, а также изменений фона самого звездного поля.При применении описанного устройстза обеспечивается отличие оптической...

Номер патента: 1534138

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Габдуллин, Еремеев, Цышевский

МПК: E02D 3/08

Метки: грунтах, основание, слабых, сооружения

...стержневые элементы, верхняя часть каждого из которых имеет форму раструба, а нижняя часть выполнена с конусным торцом, Боковые грани элемента выполнены сужающимися от большей части конусного торца до наименьшей части раструба, при этом диаметр большей части конусного торца превыпает диаметр наименьшей части раструба. 1 ил,жения, В покрытии 2 и основании З,дороввой Одевды устраивают сквавввы, в Ст которые вставляют стержневые элементы, имеющие в верхней части форму раструба, в нижней части выполненные с ко- веь нусными торцами, а их боковые грани (д выполнены сужающимися от большей части конусного торца до наименьшей час- р ти раструба, при этом диаметр большей части конусного торца превышает диаметр наименьшей части раструба.Боковая...

Номер патента: 1541484

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Ермолин, Клюшин, Парашин, Угодчиков

МПК: G01J 1/44

Метки: потоков, регистрации, световых, слабых

...ФЭУ 2 в электрические импульсы, усиливаются и нормируются по амплитуде и усилителе-дискриминаторе 3 и поступают через открытый элемент И 4 на вход широтного дискриминатора 7. Через широтный дискриминатор 7 проходят только информационные импульсы, которые ,это известно априори) имеют как минимум в два раза большую длительность, чем шумовые импульсы, и через элемент ИЛИ 8 поступают на счетный вход счетчика 9. При этом импульсы с генератора 10 с частотой как минимум на порядок большей, чем регистрируемая интенсивность светового потока, через открытый по входу от счетчика 9 элемент И 11 поступают на счетчик 12 импульсов. В момент переполнения счетчика 9 элемент И )1 блокируется, При этом сигнал переполнения счетчика 9 поступает на первые...

Номер патента: 1551771

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Быков, Голубев, Михайлин, Свинцов

МПК: E02B 5/02

Метки: грунтах, канала, слабых, строительства

...рабочий уровень воды (РУВ), 25который располагают ниже уровня воды(НУВ) соответствующего транспортированию заданного расхода воды по каналу 1, Ширина В выемки 2 прц разработке земснарядом 3 слабого грунта 4нд уровне верхней поверхности 6 ложа7 русла кацдлд 1 должна быть равнасумме ширины В кдндла 1 по верху иширины 2 в иригрузок 8 ио верху цдоткосах,35Разработанный при устройстве выемки 2 слабый грунт 4 намывают в отвал9, предварительнс ограждаемый дамбой10 обвалоьдция,После устройства выемки 2 производят замыв ее минеральным грунтом11, разрабатываемый в карьере земснарядами, При этом из пульпопроводов12, располдгаемых вдоль продольнойоси канала 1, осуществляют торцовой 45намыв минерального грунта до поверхности 13,...

Номер патента: 1557256

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Березин, Быстрых

МПК: E02D 1/02

Метки: грунтов, исследования, слабых

...закрытых вентилях 11-14 подают сжатый воздух под давлением, которое контролируют по манометру 15. На узел 10 переключения устанавливают вакуумный манометр 16, открывают вентиль 12 на трубопроводе 5 и вентиль 11 на отводящем трубопроводе 9. Затем открывают вентиль 15 и производят сброс сжатого воздуха з баллона б через выхлопной патруЗа счет эжекторного эффекта тводящий трубопровод 9 проистсос воздуха из трубопровода 5 ненной с ним нагрузочной каме 1557256ры 3. В результате этого давление внутри резиновой оболочки оказывается ниже наружного атмосферного и создавшаяся разность давлений надежно прижимает оболочку 3 к корпусу 1.5 Разряжение контролируют по ваку" умному манометру 16 и в момент начала снижения разряжения перекрывают вентиль...

