Способ образования оснований сооружений на слабых грунтах

Номер патента: 1493727

Авторы: Зарецкий, Иващенко, Климанов, Усачев

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСН ХРЕСПУБЛИК 93727 А 1 9)(51)4 с 0 о 7 (6 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ А ВТОРСКОМУ СВИ 7(и. 1(ель изо Опасности и экгну оснонания КИ НОДОНЕПРОН ИСТЕ ОСНОВДН слос ч водь. Пс Е(с") , ИГСТЬ ОСИ( и н,:1 и;,О:( Рс Н И РУ ОЕе1 гнякг Отис 1про,(ольн н:(си(едкт тр чс реэ ни ьоды ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР; С.ЕДСО(ИРСНГйо ОСНОНДОретенияшвыЕсне(с безоочичности рн(от ИО устрой.достигается зд счет укладицаелого экрана 4 на поверх 2 и покрытия последнего рсд уклддкой экранд 4 иа по. н;ния укладындвт полосы 3чсридг(е. Крол(с того, нь- с Ия н эк;не 4, сонмеиеая ) и Ось(О ОсиОВИ ни я, и ус Гд.6 ы с посл .еуеоцей ОткдчОй1 илИзобретение Относится к гдротсх(1(ческому строите,ьст(у, и частности, н условиях водоемов нд слабом грунтовом основании.1 е,ь и:(обретен(353 - повышение бе (Ондс. нкти и эки(омичности работ ИО ус(ройству к (она и ия.Н 3 чертеже ирсдставлено шзводимое соорхкение, вид сбоку.Поверхнскть слдбого грунтас помощьо одолдзон очищают от камней и крупного мусора и вдоль основания 2 слоями Ио принципу обратного фильтра) укладывают иолосу,5 дренируюцО материалаИесвязньй грунт, м(ксимд. ьный размер частиц дО 100 мм, толщины (к),(осы 0,5 м, ширин 4 м). ;5 дтем поверх нолосы 5 и нд поверхности Грунткл;,(ь(н;(ют Водонеирни идем ый экран 4, н(13 л 1 И 3133(Й ( .к(С 13(ых н . .(О Ги(е 10 1) ы,(сОн 633 Г 1 н-(1 О,(1 срИОГО матери (3 л 3 (рм)б)33 3 1 и, (3 1 м (рн( иО стс клоткс 3(1 к) ( ГО,3331333 5 О мм ), Ос(ч(нг 551 и Н . М О Г В Е Р С Г И и ),О НС НС 313(С и 3(Р О. (О,1)- и1 В.р Гик(3,(ьи( с(О )сн)В( н и 3 . 11(1 1- Верхости б (и.(ы, 1(окр( (н;О(1 й с, (дбый ,)унг 1, уста;(влиндкГ сваренные и( листоного железа ни)ланки 7 грузонодьемнктьк зо 8 т с цснтрирук)шими Отнерс(3(яи 8 и 1) и к с и Рк)3 н О н,1 3 н к (3 Отт 53 ж к 1 м 1 ) с 51 ко Р 51. м 1 10, Г. ИОИ.1(Вков 7 с Помо(цьк) и.ВчеГО к 1 и(1(;1 сскиих(3 1 О ) м монтир)к) ВГр 3 - кд,(ьную трубх 11, соединяя ее с О(версгиями 5, затем О к;(чиндк)т из иогОс(3Грубы 1 Вод) 11,сосом 1,5, когор 331, р;ботдя(ВТОМ,Т 11(ССКО 1 РС( МЕ, 3(ОЧ.(ЕРК 1(В(СТ урон И 1, 4 ВОд(3 н и.(,1 с(33 3.Ол .1 ис 1 В(С 3 разности давлений, создаваемой на верхней и нижней границах экрана вследствие откачки волы из полости трубы, происходят отжатие поровой жилкосги из грунта основания, его уплотнение уирочнение. По мере упрочения слабого грунта он приобретает сособость воспринимдть дополнительную нагрузку.Таким образом, еще до одного завершения нроцесса консолидации на )кнование может быть передана нагрузка от возводимого на нем сооружения. 15 С,особ образования оснований сооржений на слабых грунтах, включакиций уклдд- К, ВОДОНЕНР)НИЦД(,.МО(О ЭКРДН( 1(1 НО 15.РХ.НО ГИ О.НОНДН 151 И НОКР(АТИС О(.ИОВД 1(И .1(ЕМ щ ды, г.(с (ссиис(г( тем, что, с цсльк) ионы(ения безоснос(3 и экономичнк: рдбог 20О ус гров. гну основания, перед уклддкои ИО,(О(сиро(идсхОг;кр(33(д на (н)вс 1 хнкт .,11 бО(О 1 руТд 31.(оль родо зЫ(ОИ ОС )СИО Вдиия ) кладынд(от и.3(ку др.нируюиего матери.(д, нри укладке Водонепроницаемого 25 экран (3 Вы но д и яют и не( Отверст и 53 сОВ 51- шая их с нродолш(ой вертикально кО Основания, затем нд иоверхносги воды, но.крындюшей слабыи груи, устднавливдкт ИОИ.(;нки, фиксируя их отгяжками с якорями, 1 с ИО(лдвков монтируюГ вертикальные гру Оы, соединяя их с Отверстиями В экране, иск

Смотреть

Заявка

4329221, 19.11.1987

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ СЕКТОР ВСЕСОЮЗНОГО ПРОЕКТНО ИЗЫСКАТЕЛЬСКОГО И НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ИНСТИТУТА "ГИДРОПРОЕКТ" ИМ. С. Я. ЖУКА

ЗАРЕЦКИЙ ЮРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ, ИВАЩЕНКО ИЛЬЯ НИКОЛАЕВИЧ, УСАЧЕВ ИГОРЬ НИКОЛАЕВИЧ, КЛИМАНОВ БОРИС НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: E02B 7/06

Метки: грунтах, образования, оснований, слабых, сооружений

Опубликовано: 15.07.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1493727-sposob-obrazovaniya-osnovanijj-sooruzhenijj-na-slabykh-gruntakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования оснований сооружений на слабых грунтах</a>

Похожие патенты