Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора

иа31 28 ВП ч ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОР 1( 4М.Б. ВоскГ, Мойнов,е88,8)Мочалкина Орование интРадио и боин .А.Н Тех- ральо 11 д-БСа эс, В(57) Иэобре лю параметр (М). Цель и я к кочтроение относ в интеграл сс микросхемрасширение насьпцения, 1 ил,етения ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ ТЕЛА КОЛЛЕКТОРА ТРАНЗИСТОРА области примо.".ния способа. Вход Мсоединяют с шиной питания или общейшиной для получения на исследуемомвыходе уровня логического нуля. Затем снимают две вольт-амперные характеристики (ВАХ) выходного транзистора М при двух значениях напряженияпитания. По двум ВАХ определяют отношение значений коллекторного тока(КТ) в области активного режима инаходят два значения КТ в областинасьпцения, находящихся в том же отношении, После этого определяют покаждой ВАХ соответствующие значенияпадения напряжения и вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора иэ отношения разности значенийпадения напряжения к разности соответствующих значений КТ в области35 тер г Тпее. доп -Тоцр1 КК к-э 1 13706Изобретение относится к способамконтроля параметров интегральных микросхем и может быть использовано при производстве и применении интегральных микросхем.Цель изобретения - расширениеобласти применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микроО схем транзисторно-транзисторной логики за счет проведения измерений при двух различных напряжениях питания интегральной микросхемы, В результате обеспечивается задание15 двух различных значений токов базы выходного транзистора.На чертеже представлены вольт-амперные характеристики выходного . транзистора микросхемы, иллюстрирую" щие операции способа.Способ заключается в том, что на входы интегральной микросхемы подают сигналы, переводящие выход микросхемы, образованный исследуемым транзис тором, в состояние "0", В этом состоянии микросхемы базовый ток выходного транзистора определяется напряжением питания, так как транзистор, змиттер которого связан с базой выходного транзистора, открыт. При определенном значении напряжения питания измеряют выходную вольт-амперную характеристику выходного транзистора. Значение напряжения питания выбирается в интервале, нижняя граница которого соответствует минимальному значению напряжения питания Едостаточному для функционирования схемы в режиме 0 на выходе, Верх 40 няя граница Ес определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания зависящему с од 145 ной стороны, от допустимой температуры перехода Т , температуры окружающей среды Ти теплового сопротивления переход - среда К 1, а с другой стороны, от тока 1, протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор - эмитДопустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со 35 2противление Кнаходится в пределах 0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение Кдля интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5-100 м.Измеряют вольт-амперную характеристику выходного транзистора при напряжении питания Е , (Е сЕ с (Е, ), изменяя его коллекторный ток от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы, Затем задают другое значение напряжения питания интегральной микросхемы Е, (Е п.,.ин с сЕ с ( Е ) и опять измеряют вольт-амперную характеристику выходного транзистора при изменениитока коллектора этого транзистора от нуля до величины, при которой этот транзистор оказывается в активном режиме работы, Далее вычисляют отношение значений тока коллектора в области активного режима работы транзистора при двух значениях напряжения питания интегральной микросхемы и на вольт-амперных характеристиках в области режима насыщения задают два значения коллекторного тока выходного транзистора (по одному значению на каждую вольт-амперную характеристику), находящихся в том же отношении, и соответствующие им два значения падения напряжения коллектор - эмиттер, Сопротивление тела коллектора выходного транзистора определяют по отношению разности значений падения напряжения коллектор эмиттер в режиме насыщения к разности соответствующих значений коллекторного тока Формула и з обретения Способ определения сопротивления тела коллектора транзистора, согласно которому задают два значения тока коллектора в области насыщения транзистора, измеряют падение напряжения между коллектором и эмиттером, вычисляют сопротивление тела коллектора транзистора по полученным данным, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения способа путем распространения его на выходные транзисторы в составе интегральных микросхем транзисторно-транзисторной логики, переводят выход микросхемы, образован.Э Составител Техред М.Д Степанкин Кравцов едакто линска оррек аказ 418/4 Тираж 77 ВНИИПИ Государств по делам изобре 113035, Москва, ЖПодпного комитета СССРний и открытий5, Раушская наб., д. Производственно-пол еское ород, ул, Проек тие, г. з 13706354ный коллектором исследуемого тран- активном режиме работы при первом зистора, в состояние логического ну- и втором значениях напряжения питаля, задают два различных значения ния, а по полученному отношению вынапряжения питания интегральной мик- бирают значения токов коллектора выросхемы в области допустимых напря 5ходного транзистора в области насыжений и определяют отношение токов щения, при которых проводят изме- коллектора выходного транзистора в рения,