Номер патента: 1559047

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Глызин, Михайлов

МПК: E02D 1/00

Метки: грунтовых, насыпей, осадок, оснований, слабых

..." для вывода кабеля 6,Установка устройства в основаниеземляного полотна, его работа и измерение осадок насыпей заключаетсяв следующем,До начала отсыпки, насыпи анкерную сваю в сборе с верхней съемнойштангой внедряют в слабый грунтоснования с заглублением в нижележащий плотный слой грунта,Затем свинчивают и вынимают верх.нюю съемную штангу (фиг. 3). Послеэтого вместо верхней штанги устанавливают трубку 1 с преобразователем с введением ее конца в полость трубчатой анкерной сваи доупора опорной пластинки 3 с поверхностью основания насыпи, В-В Я = ---- (мм) г п Фначальное сопротивление струн, ом;сопротивление струн на любой момент после отсыпки насыпи, ом;.удельное сопротивлениепровода струн 1количество струи. 45 50 Периодические...

Номер патента: 1589071

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Федоров

МПК: G01J 1/44

Метки: потоков, регистрации, световых, слабых

...логическую схему также поступают и Фотоимпульсы с амплитудногодискриминатора 4,Логическая схема выполняет следующую логическую операцию:40С = А ВЧА Вгде А - вся совокупность импульсовфотоэлектронного умножителя,.поступающая с первого элемента 3 задержки;В - импульсы, превысившие порогдискриминации, поступающиес амплитудного дискриминатора 4.;С - импульсы на выходе логичес 50кой схемы (выход элемента2 ИЛИ 15),Таким образом, с выхода логическойсхемы (выход элемента 2 ИЛИ 15) поступают импульсы, амплитуда которых ниже 55порога дискриминации, Длительностьэтих импульсов преобразуется в цифровой код преобразователем время-цифра,,состоящим из генератора 19 импульсовтретьего элемента 2 И 17 и второго счетчика 18, путем заполнения...

Номер патента: 1622526

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Бабенко, Заболотный, Яструбинецкий

МПК: E02D 27/01

Метки: водонасыщенных, глинистых, грунтах, слабых, фундамент

...сокращающую путь воды, и создает дополнительные сжимающие горизонтальные напряжения по краям фундамента, что способствует повышению несущей способности фундамента в процессе консолидации и сокращению сроков строительства. Формула изобретения 25 Составитель Г, ГаврищукТехред М,Моргентал Корректор И, Муска Редактор В, Данко Заказ 95 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откры 1 иям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к строительствуи касается возведения фундаментов на слабых водонасыщенных глинистых грунтах,Цель изобретения .- повышение несущей способности и сокращение сроков...

Номер патента: 1629406

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Базин, Миняев

МПК: E02D 1/00

Метки: грунтов, зонд, исследования, слабых

...изогнутых рычагов 11, установленных Ос, на осях 5 с возможностью поворота вокруг них, а нижняя половина - в виде цилиндра ) 12 со скосами на верхней торцовой части, д взаимодействующими с изогнутыми рычагами 11, измерительное приспособление в виде реостата, закрепленного на сальниковой О втулке б, ползун которого закреплен на верхнем конце штока 7. Цилиндр 12 жестко соединен с нижней частью цилиндра 2 с а крыльчаткой 3. Между конусным наконечником 9 и цилиндром 12 кулачковой муфты установлена резиновая манжета/13. Корпус 1 жестко. соединен со штангой 14, через полость которой пропущен кабель 15 связи.Зонд для исследования слабых грунтов работает следующим образом,.2 ФиИ Составитель Н.ЕвстигнеевРедактор Г,Гербер Техред М.Моркентал...

