Патенты с меткой «проницаемости»

Номер патента: 834634

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гусев, Иванов, Мирин, Фокин

МПК: G01R 33/12

Метки: комплексноймагнитной, проницаемости

...в спектре выходного сигнала. При выходе на колено кривой намагничивания эта погрешность еще более увеличивается, так как значения комплексной магнитной проницаемости за половину периода переменного магнитного поля уменьшаются, а первая гармоника индукции, создаваемая переключением направления постоянного магнитного поля, остается в первом приближении неизменной.Цель изобретения - повышение точности измерения комплексной магнитной проницаемости.Поставленная цель достигается тем, что на образец воздействуют переменным синусоидальным магнитнымполем и постоянным магнитным полем, направление которого изменяют на противоположное в моменты равенства нулю напряженности переменного синусоидального магнитного поля, определяют первые...

Номер патента: 849119

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Крохин, Маслов, Хмарук

МПК: G01R 33/16

Метки: импульсноймагнитной, проницаемости

...компаратора 8, а выход подключен ко входу цифрового взмерительного блока 13.Устройство работает следующим образ омеПеред началом каждого измерения блок 11 управления одновременно устанавливает равным нулю выходное напряже ние генератора 9 ступенчатого напрвжения, устанавливает в единицу триггер 14 и обнуляет счетчик цифрового измеритель 25 кого блока 13. Генератор 1 намагничивающих импульсов посредством намагннчиваЬщей обмотки2 намагничивает .испытуемый сердечник 51 в результате че 5 О го в измерительной обмотке 4 наводятся импульсы ЗЙС, которые интегрируются интегрирующим усютителем 6, Амплитуда импульсов Оц, получаемых на выходе интегрирующего усилителя 6, пропорциональна магнитной индукции В19 4 и частота, будут пропорциональны...

Номер патента: 853575

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Андреев, Драчев, Нецко

МПК: G01R 33/12

Метки: импульсноймагнитной, проницаемости

...две сдвинутые на полпериода последовательности импульсов соответственно на гене ратор намагничивающих импульсов 2 и электронный ключ 5. Генератор намагничивающих импульсов 2 формирует на входной обмотке испытуемого образца 3 импульс тока треугольной формы, при этом З 0 на выходной обмотке испытуемого образца 3 появляется сигнал, пропорциональный производной магнитной индукции по времени, форма которого близка к прямоугольной, а длительность равна длительности з 5 переднего фронта тока на входной обмотке образца 3. На второй ввод электронного ключа 5 подается напряжение постоянного тока от управляемого источника напряжения 4, а на выходе ключа 5 формируются импульсы прямоугольной формы, амплитуда которых равна напряжению на выходе...

Номер патента: 855535

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Малыхин, Михайленко, Шлепнев

МПК: G01R 27/26

Метки: магнитной, проницаемости, твердых

...подбирают до тех пор, пока помещение образца в измерительный контур не будет влиять на резонанснуючастоту, а также тем, что выравнивание магнитной проницаемости твердого материала н ферромагнитной жидкости достигается путем смешиваниядвух или более типов ферромагнитныхжидкостей, а также путем измененияконцентрации диспергнрованного ферромагнетика в жидкости,В одновитковую вторичную обмоткупермеаметра помещают ферромагнитнуюжидкость, р которой равнатвердогообразца. Магнитную проницаемость ферромагнитной жидкости определяют по855535 Формула изобретения 20 Составитель Л, СорокинаРедактор К, Волощук Техред С. Мигунова Корректор Н. Швыдкая Заказ 6899/63 Тираж 732 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 859896

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Белькова, Замотринская, Михайлова, Нестеров

