Патенты с меткой «акустических»

Страница 21

Высокочастотный преобразователь поверхностных акустических волн

Загрузка...

Номер патента: 1818680

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванов, Макаров, Орлов, Швец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, высокочастотный, поверхностных

...на фиг. 3 45и 4 - соответственно схема появления отраженных ПАВ и векторная диаграмма их компенсации, сигнала каждая секция 4 противофаэных электродов возбуждает ПАВ, распространяющиеся влево и вправо по поверхности пьезоэлектрического звукопровода 1 (фиг, 1).Каждый электрод в секции 4 можно рассматривать как элементарный источник ПАВ, амплитуда которого пропорциональна взаимному перекрытию активных участков 5 соседних электродов, соединенных с суммирующими шинами 2 и 3. Спектральная же функция элементарного источника (или акустическая частотная характеристика электрода) описывается, например, для модифицированной модели д,источников АэлЩ = 2 Б сов-у- ( Л - 1, (4)лампгде Ь = т/1 с - относительная частота;1 с - частота акустического...

Регулируемая ультразвуковая линия задержки на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 1818681

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Алексеев, Овсянкина, Осипов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая, ультразвуковая

...счет изменения местоположения ПДГ 4 в звуко- . проводе 1 под действием управляющего электрического напряжения от источника 10. При наличии на его выходе, а следовательно, и на управляющих электродах 7, 7 электрического напряжения, содержащего поле Еу, превышающее по величине соответствующее коэрцетивное значение Ео (ха. рактерное для данного материала), в силу сегнетоэлектрических свойств материала звукоп ровода 1, имеет место переполяризация, которая, благодаря сегнетоэластической природе материала звукопровода 1, осуществляется путем бокового перемещения ПДГ 4 параллельной самой себе. В зависимости от,знака приложенного электрического напряжения это приводит к уменьшению или увеличению геометрической длины акустического канала нэ...

Датчик для акустических измерений

Загрузка...

Номер патента: 1820228

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Бардеев, Груздев

МПК: G01H 1/08

Метки: акустических, датчик, измерений

...Б на датчик акустических измерений, перемещает в том же направлении чувствительный элемент 5 по сои а-а.Чувствительный элемент 5, имеющий волновое число, равное волновому числу окру жающей средыколеблется с той же скоростью, что и частицы среды, и передает энергию звуковой волны на приемник 2 колебательной скорости, который под действием оси 4 деформируется и дает 50 электрический сигнал.Консольному смещению другой группысекторов чувствительного элемента 5, расположенных перпендикулярно направле 55нию прихода звуковой волны, препятствуютмембраны 6, которые звукопрозрачны и имеют гибкость только в осевом направлении,Положительный эффект от испольэования изобретения заключается в повышении чувствительности и направленности датчика для...

Способ определения направления на источник акустических сигналов

Загрузка...

Номер патента: 1820322

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Харитонов

МПК: G01N 29/14

Метки: акустических, источник, направления, сигналов

...от звуко- поглощающего материала, прилагающего к другому приемнику, располагают вокруг приемников 1, 2 (фиг,За) звукопоглощающий материал 3, разрез которого в плоскости . определения направления (совпадает с плоскостью чертежа) представляет собой площадь с контуром в виде эллипса и располагают этот материал 3 так, чтобы акустические приемники 1 и 2 находились бы в фокусах эллипса. Для приемников 1, 2 и звукопоглощающего материала 3 сечением в виде эллипса тарировочная зависимость приведена на фиг,Зб. Эта зависимость достаточно точно описывается выражениями: 10 где го - радиус приемников 1, 2; Зс - коэффициент; г 2 - определяется расстоянием СР. В данном конкретном примере г0,005 м, К "0 1. Звукопоглощающая накладка обесг 1 е-...

Устройство для измерения акустических полей преобразователей в твердых телах

Загрузка...

