Керамический материал

Номер патента: 1106806

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Кравчик, Лискер, Слатинская, Шуршалова

МПК: C04B 35/486

Метки: диэлектрического, керамического, шихта

...0,5 ч. Осадок отфильтровывают,шихту прокаливают при 1250 С в течение б ч. В полученную таким образомоснову вводят 0,62 г бората кальцияи 1,25 г огнеупорной глины, смешивают в течение 1-1,5 ч и спекают керамику в атмосфере водорода при 13701430 С в печи с силитовыми нагревателями или при 1450-1550 С в печис молибденовыми нагревателями. Привсех условиях керамика получаетсяплохо спеченной (пористость более 57), на нее нельзя нанести электроды и измерить электрофизическиесвойства.Состав шихты при введенном количестве минерализатора следующий,мас. 7:Диоксид циркония 37,8Оксид стронция 37,4Пентоксид тантала 24,1Борат кальция 0,2Огнеупорная глина 0,5П р и м е р 2. Получение материала состава 0,15 Бгта 206 -0,85 БгЕгоэ(основа) с 1,57...

Номер патента: 1368124

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Маслов, Новиков, Павлюченков

МПК: B23K 3/02

Метки: керамического, микронагревателя, состав

...безопасном напряжении до 36 В.Цель достигается тем, что в состав материала микронагревателя вво дятся элементы, выбранные из ряда Т, Бд, Сг, И, Мо, при следующем соотношении компонентов, мас,Х:Карбиды 2-10Алмазы Остальное при этом карбиды вводятся в виде покрытия на зернах алмазов.П р и м е р. Нагреватель изготавливают следующим образом.На исходные алмазы марки АС зернистостью 10/7 наносят покрытия карбидов Т 1, Б 1, Сг, И, Мо из газовой Фазы галогенидов методом транспортных реакций при следующих режимах: температура осаждения 850-950 С, дав ление галогенидов 1 мм рт,ст продолжительность осаждения 0,5-2,0 ч. Спекание покрытых поликристаллических алмазов проводят в камере высокого давления при условиях термодинамичес- ЗО кой...

Номер патента: 785274

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Амиров, Полак, Семенов, Шаяхметов

МПК: C04B 35/58

Метки: керамического, шихта, электропроводного

...сот 5держащая двуокись титана, титан и фосфатную связку 2.Однако материал, полученный из такойшихты, не эпектропроводен.Бель изобретения - повышение электро 20прбводности при сохранении хорошей формуемости.Это достигается тем, что шихта, содержащая керамический тугоппавкий наполни 2тель и фосфатную связку, содержит в качестве тугоплавкого наполнителя диборид тттана-хрома при- следующем соотнощении компонентов, вес,%; Диборид титана-хрома80-86 Фосфатная связка 14-2 0 При этом диборид содержит титан и хром, в следующем соотношении, вес,%:Титан 53,1 Хром 46,9 Йиборид титана-хрома смещивают с жидкой алюмофосфатной связкой, Полученную массу прессуют при удельном давлении 50 МПа и подвергают обжигу на воздухе или в среде аргона.3ч Фг е "ф ф...

Номер патента: 1191442

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Бертош, Варфоломеев, Голубцова, Илющенко, Костомаров, Ларичева, Матвеева, Самойлов

МПК: C04B 35/462

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...следующем соотношении компойенто мас.7.:Т 1.0 .ВаОф 1 Ф 9Отклонение ТКЕ в партиях, 10 1/ С Состав 31,6 17,2 13 87 16,4 85 31,6 т 3 31,6 17,1 82 Составитель В.СоколоваТехред З.Палий Корректор Г.Ретешник Редактор Т.Колб Заказ 7080/22 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий. 113035, Москва, Ж Раушская наб., д. 4/5) 1191Изобретение относится к электрон-ной технике, в частности к составамкерамических диэлектриков, и можетбыть использовано для изготовлениявысокочастотных термостабильных 5керамических конденсаторов,Цель изобретения - снижение трудозатрат при изготовлении материала,повышение его электрической прочности и стабильности температурного . 1 Окоэффициента диэлектрической...

Номер патента: 789459

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Желнинская, Клейне, Сергеева, Фрейденфельд, Фреймане

МПК: C04B 35/491

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...стекло. Смешивание и по.мол материалов производят в течение4- 6 ч. После сушки из материала прессуют образцы в виде дисков диаметром10 или,13 мм, в качестве связки используют 5-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание образцовпроводят в течение 1 ч при 950-1130 ОС ов зависимости от концентрации введенного стекла. После шлифования на образцы вакуумным напылением наносяталюминиевые электроды и проводят соответствующие измерения электрофизичеАих свойств конденсаторной керамики.П р и м е р 1. Состав керамики,масс В: РЬО 56 О; 5 гО 2 О; 2 гО 17,0 фТ 100 8,5; В 0 1,0; ЧО 0,5; стекло15,0. Стекло содержит, масс.Ъ: РЬО 4050 р В 10 Ь 5; 5 гО 5; В 020; 510 20,Материал изготавливается по описаннойтехнологической схеме,Полученная...