МПК: G01N 27/22

Метки: дисперсии, диэлектрической, полуизолирующих, проницаемости, ячейка

...исследуемое вещество.Ячейка работает следующим образом,Эквивалентная схема замещения ячейки(фиг, 2), заполненной материалом, диэлектрическая проницаемость которого имеет частотную дисперсию, состоит из двухветвей: левой и правой,Левая ветвь; С, Р - емкость исопротивление, двойного электрического 50слоя на границе раздела исследуемый мате-,риал - проводящий элемент; С , 1" и1 иС, У - емкость и сопротивление двухЙС -цепочек, моделирукяцих реаксационные процессы в части образца с площадью 55поперечного сечения, равной площади контакта проводящего элемента с образцом,С - емкость части диэлектрической про кладки 5, с площадью, равной площади контакта проводящего элемента с образцом.Правая ветвь: С 1 - емкость диэлектрической прокладки с...

Номер патента: 864066

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Поляев, Синцов

МПК: G01N 15/08

Метки: исследования, пористых, проницаемости

...свойств пористых материалов и расширение возможного диапазона исследований капиллярных явлений в проницаемых листовых материалах.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем закрепленные на основании две камеры газовую и жидкостную полости которых соединены с источниками сжатого газа, жидкостная камера выполнена в виде герметичного сосуда, а газовая .- 4 О в виде вставленного в жидкостную камеру стакана, в торце которого закреплен образец, причем камеры установлены на основании с возможностью вращения вокруг горизонтальной оси и фиксации в любом угловом положении.На чертеже изображено предлагаемое устройство (разрез), общий вид.Устройство содержит основание 1 с закрепленными на нем цапфами 2. В щ гладких отверстиях...

Номер патента: 868483

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Аркджовский, Васильев, Журавлев, Любутин, Наумец, Щеглов

МПК: G01N 15/08

Метки: агрессивных, кинетики, полимеры, проницаемости, сред, химически

...МДП-транзистор,дваисточника постоянного напряжения,индикатор и пороговое устройство сдвумя выходами, причем МДП-транзистор помещен на цилиндрический элект"род и расположен диэлектриком к образцу, приэтом одна из клемм первогоисточника постоянного напряженияподсоединена к металлической камере,а вторая - к цилиндрическому электроду, одна из дифФузионных областейМДП-транзистора соединена со схемойизмерения, а другая подключена к од 40 ной нз клемм второго источника постоянного напряжения н индикатору,который подключен к одному выходу порогового устройства, второй выход которого соединен со схемой измерения, а вход подключен ко второй клемме второго источника постоянного напряжения.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1....

Номер патента: 868662

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Михайленко, Шлепнев

МПК: G01R 33/12

Метки: жидких, магнитной, проницаемости, ферромагнитных

...контура,ин- ЗО дуктивность которого заполнена иссле868662 Сост ави тель Е . Данилин аТехред И. Астолош Корректор С, Шекмар Редактор С,. Юско Тираж 735 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, РаУшскаЯ наб., д. 4/5 Заказ 8319/66 филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул . Проектная,дуеьым материалом, определяется иэравенства- .Р, (.С 1 ч СмЕф, ) (1)Для учета влияния изменения межвитковой емкости на погрешность измерения р индуктивность резонансного контура снова заполняет жидкостью, диэлектрическая проницаемость Екоторой равна диэлектрической проницаемости 6 ф, тогда резонансная частота этого контура определяется как 1( ф 1 )1Сгде (ю - резонансная частота контура,заполненного...

Номер патента: 868663

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Веренчиков, Глушков, Ионов, Конторов

МПК: G01S 13/95

Метки: диэлектрической, льда, проницаемости, радиолокационный

...с помощью которого реализуется предлагаемый способ,Устройство содержит антенну 1,согласованный двойной Т-образныймост 2 на прямоугольных волноводах,антенные переключатели 3 и 4, передатчик 5, приемники 6 и 7 и измеритель 8 отношения сигналов.Устройство работает следующим10 образом.Импульсное излучение передатчика5 через антенные переключатели 3 и 4подается на согласованный двойнойТ-образный мост 2 на промоугольных15 волноводах, а затем на антенну 1.Принятое излучение обратным путем через .антенну 1 поступает надвойной Т-образный мост, где разделяется на две составляющие с вер 20 тикальной и горизонтальной поляризацией. Далее каждая из составляющихчерез антенные переключатели 3 и 4подается на соответствующие приемники 6 и 7, а...