Номер патента: 1820485

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Борщан, Подольский, Сивкова

МПК: H04R 31/00

Метки: акустических, полей, преобразователей, твердых, телах

...имеется всего одна пластина. Преобразователь излучает звук в эту пластину. Миниатюрный приемник может перемещаться по противоположной стороне пластины в двух взаимно перпендикулярных направлениях .и регистрировать звуковое давление в месте своего нахождения, Т,оисследуя с помощью приемника распределение звукового давления на поверхности пластины, можно получить "срез" АП преобразователя на расстоянии, равном толщине пластины, Добавляя вторую пластину можно аналогичным образом снять "срез" АП на расстоянииравном толщине двух пластин и т.д. Полученное таким образом поле в точности совпадает с АП внутри обьема твердого тела, т.к. благодаря тонкой акустической склейке, звук полностью проходит из одной пластины в другую. Т,е. для объемной...

Способ бесконтактной регистрации акустических колебаний

Загрузка...

Номер патента: 1825976

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Абрамов, Вогман, Градов, Гуськов, Шелобков

МПК: G01B 21/00

Метки: акустических, бесконтактной, колебаний, регистрации

...и тех помех, которые по своей природе представляют аддитивные поправки в формуле (1), В результате существенно повышается точность регистрации акустических колеба ний и чувствительность соответствующей измерительной аппаратуры по.сравнению со случаем, когда ограничиваются измерением только в одной точке интерференционной картины. в соответствии с формулой (1). 35 Поэтому, при практической реализации способа предпочтительными выглядят схемы, базирующиеся на разностном измерении в двух точках интерференционной картины,40Одна из возможных схем реализации способа приведена на чертеже. Она включает в себя источник когерентного электромагнитного излучения 1; на пути которого устанавливают полупрозрачное зеркало.2 и 45 непрозрачное отклоняющее...

Устройство на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 1828565

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...полученной суммы или разности. ЗТР отличается тем, что в устройстве каждая пара системы разомкнутых электродов заменяется двумя парами разомкнутых электродов так, чтаЬ- Ь - д. - ц. -О.-О. - +(3)где и - номер второй пары разомкнутыхэлектродов, если первая пара помечена номером и, 18285651 - натуральное число,при этом равенство (3) может нарушаться в местах смены амплитуды импульсного отклика системы разомкнутых электродов.На фиг.изображено устройство на ПАВ. Здесь 1 - пьезоэлектрическая подложка, 2, 3 - первый и второй входные преобразователи ПАВ, 4 - выходной преобразователь ПАВ, 5 - ось симметрии или ось, которую можно принять эа ось симметрии с точки зрения возбуждения ПАВ для преобразователя - 2, 6 - ось симметрии или ось,...

Пьезоэлектрический преобразователь поверхностных акустических волн (пав)

Загрузка...

Номер патента: 1835591

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Груздев, Дегтярев, Усов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, пав, поверхностных, пьезоэлектрический

...возбуждаемой волны, уменьшение ее переотражений электродами гребенок и уменьшение емкости при работе преобразователя предлагаемой конструкции достигается тем, что дае электродные гребеаки выполняются вдвинутыми друг в друга, длины электродов которых сделаны изменяющимися а соответствии с требуемым законом аподизации, контактные площадки делаются в аиде полосок неизменной ширины, 8 сао 5 10 15 20 25 30 35 40 бодные зоны между концами электродов гребенок введены сплошные металлизированные площадки, конфигурация которых обеспечивает равенство пути, проходимого ПАВ под (или над) металлизированными участками поверхности пьезоплаты на протяжении всей решетки и по любой траектории, перпендикулярной электродной гребенке, а зазоры между...

Высокочастотный однонаправленный преобразователь поверхностных акустических волн

Загрузка...