Номер патента: 1629414

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Довнарович

МПК: E02D 27/34, E02D 3/12

Метки: вертикально, возводимый, грунтах, нагруженный, основание, слабых, фундамент, центрально

...подушки 1 из уплотненного грунта, подстилаемой плитой-диафрагмой 2. На подушку 1 установлен фундамент 3. Под плитой-диафрагмой 2 расположен нижний слой основания со слабыми грунтами 4. Подушка 1 выполнена толщиной Ь, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от веса фундамента 3 и подушки 1. Ширина В плиты-диафрагмы 2 определена зависимостью В = Ь+ К Ь, где Ь - ширина фундамента; К - коэффициент распредели-ельной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагружением образца из этого материала с измерением распределения напряжений по зго ширине;. причем толщина плиты-диафрагмы 2 определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от...

Номер патента: 1654443

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Иванов, Косов, Субботин

МПК: E02B 11/00

Метки: грунтах, каналов, осушения, предварительного, слабых, строительства, торфяных

...22 части, Периферийная часть 22 разделена радиальными перегородками 23 треугольной формы на отдельные сеции По боковой поверхности периферийной части 22 вьполнена перфорация в виде отверстий 24, С торцов рабочий орган 7 имеет две шейки 25, На шейках 25 установлены две втулки 26 с конической наружной поверхностью и высоким бортиком цо наружным торцам. По внешнему контуру рабочий орган 7 снабжен зубчатым ванцол 1 в виде пилы, Сцогоб строи.ельства каналов предварительного осушения на слабых торфяных грунтах осуцествляот сладуоил обрззол: при движении устройства по трассе канала на участке с прочностью грунта т . 5 кПа скреперы 4 для снятия лохового покрова находятся в транспортном положении. Рабочий орган 7 посредством гидроцилиндров 9...

Номер патента: 1656075

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Трушинский, Шапошников

МПК: C09K 17/00, E02D 3/12

Метки: грунтов, закрепления, композиция, слабых

...М 400 5. Известная 30 Известь 1,0 уплотнение получаемого материала и предотвращает протекание этой реакции после твердения цементогрунта.Примеры конкретного выполнения композиции и свойства получаемого материала приведены в таблице.Как видно иэ приведенных данных, материал предлагаемого состава имеет высокую прочность при значительной экономии цемента.Формула иэо бр ете н ия Композиция для закрепления слабых грунтов, включающая грунт, портландцемент, гашеную известь, сернокислую соль иводу, о т, л и ч а ю щ а я с я тем, что, с цельюповышения прочности и экономии цемента,она содержит в качестве сернокислой соли5 сернокислый алюминий и дополнительномолотый гипсовый камень при следующемсоотношении компонентов, мас.ч:Грунт...

Номер патента: 1661879

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Вохмин, Гилинский, Левин, Номоконов

МПК: H01P 1/23

Метки: подавитель, сигналов, слабых

...5;Фв - набег фазы на отрезке 1;Овн - амплитуда сигнала на входе отрезка 1, равная номинальному значению пороговой амплитуды Опор.В - коэффициент ослабления сигнала при однократном обходе по кольцу,Вход 8 сумматора 7 и выход 9 разветвителя 6 являются соответственно входом и выходом устройства,Подавитель слабых сигналов работает следующим образом,В установившемся режиме СВЧ-сигнал Овх, поданный на вход 8, в сумматоре 7 векторно складывается с сигналом, прошедшим отрезок 1, разветвитель 6 и цепь 5. Результирующий сигнал Овн поступает на вход отрезка 1, коэффициент передачи и набег фазы Фм в котором зависят от значения Овн. Для слабых сигналов отрезок 1 за счет возбуждения в намагниченной ферритовой пленке 4 магнитостатических волн...

