Невзаимное устройство

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ949744(22) Заявлено 28.11.78(21) 2709139/18-09с присоединением заявки Мо(23) ПриоритетОпубликовано 070882, Бюллетень Мо 29Дата опубликования описания 070882 1) М Кп з Н 01 Р 1/32 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийР.Б.Толутис и Ю.К.Пожел 72) Авторыизобретения на Трудового Красного Знамени и полупроводников АН Литовской) НЕВЗАИМНОЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относ ехнике. Известно невзаим одержащее полупров намотанными на;не ерпендикулярными к Однако известное ойство не обеспечи слабление при пере рямом и обратном н Цель изобретения аимного ослабле ала в прямом иится к радиоупро ное устройство, одниковую пластин е двумя взаимно атушками связи Г 1невзаимное уствает невэаимное даче сигнала в аправлениях.обеспечение ния при передаче обратном направУ с г и 1 О невзсигилени я цели в невэаим ржащем полупрово намотанными на пендикулярными олупроводниковаяиэ анизотропного ом нормаль 2 к плосиковой пластины сосс одной иэ основных о кристалла, ось связи совпадает с составляющим угол Юх анизотропного крис- и Йх удовлетворяютнент 6 тензора номднинее20 Х 2( Х Х) У( 2 Х,устройстве, соде новую пластину с двумя взаимно пер тушками связи, п пластина вырезан кристалла, при э кости полупровод тавляет угол д 7 осей аниэотропно одной из катушек направлением х,с укаэанной осью талла, а углы 2 условию для комйолектропроводности материалодниковой пластины ХЯЗ. ф(х) аа(о 2 о"х) ххФ 2ф"х)=- ад. (с 1 ви) де хуг соответствуют трем взаимноерпендикулярным направлениям.На чертеже приведена конструкция невэаимного устройства.Невзаимное устройство содержит полупроводниковую пластину 1 с намотанными на нее двумя взаимно перпендикулярными катушками 2 и 3 связи, причем полупроводниковая пластина 1 вырезана из анизотропного кристалла, при этом нормаль 2 к плоскости полупроводниковой пластины 1 составляет угол сС 2 с одной из основных осей анизотропного кристалла, ось катушки 2 связи совпадает с направлением х, составляющим угол схс указанной осью анизотропного кристалла, а углы о р Ы,с удовлетворяют условию для компонейт 6 тензора электропроводности материала полупроводниковой пластины 1949744 Формула изобретения 6 / , Х 2( 2 Х) 2 УИ 3 х) Составитель А.Кузнецоваедактор М.Янович Техред М. Надь Корректор Г.Огар 65/44 ВНИИПИ Гос по делам 113.035, Мож 630 Подписноенного комитета СССРений и открытий35, Раушская наб д. 4/ каз Тир арств зобре ва, Ж елиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектна Невзаимное устройство работает следующим образом.При поступлении сигнала на катушку 2 связи в присутствии постоянного магнитного поля ВО, создаваемого магнитной системой 4 вдоль направления Е, в полупроводниковой пластине 1 возбуждается размерный резонанс геликоноподобных волн. Иэ-эа эллиптической поляризации этих волн вдоль оси катушки 3 возникают высокочастотные О потоки магнитных полей, возбуждающие в катушке 3 высокочастотный сигнал, В этом случае сигнал через невзаимное устройство передается без заметных потерь. При обратном направлении пе- )5 редачи сигнала, т,е. от катушки 3 к катушке 2 связь между катушками 2 и 3 отсутствует. Этот Факт объясняется тем, что благодаря аниэотропии электропроводности в присутствии посО тоянного магнитного поля Во недиагональнаякоМпонента тензора магнитосопротивленияимеет две составные части - симметричную и антисимметричную. Соответственно имеются и два высокочастотных тока и два потока высокочастотной магнитной индукции, ответственных за возбуждение волны. При передаче сигнала от катушки 3 эти две части идут в противофазе и взаимно компенсируются, а на катушке 2 сигнал отсутствует.Таким образом, устройство в отличие от прототипа обладает амплитудной8 о невзаимностью относительно направления передачи сигнала. Невзаимное устройство, содержащее полупроводниковую пластину с намотанными на нее двумя взаимно перпендикулярными катушками .связи, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения невзаимного ослабления при передаче сигнала в прямом и обратном направлениях, полупроводниковая пластина вырезана иэ анизотропного кристалла, при этом нормаль Е к плоскости:полупроводниковой пластины составляет угол Ы с одной иэ основных осей анизотропнсго кристалла, ось одной из катушек связи совпадает с направлением х, составляющим угол ак с указанной осью анизотропного кристалла, а углы . с и сх удовлетворяют условию для компонент Й тензора электропроводности материала полупроводниковой пластины где х,у,г соответствуют трем эаимноперпендикулярным Направлениям.Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРпо заявке Р 2487817/09,кл. Н 01 Р 1/32, 1977.1