Патенты с меткой «полевой»

Номер патента: 1780650

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Арст

МПК: A01G 25/06

Метки: ороситель, полевой

...цель достигается тем, чтог 1 олевой ороситель, включающий подземный трубопровод с водовыпускными патрубками для подачи воды в борозды,уложенными с положительным уклоном, совмещен с естественным или искусственнымвозецшением местности, обеспечивающимповышение отметок дна подземного трубопровода над отметками дна борозд, находящихся гротив него, ороситель снабженуложенным с однозначным уклоном под выпускными патрубками экраном волнистойформы, при этом патрубки расположены вовпадинах экрана, который имеет длину, превышающую длину водовыпускных патрубков. Новым является то, что ороситель снабжен уложенным с однозначным уклоном подводовцпускнцми патрубками экраном волнистой формы, при этом патрубки располо 5 жены во впадинах;...

Номер патента: 2001009

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Таланов

МПК: B65D 88/12

Метки: контейнер, полевой, продукции, сельскохозяйственной

...трубы, которая имеет радиальные отверстия в виде перфорации (не показано).Такое выполнение оси 2 позволяет усилить влагоотделение из массы зерна. причем из ее середины эа счет как капельного водоотделения, так и путем уноса влаги потоком воздуха,При необходимости можно создать несколько вариантов интенсификации сушки,Один иэ концов оси 2 заглушается, а с другого конца подается воздух поддавлением,То ке, но воздух подается горячий.Ось 2 подсоединяется к вакуумной системе с форвакуумным насосом,С 1Оба конца открыты оси 2, но к одному концу подсоединяется воздуходувка или вакуумный насос для получения потока воздуха. Все эти варианты могут использованы для позднего сбора зерна, когда погода стоит очень плохая, зерно имеет чрезмерную...

Номер патента: 1812898

Опубликовано: 27.03.1995

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...т" к 0 зи.отс,2-Отсо + р- приведенные напряжения отсечки участков с крутизнами 31 и 82 на ВАХ соответственно.40 Таим образом формируется ПТУА, обладающий на ВАХ изломом с О и отсД,2- -2,5) О , ,1. Однако при О,и=О, , 2 ток не стремится к нулю, т.к. остается участок протекания тока через разрыв - 9 во второй 45 замкнутой дискретной области затвора 7.Рассмотрим, что происходит далее в ПТУП при увеличении обратного напряжения Оэи.После перекрытия канала под второй дискретной областью затвора 7 областью про странственного заряда р-и-переходаподложка (нижний затвор) - канал, происходит "смыкание по напряжению" с плавающей областью 7. "Смыкание по напряжению" в трехслойной структуре р -и р+(нижний затвор - канал - верхний затвор7) происходит...

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 1389611

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/76

Метки: легированием, планарным, полевой, транзистор

1. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ, содержащий расположенный на подложке активный слой с омическими контактами истока, стока и барьерным контактом затвора, включающий моноатомный слой с примесными атомами, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны, линейности переходной характеристики и предельных частот усиления по току и по мощности, активный слой выполнен из варизонного полупроводника с шириной запрещенной зоны, монотонно убывающей от границы активного слоя с подложкой к поверхности активного слоя.2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что активный слой выполнен из нескольких слоев варизонного полупроводника.

Номер патента: 1828339

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...которой формируются активные элементы транзистора. Одновременно с об.лас гью 3 формируются области 4, 9 первого типа проводимости. Стандартными методами в островной области формируют низкоомные области 5, 7 истока и стока. Завершают изготовление ПТУП формированием металлических контактов 8 к области истока, стока, затвора (изолирующей области и/или подложке). Рассмотрен режим работы ПТУП с элементом защиты промежутка затвор-исток. Аналогично работает и элемент защиты в виде области 9 расположенный под центральной частью стока. На фиг,3 представлена конструкция ПТУП с защитой как промежутка затвор-исток, так и затвор-сток,Пример конкретной реализации, ПТУП изготавливают на пластине монокристаллического кремния ориентации 100 ртипа...

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко

МПК: H01L 29/80

Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Номер патента: 1828340

Опубликовано: 27.07.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...

Номер патента: 1031379

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Дмитриев, Дубровская, Нечаев, Павлов, Смолкин, Филатов

МПК: H01L 29/772

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор со встроенным каналом, содержащий электрод затвора и расположенные вдоль него контактные площадки, соединенные с электродом затвора посредством соединительной металлизации, причем контактные площадки и участки соединительной металлизации до канала расположены на высокорезистивном слое, отличающийся тем, что, с целью улучшения шумовых характеристик, под соединительной металлизацией в канале выполнен высокорезистивный слой, ширина которого удовлетворяет следующему неравенству:где D ширина соединительной металлизации в области канала;Wк ширина канала;n количество контактных площадок.

Номер патента: 1482479

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Овчинников, Павельев

МПК: H01L 29/812

Метки: вертикальный, полевой, транзистор

Полевой вертикальный транзистор, содержащий подложку, двуслойную мезаструктуру, верхний слой которой выполнен из полупроводника n-типа, а нижний из полупроводника n++-типа, а также электроды истока, стока и затвора, расположенные по одну сторону подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения предельной частоты генерации транзистора, на верхнем слое мезаструктуры по краям ее боковых граней сформированы снабженные балочными выводами барьерные контакты, расположенные симметрично относительно мезаструктуры выше границы раздела ее слоев и отделенные от подложки воздушным зазором, при этом один из барьерных контактов служит затвором, а другой - стоком, омический контакт истока сформирован на подложке и снабжен балочным выводом, а...

Номер патента: 1225438

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич

МПК: H01L 29/784

Метки: полевой, транзистор

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 1011 - 10-3 см-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом...