Номер патента: 1275545

Автор: Тенк

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 а (И) 1 40 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ПИСА ЗОБРЕТДЕТЕЛЬСТВУ ИЯТОРС КОМ 8)92677,1981.594,1981. осится к областики и может бытьтроении интегковых запоминаю(21) 3348466/24-24(57) Изобретение отнвычислительной технииспользовано при посральных полупроводни щих устройств. Ячейка памяти содержит два ключевых транзистора, адресный транзистор, накопительный конденсатор, адресные и информационныевходы, а также шины постоянного иимпульсного питания и позволяет сболее высоким быстродействием записывать и считывать информацию засчет того, что истоки первого и второго ключевых транзисторов соединеныс истоком адресного транзистора, стокпервого ключевого транзистора соединен с шиной постоянного, напряжения.12 Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных полупроводниковых запоминающих устройств.На фиг. 1 представлена электрическая схема ячейки памяти; на фиг. 2 - рафик, иллюстрирующий ее работу.Ячейка памяти содержит первый 1 и второй 2 ключевые транзисторы, адресный транзистор 3, накопительный конденсатор 4, информационный вход- выход 5, адресный вход 6, шину 7 импульсного питания, шину 8 постоянного питания, паразитный конденсатор 9.Ячейка памяти работает следующим образом.В режиме записи сигнал по адресному входу 6 открывает адресный транзистор 3 и информация с информационного входа-выхода 5 через транзисторы 3 и 2 поступает на накопительный конденсатор 4. В режиме считывания адресный сигнал по входу б открывает адресный транзистор 3. Импульс напряжения на шине 7, складываясь с напряжением на конденсаторе 4, поступает на затвор транзистора 1 и отпирает его, вследствие чего шина 8 постоянного напряжения через открытые транзисторы 1 и 3 подключается к входу-выходу 5. В режиме реге 75545 2нерации адресный транзистор 3 закрыт. В момент действия импульса напряжения на шине 7 информация, определяемая зарядом конденсатора 4,считывается, заряжая (или не заряжая) паразитный конденсатор 9. В паузе между импульсами напряжения на шине 7 конденсатор 9 подключается па- .раллельно накопительному конденсато О ру 4, подзаряжая его.Вформула изобретения Ячейка памяти, содержащая адресный транзистор, затвор которого яв 1 З ляется словарным входом, а сток является инфорМационным входом-выходомячейки, накопительный конденсатор,одна обкладка которого подключена кшине импульсного напряжения, другаясоединена с затвором первого ключе"ного транзистора и стоком второго,ключевого транзистора, сток первогоключевого транзистора соединен с затвором второго ключевого транзисто 23 ра, о т л и ч а ю щ а я с я тем,что, с целью повышения быстродейст-.вия ячейки памяти, исток первого иисток второго ключевых транзисторовсоединены с истоком адресного юран"ЗО зистора, сток первого ключевого транзистора соединен с шиной постоянногонапряжения,1275545 оставитель Г.Бородинехред Л,Олейник Корректор М.Самборска Гр атилл Редак а оектная,4 Производственно-полиграфическое предприятие,город,569/46 Тираж 543ВНИИПИ Государственного кпо делам изобретений и 113035, Москва, Ж, Рауш Подписитета СССРкрытийя наб., д,4/5

Смотреть

Заявка

3348466, 19.10.1981

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ Х-5263

ТЕНК ЭДМУНД ЭДМУНДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

Опубликовано: 07.12.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1275545-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>

Похожие патенты