Номер патента: 873045

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Гольцов, Страхаль, Шевлягин

МПК: G01N 15/08

Метки: пород, проницаемости

...канал для измерения давления, связанный с манометром 5. Зонд 1 связан с изоляционным элементом 2 посредством резьбового соединения.Устройство работает следующим образом.В дне горной выработки, например шурфе подготавливается зумпф соответствующий форме зонда 1. Затем устанавливается изоляционный элемент 2. В его центральное отверстие ввинчивается зонд 1 с гасителем 8. Зонд 1 устанавливается так,чтобы перфорированный элемент 1 О плотно прижимался к породе при помощи пружины 11, упирающейся в сферический сегмент 8. 3 алее на изоляционный элемент 2 устанавливается нагрузочное приспособление 3, которое стабилизируется при помощи анкеров 4. Зонд 1 соединяется с магистралью 6 подачи воздуха и измерительным механизмом, манометром 5. После...

Номер патента: 873156

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Богачев, Потапов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, изменений, проницаемости

...с измерительного резонатора 3, пройдя через направленный .ответвитель 4, поступает на опорный резонатор 5 и при условии перекрытия резонансных частот на выходе опорного резонатора 5 и соответственно на детекторе 6 выделяется СВЧ мощность, пропорциональная напряжениюОи,относительной расстройки частотопорного и измерительного резонаторов 5 .и. 3(ДЩ). Это напряжение подается на пиковый вольтметр 10, который регистрирует результирующееамплитудное напряжение дифференциального усилителя 9В данном устройствеза счет последовательного включенияизмерительного и опорного резонаторов 3 и 5 реализовано непосредственное преобразование изменения частоты 10 измерительного резонатора 3 в напряжении постоянного тока на резонанснойкривой опорного...

Номер патента: 883827

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Мироедов, Селезнев

МПК: G01R 33/16

Метки: магнитной, проницаемости

...относительного значения напряженности магнитного поля перемагничивания образцовщах нН Кнщах Кн Угде Н - напряженность магнитного по"ля перемагничивания;В - индукция в образце при измерении;Н - максимально возможная напряженность магнитного поля перемагничивания при полностьювведенном автотрансформаторе 6;К - коэффициент преобразованияблока измерения напряженности индукции;Кн - коэффициент преобразования блока измерения напряженности;К - коэффициент пропорциональНтахности частоты опорногогенератора максимальному значению напряженности;н,яф частоты с выходов блоков измерения индукции,измерения напряженностии опорного генератора частоты максимального значения напряженности;)Ч - относительная магнитнаяпроницаемость;напряженность...

Номер патента: 890161

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Ермаков, Стецюк

МПК: G01N 15/08

Метки: пористых, проницаемости

...между датчиком скорости и тонкостенной трубкой определяется габаритами датчика скорости и погрешностью определения скорости на оси симметрии трубки, При расстоянии от трубки более 0,3 диаметра трубки проходное сечение между датчиком и трубкой больше проходного сечения трубки. При малых относительно трубки габаритах датчика отсутствие загромождения проходного сечения трубки датчиком скорости имеет место при расстоянии датчика от трубки0,05 диаметра трубки, Расстояние 0,05-0,3 диаметра от выхода трубки удовлетворяет и требованию точности измерения скорости на оси симметрии на выходе цилиндрической трубки.Толщина стенки трубки 0,05-0,1 мм,применение пластин толщиной 0,050,1 мм и их расположение относительно трубки обеспечивают...