Номер патента: 1663175

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Мазанов

МПК: E21B 17/046

Метки: грунтов, зондирования, оборудование, слабых

...быстроразъемного замкового соединения осуществляется с помощью узла размыкания, В исходном положении (фиг. 9 и 10) охватывающие штангу втулки 18 и 19 поджаты одна к другой пружинами 21 с помощью штоков 20,при этом нижние торцы штоков контактируют с крышкой подшипника 16 и прижаты кней усилием предварительно растянутой5 пружины 17, Штырь 12 через втулку 18 при-.жат пружинами 22 к штанге, а его сферическая головка расположена в углублениипродольной канавки 14, При подаче штангна подъем штырь 12 скользит по канавке 14,10 а в момент совпадения с отверстием 11 фиг.11) утапливается внутрь муфты 3 усилиемпредварительно сжатых пружин 22. Приэтом в результате взаимодействия штыря 12с подпружиненным хвостовиком 13, головка15 зацепа 9 выйдет...

Номер патента: 1670132

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Истомин

МПК: E21C 41/26

Метки: грунтах, слабых, сооружений, укрепления

...при экономии материала пригрузки, У аварийного откоса укрепляемого сооружения. расположенного на слабом грунте, первоначально отсыпают пригруэку не менее чем двумя участками с примыканием к откосу укрепляемого сооружения из группы с повышенными прочностными характеристиками. Между участками пригруэки слабый грунт основания вынимают, а выемку заполняют грунтом иригруэки. При этом расстояние между участками пригрузки не превышает двукратной высоты укрепляемого сооружения. Начастках эамещенного основания отсыпают участки пригруэки, 1 ил,го сооружения, Между участками иригрузкрт3 и 4 слабый грунт основания вынимают ивыемку 5 заполняют грунтом, взятым сосмежного торца пригрузки 4 и укладываютего на противоположный от пригрузки 4 откос...

Номер патента: 1677176

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Булавинцев, Куприй

МПК: E02B 17/00

Метки: грунтов, морская, платформа, слабых, стационарная

...8 на сваях, зафиксированными посредством упоров 9 в зоне контактаслабого грунта 3 и плотного грунта 5, Насваях 4 ниже закрепления в опорной конструкции 7 установлен верхний шарнир Ои выше насадки - нижний шарнир 11. Морская стационарная платформа работает следующим образом.Опорная конструкция 2 воспринимает нагрузку от палубы 1 с размещенным на ней оборудованием. В результате, основание опорной конструкции смещается и поворачивается на некоторый угол, Вследствие наличия верхних шарниров 10 и нижних шарниров 11 в сваях 4 на участке слабого 4 О грунта 3 не возникают изгибающие моменты, а лишь продольные усилия. Поперечное смещение через упругие элементы 6 передается посредством насадок на сваи в уровне плотного грунта 5. Изгибающий момент...

Номер патента: 1690645

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Комиссар

МПК: A01K 47/00

Метки: зимовки, нуклеусов, пчелиных, семей, слабых

...до потолочины 7. Нагревательный элемент состоит из тепловыделяющего элемента 9 и теплоизлучающей поверхности 10, непосредственно контактирующей с объемом, в котором находятся пчелы. Температуру в верхней части улья контролируют с помощью контрольного термометра 11, для ее изменения используют регулятор 12 мощности нагревателя. Автоматический регулятор 13 с термодатчиком 14 обеспечивает выбор мощности нагревателя в зависимости от температуры окружающей среды.Способ осуществляется следующим образам.Регулятором 12 устанавливают такую мощность нагревателя, которая обеспечивает поддержание в верхней части улья температуры 20 - 30 С. При этом в районе летка температура остаетея на уровне внешней- температуры за счет. расстояния 0,6 - 0,95...

Номер патента: 1698340

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Попов, Прохоренков

МПК: E01C 9/00

Метки: грунтах, дорожная, конструкция, слабых

...поддержанию формы откосов траншеи 4. Затем на нижние горизонтальные выступы анкерных элементов 2 основания укладыва;от трубопровод 5 один или нескслько) или другие инженерные коммуникации. Гибкую стяжку 3 монтируют с помощью петель 15 на внутренних гранях плит анкерных элементов 2 таклм образом, чтобы она с допустимым (для нее. и для изоляции трубопровода 5) натяжением касалась верхней поверхности трубопровода 5. После этого траншею 4 и трубопровод засыпают грунгом с профилировкой е о поверхности в виде выпуклого двухскатного или серповидного) г:оперечного профиля при послойном уплотнении, Затем на консольные выступы 6, верхняя повер .ность которых расположена нз уровне вась:.панного спрофилированного и уплОненного Грунта, разглещзют...

