Довнарович

Номер патента: 1789595

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Довнарович, Коновалов, Нечай, Николаев, Сихарулидзе, Тепляков

МПК: E02D 27/00

Метки: грунтов, набухающих, основания, подготовки

...фиг, 2 - сечение А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - сечение Б-Б на фиг. 1; на фиг, 4 - сечение В - В на фиг. 1; на фиг. 5 - образец с полостями; на фиг. б - единица объема основания с полостями; на фиг. 7 - график зависимости относительного набухания от объема полостей в образце,Сущность способа заключается в следующем.Набухание грунта в основании зданий и сооружений приводит к разрушению последних или нарушает их нормальную эксплуатацию,Набухание увеличивается с увеличением плотности набухающего грунта, а с уменьшением плотности уменьшается или совсем исчезает,Выполнение полостей в соответствии с заявляемым способом искусственно уменьшает плотность набухающего грунта, уменьшая или исключая его набухание, создавая тем самым нормальные...

Номер патента: 1629414

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Довнарович

МПК: E02D 27/34, E02D 3/12

Метки: вертикально, возводимый, грунтах, нагруженный, основание, слабых, фундамент, центрально

...подушки 1 из уплотненного грунта, подстилаемой плитой-диафрагмой 2. На подушку 1 установлен фундамент 3. Под плитой-диафрагмой 2 расположен нижний слой основания со слабыми грунтами 4. Подушка 1 выполнена толщиной Ь, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от веса фундамента 3 и подушки 1. Ширина В плиты-диафрагмы 2 определена зависимостью В = Ь+ К Ь, где Ь - ширина фундамента; К - коэффициент распредели-ельной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагружением образца из этого материала с измерением распределения напряжений по зго ширине;. причем толщина плиты-диафрагмы 2 определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от...

Номер патента: 1447588

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Андрущишин, Довнарович, Жужа, Куролапник, Митасов, Михеева

МПК: B23K 3/06

Метки: ванне, поддержания, припоя, уровня

...действием очень сильных внешних возмущений (толчков, ударов,сильных вибраций) световой потоккратковременно перекрывается. Однако,при этом срабатывание ковша не происходит за счет формирования временным селектором 8 защитного интервала,длительность которого больше постоянной времени механического успокоенияповерхности припоя в ванне 2. Этонеобходимо для повышения точностиподдержания уровня припоя, в противном случае любое кратковременное.внешнее воздействие (возмущение) привело бы к непредусмотренному наполнению ванны 2,Вторая временная зона - эта зона,когда уровень припоя приближаетсяк своему критическому значению (всторону уменьшения). При этом, рычаг6 начинает перекрывать световой поток оптопары 7 как за счет действиявнешних...

Номер патента: 1407717

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Андрущишин, Довнарович, Жужа

МПК: B23K 3/00

Метки: пайки, радиодеталей, сборки

...33 механизма 16 сборки раскрывается прижимная пластина 37, Корпуса 51 конденсаторов на вибробункере 3 поступают в механизм 4 подачи корпусов, а затем утсанавливаются в вырезах 30 держателя 29 корпусов и зажимаются прижимной пластиной 37. Прижимная пластина 37 имеет возможность качания вокруг оси 35, тем самым обеспечивая надежный зажим двух корпусов 51. В это время держатель 3 выводов находится в верхнем положении и фиксируется подпружиненным шариковым фиксатором 10.При повороте поворотного стола 2 копир 20 воздействует на подвижно закрепленный на оси 43 ролик 42, опускает держатель 31 выводов, который, поворачиваясь вокруг оси 39, опускается на упор 41, тем самым совмещая центрируюшие отверстия 32 с отверстиями корпусов 51.После этого...

Номер патента: 1006618

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Довнарович, Иванов

МПК: E02D 27/38

Метки: деформации, сооружения, уменьшения

...деформации сооружения, включающий нагнетание твердеющего материала под опорную часть сооруже ния, размещенную на грунтовом основании 12.Недостатком известного способа является его недостаточная эффективность.20 Цель изобретения - повышение эф,фективности способа, уменьшение деФормации сооружения.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу уменьшениядеформации сооружения, включающемунагнетание твердеющего материалапод опорную часть сооружения, размещенную на грунтовом основании, переднагнетанием твердеющего материала З 0производят уплотнение грунта основания путем загрузки опорной части,после чего последнюю разгружают, атвердеющий материал нагнетают в полость,образованную в результате загрузки и 35разгрузки опорной части,...

Номер патента: 728086

Опубликовано: 15.04.1980

Автор: Довнарович

МПК: G01N 33/24

Метки: внутри, насыпи, осадок

...30 Гт; 2 - " - - 4;:1тения - повышение произв 0: - 1дет выявлено на основании замеров перемещения поверхности грунта под весом насыпей, которые планируется выполнить с помощью предлагаемого гидростатического уровня.Устройство включает сообщающиеся сосуды 1 и 2, соединенные трубами 3. Сосуд 1 имеет сверху отверстие 4 и присыпан слоем дренирующего материала. Сосуд 2 удален от насыпи на столько, чтобы грунт там уже не деформировался от веса насыпи. Сосуд 2 соединен с напорным водопроводом 5 через запорную арматуру (задвижку 6). При этом сечение водопровода более чем в 100 раз больше сечения отверстия в закрытом сосуде,Устройство работает следующим образом.Для определения положения одного из сосудов (1) открывается задвижка 6 и...

Номер патента: 319050

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дарменко, Довнарович, Иващенко, Ков, Нестер, Оснач, Ситников, Токовенко

МПК: H03K 3/14

Метки: многоустойчивый, фазоимпульсный, элемент

...теряет только часть своего заряда, т, е, разряжается на некоторую величину ЛЕ/. С окончанием входного импульса трацзистор 2 запирается, и коц.25 децсатор 6 перезаряжается через эмиттерцыйповторитель 9, диод 7 ц резистор 22 формирователя 1.Для такой схемы наце зависит от порядко30 импульса и текущего знна накопительном конденсаторе 5, а определяется амплитудой импульсов на входе накопителя и соотношением емкостей конденсаторов 5 и б.Напряжение на конденсаторе 5 имеет вид ступенчатой кривой (фиг. 2, Ь).Как только напряжение на выходе эмиттерного повторителя 9 становится меньше опорного напряжения /запоминаемого конденсатором 13, открывается диод 11 компаратора 10 и по обмотке 12 трансформатора протекает импульс тока. Благодаря...