Номер патента: 892384

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Гусев, Иванов, Фокин

МПК: G01R 33/12

Метки: комплексной, магнитной, проницаемости, ферромагнитных

...материала за половину периода, На Фиг,1 а показано определениекомплексной магнитной проницаемостиза полупериод лри совпадении направлений переменного и постоянного магнитных полей; на Фиг.1 б - то же,при противоположном направлении переменного и постоянного магнитныхполей на Фиг.2 а,б - кривые перемагничивания,которые при аппроксимации эллипсом дают знацения комплексной магнитной проницаемости за половину периода.В каждом случае на иытуемый образец накладываются переменное магнитно 8 пол 8 Н , изменяющ 88 ся по синусоидальному закону г,Фггг. 3 а, кр.гвая 7и постоянное магнитное поле Н Фиг.1кривая 2 г, напрление котроГО по отношению к каждой полуволне переменного магнитного поля постоянно. В итоГе на образец ВОЗД 8 Йствует маГнитно...

Номер патента: 894487

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Борисов, Колядина, Матвеев

МПК: G01N 15/08

Метки: двухфазной, дендритного, зоны, каркаса, металлических, проницаемости, сплавов

...стеклянную, керамическуюили графическую трубку, имеющуюФорму тора, Диаметр тора составляет80-100 мм, диаметр трубки 8-15 мм,т.е. отношение диаметров примерноравно 10, что определяется условиями эксперимента и теорией метода,описанной ниже. Тороидальная форма образца обеспечивает течение жидкости в замкнутом контуре двухфазной зоны,что полностью исключает негативноевлияние свободных поверхностей нахарактер движения междендритной кидкости, Образец прикрепляют к стержнюрасположенному по оси тора таким обУразом, чтобы плоскость тора была перпендикулярна стержню, Стержень с образцом подвешивают на упругой проволоке 0,2-2 мм и помещают в специальную печь с регулируемым температурным режимом.Сплав кристаллизуют (или плавят)с заданной скоростью...

Номер патента: 894625

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Манюшите, Пожеда

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, проницаемости

...в. отсутствие образца;В- значение индукции в этой жеточке поля. после помещенияв поле образца;К - величина градиента индукциимагнитного поля;сС - угол между силовыми линиями магнитного поля,и нормалью к поверхности образца, удовлетворяющий условию О" ( сС ( 90.д - толщина образца.На чертеже дана схема осуществления способа измерения .магнитной.проницаемости.На нем изображены исследуемая пластина-образец 1,с магнитной проницаемостью ц и.источник 2 неоднородного магнитного поля .с постоянный градиентом индукции Силовые линии магнитного поля З.образуют с нормалью к поверхности пластины угол д . Магнитная индукция поля измеряется в фиксированной точке 4 поля.Способ измерения магнитной проницаемости заключается в следующем.10 тины и измерив...

Номер патента: 907465

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Двинских, Дувинг, Клименко, Науменко

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, диэлектрической, листовых, проницаемости, сверхвысокочастотный

...датчик для измерения диэлектрической проницаемости листовых материалов содержит коаксиальный резонатор 1 с осевым отверстием 2 в торцовой стенке и коаксиальную линию 3, связанную с коаксиальным резонатором 1, в котором установлен диод с отрицательным"Патент",ул.Проектн Филиал ПП г.ужгород сопротивлением, петлю 4 для выводаэнергии на индикатор, а также металлический прижим 5 для прижима измеряемого листового материала б к осевому отверстию 2, кольцевую проточку7, заполненную диэлектриком 8, приэтом расстояние .3 между краем кольцевой проточки 7 и краем осевого отверстия 2 составляет Сверхвысокочастотный датчик работает следующим образом.В коаксиальном резонаторе 1 возбуждаются колебания от диода с отрицательным сопротивлением,...