Номер патента: 1698854

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Андарало, Васильев, Прокошин, Ярмолович

МПК: G01R 33/05

Метки: датчик, магнитных, полей, слабых

...пластины концентратора магнитного потока датчика;длина пластинь 1 концентратора магнитного потока датчика, и, кроме того, значейиеширины пластины выбираетсябольше . ее длины, а толщинапластины концентратора магнитного потока намного меньше его длины и ширины На фиг. 1 представлен датчик. Дат-.чик состоит из пластин концентраторов 1 и 2 магнитного потока и помещенного между пластинами датчика 3Холла, Приведенные математическиеформулы верны для расположения преобразователя Холла как в геометрическом центре торцов пластин, так и вдругих точках указанных торцов. Однако оптимальными характеристиками датчик обладает при расположении преобразователя в геометрическом центрефигуры, образованной сверху торцомконцентратора 1, а снизу торцом...

Номер патента: 1701921

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Охота, Прокопенко, Соломакин, Фелькер

МПК: E21C 41/26

Метки: обводненных, основаниях, отвалообразования, слабых

...фиг. 1 представлена схема осуществления способа отвалообразования, вид в плане; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг, 1.Способ осуществляется следующим образом,На слабое обводненное основание гидраотВаЛа ПрИ ПОМОЩИ драсЛайНа 1 ОтСЫПают заходку 2 из коренных пород, вытесняющую породы основания из-под себя в обе стороны. Затем параллельно заходке 2 отсыпаат заходку 3 такой же высоты оставляя промежуток между их нижними Оровками. При этом заходку 3 Отсыпают на удалении от заходки 2, определяемом по формулеОосн Ьрекгде Н - высота эаходки, м;йосн - мощно:ть слабого основания, м; брек " МОЩНОСТЬ РЕКУЛЬТИВаЦИОННОГО СЛОЯ, М;а - угол огкоса отвальной заходки, град;к - коэффициент, учитывающий потери ггунта в...

Номер патента: 1717689

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Вырко, Мытько, Насковец, Танкович

МПК: E01C 9/00

Метки: грунтах, дорожной, конструкции, слабых, устройства

...6, одновременно с этим вершинные части выступают за пределы покрытия и накладываются на две рядом лежащие перекрывающиеся кроны (фиг.2), При этом вершинные части крепят к продольным лагам вертикальными связями, Вертикальные связи могут быть жесткими, в виде болтового соединения, гибкими - проволока или синтетические нити. Кроме того, поверх вершинных частей и настила могут быть уложены продольные бревна, между. которыми отсыпают покрытие и которые также соединяются вертикальными связями с продольными лагами (фиг.З).Дорожная одежда, возведенная предлагаемым способом, работает следующим образом.При движении автомобиля давление от колес передается через слой покрытия на настил из вершинных частей и далее на слабый грунт. Происходит...

Номер патента: 1717893

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Даньшин, Саттаров, Спиридонов

МПК: F16L 1/028

Метки: грунтах, прокладки, слабых, траншее, трубопроводов

...на фиг. 4 - план траншеи с поперечными скрутками гибкого ковра,Предлагаемый способ состоит в том, что рытье траншеи 1 в слабых грунтах производят ниже уровня укладки трубопроводов на 10 - 20 см, после чего профилируютдно траншеи в виде плоскости 2, а также в виде продольных ручьев 3 и грунтовых валиков 4, Затем по профилю дна траншеи расстилают гибкий ковер 5 из фильтрационного материала и производят подсыпку слоя грунта 6, который затем уплотняют.На подготовленное таким образом основание укладывают трубопроводы 7 и покрывают их гибким ковром 8 с облеганием трубопроводов поверху. Затем ковры 5 и 8 скрепляют между собой путем сварки в точках 9 или связей в виде анкеров 10,После этого траншею засыпают грунтами 11 до проектной...