Номер патента: 1835592

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Иванов, Макаров, Орлов, Швец

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, высокочастотный, однонаправленный, поверхностных

...8, 9могут быть выполнены из разомкнутых металлических полосок, например, ширинойЯо/4 (в этом случае Лх=гп Яо/2 - 4/8,(фиг. 1), замкнутых (в этом случае Ах=а ххЯО /2+ Яо /8) или комбинированных металлических полосок (фиг. 2), взвешенных по Средняя частота о преобразователя может быть выбрана совпадающей с частотой любой из ангармоник. С точки зрения эффективности возбуждения ПАВ и следовательно с точки зрения обеспечения минимальных потерь при работе на высоких частотах, предпочтительной является работа на ангармонике п=5.При од ковом числе возбуждаемых электродов в секции, например, трех, в устройстве-прототипе и предлагаемом ОНП для последнего удельные эффективность и направленность излучения (на длину волны) выше, так как в первом...

Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 1835593

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Болгов, Матвеев, Мордвинов, Никитин, Сорокин

МПК: H03H 7/30, H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая

...задержки состоит (фиг, 1, 2) из звукопровода 1, входного преобразователя 2 электрических сигналов в ПАВ и выходного преобразователя 3 ПАВ в электрический сигнал,На фиг. 1 показаны также микрометрические винты 4 и 5. имеющие разный шаг резьбы и служащие для перемещения подвижных преобразователей 2 и 3 для настройки линии задержки на определенное время задержки. Для визуального контроля за устанавливаемым временем задержки устройство снабжено прокалиброванной в единицах времени задержки шкалой б, неподвижно установленной на пластине 2 и подвижной относительно указательной стрелки закрепленной на пластине 3,На фиг. 2 неподвижная пластина 1, служащая звукопроводом с целью изменения линейных размеров имеет подковообразную форму, а каждый...

Способ изготовления встречно-штыревого преобразователя поверхностных акустических волн

Загрузка...

Номер патента: 1838877

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Андреев, Белявский, Кмита, Марков

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волн, встречно-штыревого, поверхностных, преобразователя

...каждой пары электродов 14, 15, и 16, 17 соответственно. Пространственный период 50 электродов в каждой секции равен 2(А/2-Ь)++ 2 Ь = А. Покажем, что при изготовлении преобразователя предложенным способом отключения размеров а и Ь от расчетных значений, связанные с трудностью контро ля процесса травления, не приводят к заметному искажению электротехнических характеристик преобразователя. В случае, если подтрав первого слоя металлизации не соответствует расчетному значению Ь, на 1838877пример, превышает ее на величину ЬЬ, электроды 14 и 16 первой и третьей групп, формируемые иэ первого слоя металлизаци, как было описано выше, будет иметь ширину а 1 " ( Л/2 - Ь- Ь Ь). В то же время ширина электродов 15 и 17, формируемых и второго слоя...

Фильтр на поверхностных акустических волнах для тракта промежуточной частоты телевизионных приемников

Загрузка...

Номер патента: 2000655

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Бельский, Домбровский, Русаков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, приемников, промежуточной, телевизионных, тракта, фильтр, частоты

...которым является электрод первой группы, правым - второй группы:4 б, 8 б, 10 б, 12 б, 14 б, 16 б, 18 б, 20 б, 23 б, 29 б - все перекрытия, левым электродом которых является электрод второй группы, правым - первой группы;где б - наименьшее расстояние между серединами эон перекрытия электродов различных групп.На фиг, 1 изображено предложенное устройство; на фиг. 2 - одна из возможных конфигураций предложенного преобразователя; на фиг. 3 - график.Фильтр на ПАВ содержит звукопровод 1, на рабочей поверхности которого расположены вподизованный преобразователь 2 и ВШП, взвешенный при постоянной длине перекрытий 3, Фильтр на ПАВ работает следующим образом. Преобразователь 3 возбуждает в звукопроводе 1 ПАВ, которая распространяется к...