Номер патента: 907482

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Новиков, Сушев, Сыров

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, проницаемости, сердечников, сортировки

...второму-входу логического элемента, причем второй выходгенератора тока связан с вторым входомфазового детектора,На чертеже приведена блок-схемаустройства.Устройство содержит магнитопроводы 1 и 2 с воздушными зазорами,намагничивающие 3 и 4 и измерительные 5 и 6 обмотки, генератор 7 токанамагничивания, усилитель 8, азовыйдетектор 9, формирователь 10 импульсов, логический элемент 11, синхро.низатор 12, поворотный механизм 13 сэталонным и испытуемым сердечниками,привод 14.Устройство работает следующимобразом.При одновременном внесении в воздушный зазор магнитопровода 2 эталонного сердечника в измерительных40обмотках 5 и 6 наводится разностная ЭДС, которая через усилитель 8подается на Фазовый детектор 9, надругой вход которого с выхода...

Номер патента: 911293

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Борозна, Подгорный, Шахматов

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проницаемости, ячейка

...штуцеров обеспечиваетвинтообразное движение теплоносителя, что,Фс свою очередь, повышает термостатирующииэффект.На фиг. 1 представлена ячейка, общий,вид; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.Ячейка имеет подвижный заземленныйчротор 1, перемещаемый в направляющеи 2,и двустенный корпус, состоящий из потен.циального изолированного статора 3 и заземленной наружной стенки 4. Двустенный корпус выполнен из стекла илн друтого изолирующего материала. Статор и токопроводящий экран образованы токопроводящим по.крытием на стенках двустенного корпуса,причем верхняя граница статора выше ниж 293 4него края ротора на двойную величину за.эора между ними, Потенциальный провод 5проходит через внутреннюю, затем черезнаружную стенки двустенного корпуса...

Номер патента: 917152

Опубликовано: 30.03.1982

Автор: Векслер

МПК: G01R 33/12

Метки: импульсной, магнитной, проницаемости

...мостом гораздо выше, 15 цем их определение по двум напряжениям. будет равна Фн" дц 541 ни1х5 Ои ЦАН формула изобретения Параметры Ри А,линейного пас- .сивного многополюсника 6 подобранытаким образом, чтобы первое слагае"мое формулы (6) было бы больше второ 25го, которое в этих условиях дает небольшую поправку. Учитывая, что фци Ц определяются лишь параметрами1линейного пассивного многополюсника"6 и измеряются с высокой тоцностью,ЗОможно установить, что погрешностьопределения проницаемости Ч обусловлена не точностью измерения импульсного напряжения и интеграла отнего, а главным образом, точностьюлизмерения сопротивлений и емкостейэлементов многополюсников, Как известно, сопротивление и емкость могутбыть измерены гораздо точнее,...

Номер патента: 920471

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Бронфман, Власов, Кац, Смолянский, Щербаков

МПК: G01N 15/08

Метки: пористого, проницаемости

...фильтрата в парообразное состояние по мере его поступления в объем.Минимальное значение давления паровфильтрата позволяет в широких пределахварьировать их плотность, что в сочетаниис изменением интервала значений давленияначала (верхний предел) и конца (нижнийпредел) откачивания и.изменения температу- з 5ры паров фильтрата обеспечивает получение достаточно малых масс фильтрата водном откачивании и изменение этих масси числа откачиваний в единицу времени вшироких пределах.Пример. При испытаниях стандартного 40образца бетона применена приемная камера для сбора фильтрата объемом 350 см.В камере поддерживается +30. Откачивание фильтрата из камеры производится придавлении паров Рз = 0,03 кгс/см и заканчивается по достижении давления...

Номер патента: 922669

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Андреев, Белянчиков

МПК: G01R 33/12

Метки: импульсной, магнитной, магнитных, проницаемости, сердечников

...и задается управлякщими сигналамивырабатываемыми в блоке управления 18. В. течение первого такта замкнут ключ 10, а ключ 11 разомкнут. С выхода интегратора 7 импульсы через элемент 8 гальванической связи поступают на вход второго интегратора 9, который суммирует вольтсекундные площади с 1 однополярных импульсов на выходе первого интегратора.7. Элемент 8 гальванической связи между выходом интегратора 7 и входом интегратора 9 служит для компенсации напряжения покоя на выходе интегратора 7, определяющего положение его рабочей точки, Он представляет собой источник пос-. тоянного тока, полюсы которого включены в разрыв между выходом интегратора 7 и входом интегратора 9. Элемент 8 может быть выполнен регулируемым для установки нуля...

