Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1275544
Авторы: Лушников, Минков, Соломоненко
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН Яи 1275 1/4 а)40 1 ЗОБРЕТЕНИЯ ПИ.С,Лушников ойств ус Це произвольнои выборкой.тения является повышениивости элемента памяти. ю изо хоуст авлен по По остигается введ о ключевого эле нии элемента па е ием дополнительн мента. При ти к шинам одклю аписи итыв я паразит е емкости их оказываются включе ными после ная емкост ател но, и эквиваленки ,для элементвдвое. 1 ил. нагру шаетс амяти уме ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И )ТНРЫТИЙ АВТОРСКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬСТ(56) АЧК МОБ Эупашдс Капйош-Ассез Мешогу. - 1 ЕЕЕ 1 оцгпай ой БоГЫБгаге Сгепхге, ч. Бс, У 5, Осг Ьег 1973, р.294, Р 1 я 3.А 256 К Ь.г Эупаш 1 с ВАМ, - 1 ЕЕЕ ,1 оигпа 1 ог БоБс 1-Бумаг.е,Сгеп 1 сз, ч. Бс, У 5, 1980, р.872-874, Р 1. 2, поз, 2. относится к областии предназначено дляольших интегральныхих запоминающихЗаказ 6569/46 Тираж 543 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул,Проектная,4 1Изобретение относится к областимикроэлектроники и предназначено дляиспользования в больших интегральныхсхемах (БИС) динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУПВ),На чертеже представлено предлагаемое устройство.Элемент памяти содержит ключевойтранзистор 1, сток которого являетсявходом 2 элемента памяти, накопительный конденсатор 3, дополнительный ключевой транзистор 4, сток которого является выходом 5 элементапамяти, затворы транзисторов 1 и 4 являются входом 6 выборки элементапамяти. Пунктиром обозначены паразитные емкости шин записи - считывания (не указаны), к которым элементпамяти подключен через вход и выход.Так как элемент памяти подключендифференциально к двум шинам записисчитывания, то это дает возможность,включив усилитель считывания междуэтими шинами, получить полный дифференциальный сигнал обеих полярностейа не разность рабочего и опорногосигналов аналогично известному уст 1275544 2ройству. Это позволяет при прочихравных условиях уменьшить емкость,а следовательно, площадь конденсатора 3 вдвое, Кроме того, как видноиз схемы, паразитные емкости шин записи - считывания оказываются включенными последовательно и эквивалентная емкость нагрузки для элементауменьшается вдвое.1 аФормула изобретения Элемент памяти, содержащий ключевой транзистор, сток которого является входом элемента памяти, накопительный конденсатор, одна обкладкакоторого соединена с истоком ключевого транзистора, затвор которого является входом выборки элемента памяти, отличающийся тем,что, с целью повышения помехоустойчивости, в него введен дополнительный ключевой транзистор, исток которого соединен с другой обкладкой на копительного конденсатора, затвор -с затвором основного ключевого транзистора, а сток является выходомэлемента памяти.
СмотретьЗаявка
3823786, 14.12.1984
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6429
СОЛОМОНЕНКО ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ЛУШНИКОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ, МИНКОВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 07.12.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1275544-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Запоминающее устройство с сохранением информации при отключении питания
Следующий патент: Ячейка памяти
Случайный патент: Флюс для электродуговой сварки и наплавки