Устройство дифференцирования мгновенных значений радиосигналов на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 2002363

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Абрамов, Берковский, Молотков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дифференцирования, значений, мгновенных, поверхностных, радиосигналов

...в общем акустическом канале расположены веерные ВШП 2, 3, причемэлектроды преобразователей выполнены изогнутыми наружу по отношению к осямсимметрии преобразователей, причем одинаково в обоих преобразователях,Рассчитана форма электродов ВВШП для устройства дифференцирования мгновенных значений радиосигналов с центральной частотой 1 о = 100 МГц, полосой пропускания Л = 70 МГц, апертурой 5 мм,числом электродов 29 и 23 в первом и втором преобразователях соответственно. Дляформирования АЧХ треугольной формыпространственный период д преобразователей менялся в направлении, перпендикулярном направлению распространения10 ПАВ в соответствии с формулойб -ч. +л 1 у/щ)3где ч - скорость ПАВ;Ь - нижняя граничная частота полосыпропускания;Л 1 -...

Способ возбуждения акустических волн в электропроводящих объектах

Загрузка...

Номер патента: 2003239

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Алексеев, Белугин, Лазарев, Приемский

МПК: H04R 19/00

Метки: акустических, возбуждения, волн, объектах, электропроводящих

...шероховатостей, как правило порядка ихширины. Следовательно, для заметногосближения свободных поверхностей, необходимо обеспечить линейную деформациюдиэлектрика 3, р1. Для этого, требуется ,усилие поджатия Р, при условии, чта толщина диэлектрика 3 превышает высоту неоднородностей:(3) Отметим, что при наличии постоянногонапряжения смещения О см возбуждаютсягармоники с частотой а и 2 в О = Осм - О 0 з и (а т)Бп(и) -(1 - сов (2 и, 8) Электростатическое взаимодействие вызывает деформацию как обьекта 1, так и электрода 2. Акустическая волна в объекте 1, возбуждаемая деформацией электрода 2, вообще товоря, может рассматриваться как помеха, искажающая форму акустического сигнала, определяемого выражением (3) или (5), Однако, численное...

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 1655279

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...2, перпендикулярного рабочей поверхности звуко- провода 1,Устройство работает следующим образом. На входной преобразователь 4 подается сигнал, спектр которого содержиг, н частности, все частоты в полосе В = 1 н - п, где 1 в и 1 н - соответственно верхнлл и нижняя частоты полосы пропускания ДЛЗ. Акустическая волна А, излученная входным преобразователем 4, достигая первых 11 и вторых 13 частей наклонных отражательных элементов решетки б, частично проходит че рез решетку 6 н направлении решетки 8 (волны А 1 и А 2), а оставшаяся часть (волны Аз и А 4) отражается под углом, близким к 45 О, в направлении к знукопоглотителю 10. Так как первые части 11 наклонных отражательных элементов решетки 6 сднинуть относительно их вторых частей 13 на...

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Загрузка...

Номер патента: 1627052

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Молотков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

.../Под ред. Г.Мэттьюза дио и связь, 1981, с. 319-322,Агпзтгопд .1,А, е а 1 Еп 91 пеег 1 п апд еча 1 цат 1 оп о 1 БАЮ ро 1 ве согп И 11 егэ МФ 1 оа тгпе вснеОЬез.Т 1 е Вабо апг Е 1 ес 1 гопс Еп 91 пе ч.46, йг 5, р,222,кустиче М Ра Оез 19вопг, 197 родов совпадало бы с расстоянием между средними линиями двух соседних электродов первого ВШП 2, середина области пере- крытия которых лежит в данном сечении апертуры акустического канала. Ширина электродов второго ВШП 3 должна быть такой, чтобы в каждом сечении апертуры акустического канала отношение ширины электрода к расстоянию между серединами соседних электродов равнялось коэффициенту металлизации, Угол наклона первого ВШП 2 определяется его протяженностью, апертурой и полосой...

