Способ контроля примесей в некубических кристаллах

Номер патента: 872976

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Белая, Добровинская, Литвинов

МПК: G01J 1/52

Метки: концентрации, кристаллах, локального, окрашивающей, примеси

...в отдельных точках исследуемоге и нулевого образца пересчитывают по характеристической кривой и определяют значение логарифмов интенсивности нулевого 2 ф 0 и исследуемого образца Вф, Зная отношение 1 ф/1 фо и предварительно построив градуировочную кривую 193 /3910=(с) для образцов с извествеличину отношения,д 3/930 для образцов с известной концентрацией каксуммарного хрома, так и хрома, изоморфко входящего в кристалл, строятградуировочную зависимость 192/фо=,=Г(с) см, черт. Для определения концентрации хрома в исследуемом образцепроводят те же операции, что и припостроении градуировочной кривой.1 о Исследуемый образец и нулевой образецодновременно фотографируют на микроскопе МИМна отражение. На эту жеплевку впечатывают...

Номер патента: 1151868

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Даценко, Пахомов

МПК: G01N 21/25

Метки: ароматических, кристаллах, органических, полимерах, примесей, растворимости, соединений

...4-аминодифенила в дифениламине и растворимость дефениламина .в 4-аминодифениле. Навески растертых 45 веществ помещают в ячейки цилиндра, приливают воду и при 20 С содержимое перемешивают в течение 15 сут. Затем из каждой части ячейки на анализ отбирают твердую фазу, сушат и ана лизируют ее состав спектрофотометриче ски.Навеску 20 мг дифениламиновой фазы, содержащей 4-аминодифенил, помещают в пробирку, растворяют в 55 0,5 мл октана, приливают 5 мл воды, 0,3 мл 0,2 н. соляной кислоты и охлаждают в течение 5 мин в ледяной 868 4воде, затем добавляют 0,2 мл 207-гораствора нитрата натрия и встряхивают содержимое в течение 1 мин,после чего приливают 0,2 мл О, 17.-ного раствора о-нафтола в 1 н, щелочи. Через 10 мин водный слой...

Номер патента: 1562814

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Полулях, Сергеев, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществах, взаимодействий, квадрупольных, магнитоупорядоченных, регистрации, сверхтонких, электрических, ядер

...ьса ми и частотой заполнения возбуждающих импульсов, соответствующей ларморовской частоте исследуемого ядра . Соотношение длительностей первого е и второго ед РЧ-импульсов удовлетворяет условию /%2. Произ Водя перестройку спектрометра по часготе в пределах существования сигнала СЭ на 2и варьируя амплитуду РЧ-импульсов, доби ва ются поя вления сигнала СЭ, возникающего в момент е =5/2 ь, Затем регистрируют спектр ЯМР, который является функцией амплитуды сигнала СЭ в момент времени С=5/21,. Из полученных спектров определяются параметры электрического квадрупольного 20 СТВ.На фиг. 1 изображена Фотография Двух сиг,налов СЭ ядер ззСг при Т = = Й,2 К в СЙ о,о 4 АВ о,о 4 СгЯ 14, возникающих в момент времени =2 В и = 25 5/2 Т после воздейст вия...

Номер патента: 643351

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Цветков, Шустов

МПК: B28D 5/04

Метки: кристаллов, них, поверхности, полирования

...и достижение эффекта декорировайия. Одновременное добавление в раствор небольшого количества глауберовой соли позоляет получить эффект декорироваие по верхности кристалла. Пример. Пинакоидальнуо ландского шпата размером 1 О после распиловки погружали раствор НС 1, Процесс травле О тоянном перемешивании прот ние 4 мин. Добавление 0,001 -глауберовой соли привело к п поверхности пластины границ та и положений слоев роста 5 положения оптической оси пла, ти крис соляной до 5,00глаубер на 10 л носворе 0,5 00 г аботкой, повер Й из них в рас центрации от и катализаторчестве от 70 до мула изобретения ирования поверх ий из них путем е соляной кислот с целью упроше ния эффекта дек соб по н издераствотем, чгодостиж ности к обработ ы, отлич...

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...