Номер патента: 1726675

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Болштянский

МПК: E02D 17/18, E21C 41/00

Метки: возведения, грунтах, насыпи, подвижная, слабых, эстакада

...на телах качения в виде колес, например, на . базе 60-тонного трайлера; на фиг.3-5 - реализация способа с помощью поворотной платформы, установленной на катках.Способ возведения земляного полотна осуществляется следующим образом. Самосвал с грунтом движется по насыпи к точке а, из которой начинается его въезд на передвижную эстакаду и поворот по траектории а-б, Затем самосвал задним ходом движется по эстакаде по траектории б-в, послечего движется вперед по траектории в-г и задним ходом по траектории г-д сьезжает с эстакады и движется к месту разгрузки, По мере того, как фронт разгрузки продвигается вперед, расстояние увеличивается. При достижении= 50 м, производится перемещение эстакады по ходу возведения земляного полотна на 30-40...

Номер патента: 1730323

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Лейтланд, Носков, Тупицын

МПК: E01C 3/00

Метки: дорог, земляное, основаниях, полотно, слабых

...на синтетический материал 3 и слабое основание 2 отсыпается, включая прорези, слой грунта 4, который охватывают синтетическим материалом 3 поверху, такке под углом 45 к оси насыпи, образуя таким образом обойму из грунта, слоя 4 и прорезей 2. При этом расход синтетического нетканого материала, приходящегося на единицу площади слабого основания, определяется из выражения 8 йи где Рр - удельное давление на слабое основание от веса насыпи и подвижной нагрузки, кПа;Рб - предельно допустимая нагрузка, которая может быть передана на слабое основание по условию устойчивости, кПа;Д - диаметр круга, равновеликого следу колеса расчетного автомобиля, м;Ьи - высота насыпи, м;Йи - сопротивление синтетического нетканого материала на разрыв при...

Номер патента: 1740520

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Бондарь

МПК: E01C 3/00

Метки: водонасыщенных, грунтах, основания, подготовки, слабых, сооружения

...в пределах основания на всю мощность слоя слабого грунта 1 и подушки 2 выполняют зарядные полости (ЗП) 3 и дренажные скважины (ДС) 4, В ДС. 4 размещают зодоприемники в виде перфорированных труб 5. При этом ЗП 3 выполняют по квадратной сетке в плане, а ДС 4 - на линиях, соединяющих соседние ЗП 3, на равном от них удалении и в центре образуемых этими линиями квадратов. В ЗП 3 размещают ,вертикальные заряды взрывчатого вещества 6. Производят взрывание зарядов ВВ 6. Под действием .взрывных газовмУ деиствующих по направлениям 7, в слабом грунте 1 образуются вертикальные цилиндрические полости 8, заполняющие174052 ся под действием силы тяжести дренирующим материалом подушки 2. Газы взрыва, расширяясь и проникая в поры слабого грунта 1,...

Номер патента: 1740652

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Джапаров, Орлов

МПК: E21B 47/10

Метки: жидкости, колонне, местонахождения, обсадной, скважины, слабых, утечек

...определяют максимальную производительность дефекта, а затем спускают в скважину высокочувствительный термометр на глубину выделенного интервала утечки, закачивают в обсадную колонну жидкость с максимальной производительностью и одновременно измеряют температуру на данной глубине за заданный промежуток времени. Затем перемещают термометр в направлении интервала утечки жидкости с заданным шагом и последовательно измеряют температуру в течение заданного интервала времени, Точное место утечки определяют в момент регистрации изменения во времени температуры жидкости.На фиг. 1 и 2 схематично показана реализация предлагаемого способа.П р и м е р, Перед спуском термометра в скважину с помощью цементировочного агрегата и регулируемого...