Номер патента: 938118

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Аверин, Подгорный, Терлецкая

МПК: G01N 27/22

Метки: диэлектрической, проводящих, проницаемости

...(2) удовлетворяет значениеемкости ьС-контура С + АС где ЬС,погрешность настройки в резонанс из-оаналичия гармоник.еМожно показать, что разность А-Дпрактически остается постоянной в широком диапазоне значений проводимостей,шунтирующих ЬС -контур и значений емкости С вблизи Ср,Учитывая последнее обстоятельство,равенство (2) можно записать в следующем виде:2- Сы фАт-А)и (3)или2. ДС ЬСд,=СОИЬ 1;. (4)Известно, что крутизна склонов резонансной характеристики колебательного контура сильно зависит от шунтирующей контур проводимости ф .Поэтому, как видно из выражения (4), погрешность настройки ЬС, будет изменятъси в широких пределах при изменении проводимости измеряемого образца.Зависимость ЬСот ( вносит непосредственный вклад в погрешность...

Номер патента: 938200

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Брилингас, Григас, Шугуров

МПК: G01R 27/04

Метки: диэлектрической, комплексной, кристаллов, нитевидных, проницаемости, сверхвысоких, частотах

...нитевидного кристалла сторонними токами, что приводит к изменению коэффициента отражения от нигевидного кристалла. При некотором положении исследуемого кристалла наступают условия для возникновения резонансных явлений и коэффициент отражения достигает максимального значения на данной частоте, При данном положении нитевидного кристалла, соответствующем максимальному коэффициенту отражения точность измерений существенно повышается, вопервых, за счет уменьшения влияния коэффициента отражения отрезка прямоугольного согласованного вопновода, и во-вторых, за счет того, что коэффициент отражения при резонансных явления( становится более чувствительным к малым изменениям аиэлектрической проницаемости.Таким образом, измерение модуля и фазы...

Номер патента: 949424

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Ефремов, Иванов, Свиридов, Скрипник

МПК: G01N 15/08

Метки: жидкостями, неэлектропроводными, проницаемости

...источника 17 стабилизированногонапряжения. Напряжение с выхода детектора 14 подается через фильтр 15нижнИх частот на один из входовдифференциального усилителя 16, навторой вход которого подано образцовое напряжение от источника 17. 5При уходечастоты ВЧ-генератора 12или изменении параметров элементовколебательного контура 9, напряжение на контуре 9 изменится.Этоприводит к появлению разности между сравниваемыми напряжениями, которая усиливается и подается на включенные в контур 9 и соединенные последовательно варикап 10 и конденсатор 11. В соответствии с приложенным к варикапу 10 напряжением, егоемкость изменится на величину, которая необходима для компенсации влияния дестабилизирующих факторов ивозврата рабочей точки в...

Номер патента: 951211

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Винокуров, Ширинян

МПК: G01R 33/12

Метки: динамической, обратимой, проницаемости

...низкой частоты, дополнительно снабжено после.довательно соединенными регулятором фазы,синхронным детектором и избирательным усилителем, причем вход регулятора фазы соединен со вторым выходом генератора высокой"с 1,; цеет-,; ча тзпгго човт(п,;. )ь; ти . - ,- т,41.ь;о:с выделения огибающей 9 осуществляет выделение огибающей гармоники, которая:в 1 рвет форму кривой ьсцамической обГатмой процицаемости. затем выделенныйснгцаг поступает ца индикатор 10. В качестве:щ;икатора может быть использован либозлсктрлщй осциллограф, на котором мож.,о ьзблюдать как временную зависимость динамической ооратимой прон 1 щаемости, так и В сс зависимости от напряженности низкочастотного ноля,. либо управляемый амплитудныйвольтметр, с помощью которого...

