Патенты с меткой «кристаллической»

Номер патента: 1736341

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Дональд, Кун, Поль, Стивен, Чет

МПК: C07D 501/18

Метки: варианты, его, кристаллической, устойчивой, формы, цефалоспоринов

...25 ил (0,615 .иоль) метанола (прииечание 9).11 11 лам подвергают существенному разжинению, после добавления метанола его дополнительно перемешивают в течение 15 мин при 5-10 С.12. Охлаждающую баню далее удаляют и в течение 2 мин при хорошем перемешиваниидобавляют 125 мл 3 н. раствора соляной кислоты (приготовленного добавлением 250 мл концентрированного раствора соляной кислоты в 756 ил воды). Реакционная температуо: ра поднииается до 12-15 С.13. Гидролиэную смесь насколько можно быстро нагревают до 20-25 Со (не превышая 25 оС), после чего ее дополнительно перемешивают в течение 15 иин при 20-25 С.14. Оазы разделяют и органическую Фазу (нижний слой) подвергают обратной экстракционной обработке 50 мл 36341 6водыЭту водйую Лазу...

Номер патента: 1757469

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Дональд, Кун, Поль, Стивен, Чет

МПК: C07D 501/18

Метки: кристаллической, устойчивой, формы, цефалоспоринов

...при комнатной температуре, получая 2,65 г, (выход 76%) сырого (бй,7 В)-7-амино-(1-метил-пирролидиний)-метил цеф-ем-карбоксилата (в виде йодидной соли) в Форме светло-рыжевато-коричневого твердого материала. Н-ЯМР-спектральйый анализ при 360 М Гч этого материала показывает, что он состоит из смеси Ь - и Ь -изомеров в соотзношении 65:35.Способ Г. В раствор (6 й,7 В)-триметилсилил-Щтриметилсилил)-окси)-карбонил) -амино-йодметилцеф-ем-карбоксилата в дихлорметане (приготовленный в соответствии с примером 4 с использованием 10,0 г 7-АЦК) при 0-5 С в токе сухого азота по каплям таким образом, чтобы температура оставалась на уровне ниже 10 С, добавляют 3,7 мл (36,7 ммоль, 1,0 эквивалент) сухого 97-ного И-метилпирролидина (высушенного на...

Номер патента: 1759543

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Зубрилов, Митюряев, Недужий, Покидышев, Шарыгин

МПК: B22D 27/04

Метки: кристаллической, направленной, режима, слитков, структурой, температурного, установки

...На фиг.З приведены фактические кривые изменения расходов хладоагента 01, 02, температурц ХЛадаГЕНта На ВЫХОДЕ С 1 вых, С 2 вых, температуры жидкого расплава Тр, регистрируемые приборами по ходу вытяжки с начала аалинки жидкого металла в литейные формы, а также расчетные кривые изменения скорости роста криоталлов Ч и высоты закристаллизовавшейся части отливки Н(и) в периоды слива и частично вытяжки, которые выполнены микроконтроллером. Проведены расчеты для ряда точек, укаэанных цифрами на кривой %, а данныедля рас чета и результаты расчета для этих точексведены в таблицу.Первая точка 5 с после начала заливкиметалла,дх =18,5(60-40)+5,0(26-26) -11,7 КВт,60р=0,7850 п=0,7850,021 27=0,0094,Ч 1=10 11,7 100060 71000,00940,63 ( 1460 - 1395...

Номер патента: 1805352

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Вардосанидзе, Какичашвили, Кобяков, Петрова

МПК: G01N 21/21

Метки: выявления, двойников, кристаллической, среде, электрических

...рипольному переходу линейной поляриза- исследуемого объекта, 7 - объектив, 8 - выции, то в картине их интерференции должен 5 пуклов отражательное зеркалонаблюдаться излом в месте границы разде- Луч лазера 1 проходит через делитель 2, лаучастковэлектричвскихдвойников. Вели- а часть пучка после коллиматора расшири- чина излома связана с коэффициентом теля 3 освещает исследуемый объект; фокуанйзотропного йреломления кристалла, его сирующая линза 5 формирует изображение толщиной, длиной волны,просвечивающего 10 обьекта. Вторая часть пучка, отразившись светаихарактеризуетвеличинуабсолютно- от выпуклого отражательного зеркала 9, го скачка комплексной амплитуд. пройдя обьектив 7, формирует параллельНв этой основе можно предложить спо- ный...

