Терморезистор

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Номер патента: 1157947

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бабак, Кильчицкая, Стриха

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, контактов, невыпрямляющих, полупроводниковых, структурах

...полупроводника 3 ведет при условии Ы 1 к генерации электроннодырочных пар в объеме полупроводника по всей глубине проникновения излучения вплоть до контролируемого контакта. В области 4, а также в области 2 при наличии в ней потенциального барьера может происходить разведение фотогенерированных носителей электрическими полями потенциальных барьеров, что регистрируется как пульсирующий фототок посредством наблюдения в точке 13 падения переменного напряжения на нагрузке 9 независимо от темнового тока через структуру, который пропорционален постоянной составляющей напряжения на нагрузке 9 в точке 14.Величина и направление фототока для случая слабопоглощаемого света зависят от собирания генерированных светом носителей заряда, т.е. от...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Номер патента: 309416

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: вакуул1ного, нанесения, пленок, полупроводниковых, соединений

...изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических размеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспаренич ма ас подложки и стенок камеры.Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых5 соединений групп АпВ" и Ап Б отношениедлины камеры к ее диаметру составляет 0,5 -1,5 при градиенте температуры вдоль...