Номер патента: 983581

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Войтов, Потапов

МПК: G01R 27/26

Метки: автоматический, времени, диэлектрической, изменений, измеритель, комплексной, проницаемости, релаксации, составляющих

...напряжение на синхронный детектор 9 подается от модулятора 2, С выхода синхронного детектора 9 напряжение поступает на диф"Ференциальный усилитель 10, на второй вход которого подается опорноенапряжение с блока 11 опорных напряжений. Напряжением блока 11 опорныхнапряжений задается начальный нулевой уровень на шкале регистратора12 действительной составляющей диэлектрической проницаемостиЯ, который может быть либо цифровым, либосамопишущим милливольтметром. Одновременно разностное напряжение сдифференциального усилителя 10 подается на измеритель 13 отношенийнапряжений для формирования выходного сигнала, пропорционального времени релаксации с"Напряжение на выходе резонансногоусилителя 8 пропорционально крутизне резонансной кривой...

Номер патента: 989393

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Красовская

МПК: G01N 15/08

Метки: бетонных, железобетонных, образцов, покрытий, полимерных, проницаемости

...бетонных и железобетонных образцов, заключающемуся в нанесении проникающей жидкой среды на пОлимерноепокрытие и измерении времени еепроникновения, полимерное покрытиенаносят на одну из сторон образцабетона, не набравшего марочную прочность, другие стороны образца изолируют гаэовлагонепроницаемым материалом, после нанесения жидкости на отвердевшее полимерное покрытие измеряют вакуум в порах образца и регистрируют момент его падения, определяя время прохождения среды какразность времени падения вакуума вбетоне и времени нанесения проникающей среды.физическую основу предложенногоспособа составляет явление вакуумав твердеющем бетоне, изолированномот внешней среды. Вакуум образуетсяв результате отсоса воды затворенияна гидратацию...

Номер патента: 989575

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Кройтор

МПК: G09B 23/06

Метки: демонстрации, пластин, прибор, проницаемости, ультразвуковой

...позволяетповысить качество усвоения учебного материала и эффективность использования пособия в учебном процессе.Кроме того, учитывая общность зако 10 номерностей для всех волновых процессов, о- постановка такого опыта является весьт- ма полезной и при обыснении принципасоздания просветленной оптики. 3И крышке 1 прямоугольного светопрозрачного сосуда 2 в который налит вода установлен излучатель ультразвук 3 и держатель в виде вертикального стержня 4, на нижнем конце которого укрепляются горизонтально сменные мР таллические пластины толщиной4 и толщиной; - , 6. Толщину пластинЛфУ2определяют, зйая частоту 1 применяем го ультразвука и скорость; его распрос ранения в данном металле. Приемник ультразвука 7 размещен на конце дугообразного...

Номер патента: 995016

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, локальной, области, пленок, полупроводниковых, проницаемости

...расположены над исследуемой пленкой б на подложке 7,Устройство работает следующим образом.В исследуемой области пленки из,вестной толщины наносится локальныйзаряд Чр с помощью коронирующегоэлектрода 2 и блока 1. Заряженнаяобласть транспЬртируется под измери.тельным электродом 3, размеры которого боЛьше расстояния до заземленной подложки 7, так, что справедливо приближение плоскопараллельногослоя,Далее измеряются индуцированныена электроде 3 заряды при расстояниях от него до поверхности пленкиЬ и Ь 2 соответственно и вычисляется значение диэлектрической проницаемости в области, расположенноймежду локализованным зарядом и подложкой.В общем случае заряд, индуцирован,ный на измерительном электроде, определяется соотношением1 (х у )(фх у...