Номер патента: 1825318

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грэхэм, Майкл

МПК: B02C 19/00

Метки: кристаллической, сукралозы

...около 5 Х 5 мкм. При увеличении давления до 413640, 551520 и 689400 Па (60,80 и 1 Г 0 фунтов на кв.дюйм), получался измельченный продукт с частицами размером от около 1 х 1 до 4 х 4 мкм, причем большая часть частиц имела размер ЗхЗ мкм. По величине частицы получаемого продукта не очень отличались при изменении рабочего давления в указанных пределах.П р и м е р 2, Кристаллическую сукралозу с размером частиц примерно 100 х 20 мкм из той же партии, что использовалась в при1825318 Таблица 1 Таблица 2 мере " и измельченную по способу в соответствии с примером 1 сукралозу выдерживали при постоянной температуре 65 С в открытых чашках до появления светло-коричневой окраски. При этом были получены следующие результаты (см.табл,1).П р и м е р...

Номер патента: 1422957

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Романов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/04

Метки: кремниевой, кристаллической, пленки

...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...

Номер патента: 2002749

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Ричард, Томас

МПК: C07D 487/04

Метки: бис(n, диметилформамида)-1-карбацефалоспорина, кристаллической, сольвата, формы

...сульфокислоты при температуре 45 оС. В смесь30 добавляют 47,6,и л диметилбензиламина, азатем 1,53 г/1,25 мл (16,15 ммоль) метилхлорформиата. Реакционную смесь перемешивают при температуре -45 С в течение50 мин. В эту смесь добавляют по каплямЗ 5 раствор 25 мл ДМФ и 5,41 г (15,38 ммоль)4-нитрофенил/ метилового сложного эфира7 Р-амино-хлор-(1-карба-детиацефем)- 4- карбоновой кислоты, Смесь перемешивают в течение 2 ч и нагревают до примерно40 0 С на -45 мин, Поддерживая температуруреакционной смеси в области от5 до 10 С,в реакционную смесь добавляют 6,89 мл воды, 12,32 мл концентрированной хлористоводородной кислоты, 3,55 г цинкового дуста45 и 8,93 мл концентрированной хлористоводородной кислоты, Смесь перемешиваютпри комнатной температуре...

Номер патента: 2003091

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Копнин

МПК: G01N 27/90

Метки: кристаллической, машин, механизмов, нагруженных, процессе, структуры, эксплуатации, электромагнитного, элементов

...справедливой для начала эксплуатации. Последнее достигается взаимодействием ее с электромагнитным полем катушки 1 образуемого протекающим по ее виткам переменным током контура автогенератора 2, расположенного в непосредственной близости от нее, Запись параметров осуществляется в диапазоне частот автогенератора 2, перестройка которого осуществляется блоком 7 управления его частотой.Экспериментально установлено, что диапазон частот, охватывающий все границы переходов, и наиболее активное развитие резонансных и антирезонансных явлений для ферромагнитных металлов составляет 05 1 45 кГц.Что же касается параметров кристаллической структуры металлов, соответствующих концу их эксплуатации, то они вводятся в блок 11 памяти после их...

Номер патента: 976716

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Барабошкин, Комаров, Кондратюк, Смоленский

МПК: C25B 1/00

Метки: двуокиси, кристаллической, урана, электролит

Электролит для получения кристаллической двуокиси урана, включающий триоксид урана, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, он дополнительно содержит триоксид молибдена и молибдат калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Триоксид урана - 17 - 30Триоксид молибдена - 18 - 35Молибдат калия - Остальное

Номер патента: 1533496

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Аристов, Ерохин, Никулин, Снигирев

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, кристаллической, поверхностных, слоев, структуры

Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полностью соответствующей контролируемому образцу, деформирующим воздействием на поверхности исследуемого образца формируют периодическую структуру из чередующихся с постоянным периодом из интервала значений от 0,1 мкм до 2 длин экстинкции рентгеновского излучения областей с нарушенной и ненарушенной структурой,...