Прибор свч магнетронного типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 23308ИЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Со 1 оз Советских Социалистических Республик.51 П рпорит Комитет по делам аобретений и открытийОпубликовано 18.ХЕ 1968. Бюллетеньза 1969 г.Дата опубликования описания 21,11.1969 УДК 621.385.64(088 при Совете МинистСССР Лвторыизобретения Правди. А, Григорьев, В. А. Неганов и Заявитель ПРИБОР СВЧ МАГНЕТРОННОГО Т Б известных конструкциях приборов магие- тронного типа с незамкнутым электронным потоком для оседания электронов на поверхность коллекторного электрода применяют постепенное сукение зазора между противолежащими поверхностями коллекторного и Отрицательного электродов. Плавное уменьшецне зазора происходит в направлении перецосного движения электронов. Это сопряжено с определенными техническими трудностями, особенно при изготовлении коротковолновых приборов с малыми межэлектродными расстояниями, так как сочетание малых расстояний еткд электрОдами кОллсктОРНОгО зля с тепловыми нагрузками коллектора уменьшает электрическую прочность приборов.Предложенный прибор магнетронного типа с коллекторньъ 1 злом, ОорязОВяниь 1 м замедляющей системой 1 анодом), собственно коллектором и противолежащим им отрицательным электродом, отличается от известных тем, что одна или несколько из противолежащих поверхностей вышеуказанных электродов С 1 Ябкень чередующимися выступами и пазами, расположенными в направлении магнитных силовых линий. Это позволяет увеличить расстояние между электродами В коллекторной области и тем самым повысить электрическую прочность и надежность приборов,На фиг. 1 и 2 показаны два варианта конструкиии коллскторного узла предложенцогоприбора с увсличеццым межэлектродиым расстояниемм.Коллекторный узел И 1 иг, 1) состоит из замедлтющей системы 1 ацода) 1, электрическисвязанного с цей коллектора 2 и противолежащего им отрицательного электрода 5. Дг 5лучшего улавливания электронов иа отрицательном электроде укреплен клицообразцый0 вкладыш 4, в результате чего расстояцие межд( пове 1)хностяъ 1 И электродов коллекторцогоузла плавно уменьшается в направлении дьч 1- жения электронного потока,Поверхность клинообразного вкладыша 45 Или отрицательного электрода 3) сцябжсцячередующимися пазами 5 и выступами 6 внаправлении магнитных силовых лииий 1 псрпецдикулярно плоскости рисунка),Благодаря этим чередующимся выступам0 Гязам в 1(оллекторной Оолясти Оорязуюгс 51участки сильного и слабого электростатического поля с резким изменением градиента электростатического поля от выступа к пазу. 11 звестно, что при резком изменении градиента5 электростатического поля, увеличивается циклоидальность электронных траекторий, притом тем сильнее. чем больше отли ше градиентов электростатических полеи в смежныхобластях. В то же время достаточно просто0 аналитически 1 ожо показать, что если 1(о;1233108 г фролова Составитсль Редактор 3 Текред А. А. Корректор А. Хухрыгина мышникова Васильева 37 П делам изоМинистро Серова, д Заказ 579/ Тираж ЦНИИПИ Комитеза по н открытий при СоветеМосква, Центр, пр. писное стеши" СССР Типография, пр. Сапунова, 2 лекторную область снабдить устройствами,обеспечивающими преобразование траекторийэлектронов из линейных в циклоидальные, топредельное расстояние между поверхностямиэлектродов в коллекторной области можноувеличить.На фиг. 2 показан вариант коллекторногоузла с использованием принципа рекуперапииэнергии электронного потока, состоящего изотрицательного электрода 7, замедляющей системы (анода) 8 и изолированного от анодаколлектора 9.Чередующиеся пазы 10 и выступы 11 выполнены непосредственно на поверхности отрицательного электрода 7.15Пазы и выступы целесообразно делать прямоугольными, хотя это и не обязательное условие, Можно придавать выступам и пазамформу (в плоскости рисунка) трапеции, полусферы и т. п,20Напряженность электростатического полядолжна увеличиваться от участка к участку внаправлении переносного движения электронов. Это обеспечит более равномерное токооседание по длине коллекторного электрода.Кроме того, экспериментально обнаружено,что для эффективного токооседания электронов скачкообразное изменение напряженности электростатического поля должно быть порядка от трех до пяти раз или более, Длину каждого из участков с различным градиентом поля следует выбирать порядка одной, двух длин циклоид или более, Число участков с различной напряженностью поля выбираот в зависимости от теплорассеивающей способности коллекторного электрода.Предложенный прибор обладает увеличенной электрической прочностью и надежностью и наиболее предпочтителен в коротковолновом диапазоне длин волн при повышенных уровнях выходной мощности. Предмет изобретения Прибор СВЧ магнетронного типа с незамкнутым электронным потоком, коллекторный узел которого образован замедляющей системой (анодом), собственно коллектором и противолежащим им отрицательным электродом, отличтощийся тем, что, с целью увеличения электрической прочности и надежности прибора, одна или несколько из противолежащих поверхностей вышеуказанных электродов снабжены чередующимися выступами и пазами, направленными вдоль магнитных силовых линий.
СмотретьЗаявка
1068038
Ю. А. Григорьев, В. А. Неганов, Б. С. Правдин
МПК / Метки
МПК: H01J 23/02, H01J 25/42
Метки: магнетронного, прибор, свч, типа
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-233108-pribor-svch-magnetronnogo-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Прибор свч магнетронного типа</a>
Предыдущий патент: Катодный узел
Следующий патент: Отражательный клистрон с кольцевым электронным потоком
Случайный патент: Трехфазная обмотка совмещенной электрической машины