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Устройство на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1130158

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Карпеев, Кондратьев, Речицкий

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащее звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий встречно-штыревые преобразователи и расположенные между ними токопроводящий экран, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения амплитудно-частотной характеристики путем уменьшения дифракционных искажений, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг L которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причемai/L

Глушитель акустических шумов газа

Номер патента: 1786890

Опубликовано: 30.04.1994

Автор: Голиков

МПК: B64D 33/04, F01N 3/00

Метки: акустических, газа, глушитель, шумов

1. ГЛУШИТЕЛЬ АКУСТИЧЕСКИХ ШУМОВ ГАЗА по авт. св. N 1476994, отличающийся тем, что, с целью снижения гидравлического сопротивления, он снабжен эжектором, образованным наружным кожухом, выполненным в форме усеченного конуса, установленного коаксиально при помощи ребер жесткости в зоне второго усеченного конуса с образованием кольцевого зазора, причем наружный кожух выполнен с длиной, превышающей длину второго усеченного конуса на длину входного козырька в зоне большего диаметра и на длину выходного дефлектора в зоне меньшего основания.2. Глушитель по п. 1, отличающийся тем, что диаметр меньшего основания усеченного конуса наружного кожуха выполнен равным диаметру меньшего основания второго усеченного конуса.3. Глушитель по пп. 1...

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1713405

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Литвиненко, Молотков

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

ДИСПЕРСИОННАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ по авт. св. N N 1627052, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вносимого затухания, второй преобразователь смещен на расстояние относительно первого вдоль своей оси симметрии в сторону того края апертуры, где расположены электроды первого преобразователя, наиболее удаленные от второго преобразователя, причем = Xcos 1 + ,где - угол наклона первого преобразователя;K - коэффициент...

Способ подстройки центральной частоты приборов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Способ настройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Однонаправленный преобразователь поверхностных акустических волн

Номер патента: 1779212

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Кондратьев, Машинин, Науменко, Орлов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, однонаправленный, поверхностных

ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН(ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого расположены периодические структуры с первым и вторым в направлении излучения ПАВ противофазными возбуждающими электродами, объединенными соответствующими суммирующими шинами, замкнутый отражающий электрод, выполненный в виде двух металлических полосок, параллельных возбуждающим электродам и соединенных перпендикулярной металлической перемычкой, и изолированный отражающий электрод, выполненный в виде металлической полоски, параллельной возбуждающим электродам, отличающийся тем, что, с целью повышения направленности излучения ПАВ и технологичности, в каждую периодическую структуру дополнительно введены...

Преобразователь поверхностных акустических волн

Номер патента: 1225457

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Заличев, Карпеев, Кондратьев, Семенов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий пьезоподложку с расположенной на ее рабочей поверхности встречно-штыревой структурой электродов, образованной двумя вложенными друг в друга периодическими решетками однофазных штыревых электродов одинаковой апертуры, одноименные концы которых гальванически соединены с двумя соответствующими коллекторными шинами, расположенными вне апертуры преобразователя и выполненными в виде металлических полос постоянной ширины, одна из которых имеет форму меандра с периодом, равным периоду решетки однофазных электродов, соответствующие концы коллекторных шин гальванически соединены между собой, а их средние выводы соединены с сигнальной и общей клеммами преобразователя, отличающийся тем, что,...

Преобразователь поверхностных акустических волн

Номер патента: 1517711

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены первая и вторая электродные структуры, каждая из которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывающихся электродов, причем штыревые электроды первых групп гальванически соединены между собой, а штыревые электроды вторых групп соединены гальванически соответственно с первой и второй контактной площадкой, перекрытие штыревых электродов в первой электродной структуре выполнено неравномерным, а электроды первой группы первой электродной структуры соединены между собой резистивными элементами, а также потенциальную и общую клеммы, отличающийся тем, что, с целью...

Фильтр на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1591729

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее рабочей грани двунаправленным входным преобразователем ПАВ, по обе стороны от которого размещены первый и второй выходные преобразователи, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, выходные преобразователи выполнены из полосковых электродов, объединенных с одной стороны контактными площадками, которые электрически соединены между собой через резистор, причем расстояния между продольными осями симметрии соседних электродов в выходных преобразователях и расстояния между вертикальной осью симметрии входного преобразователя и ближайшими к нему электродами первого и второго выходных преобразователей выбраны из...

Способ подстройки частоты кварцевых резонаторов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1335110

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего...

Резонатор на поверхностных акустических волнах

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...