Устройство для управления вентилятором

Номер патента: 800982

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Гальперин, Мовшович, Мокроусов, Пушкин

МПК: G05F 1/58

Метки: стабилизированныйпреобразователь, тиристорный

...через накопительный конденсатор 9 и к выходу источника опорного напряжения через пос О ледовательно соединенные резистор 10 и переход коллектор-эмиттер транзистора 11, база которого подключена к датчику б сигнала ошибки, а эмиттерк резистору 12 дополнительной управляемой цени, состоящей из резистора 12 и транзистора 13, который соединен по цепи управления с датчиком 14 входного сигнала и датчиком 15 тока нагрузки.В рабочем режиме частота работы регулирующего органа 1 задается релаксационным генератором 7, режим работы которого определяется датчиком б сигнала ошибки и источником 5 опорного напряжения. Транзистор 13 при этом35 закрыт и не влияет на работу схемы.При возрастании тока нагрузки до . заранее выбранной величины или при...

Номер патента: 1456647

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Клейменов, Константинов, Пелепей, Смирнова

МПК: F04D 17/08, F04D 29/66

Метки: вентилятор, охлаждения, центробежный, электродвигателя

...чертеже показан вентилятор, поперечный разрез. 10Центробежный вентилятор для охлаждения электродвигателя (не показан) содержит цилиндрический корпус 1 с выпускными щелями 2 и установленное в нем с радиальным зазором 1 рабочее колесо 3. Радиальный зазор о имеет величину, составляющую 0,20,35 от наружного диаметра 0 колеса 3, а отношение длины 1 каждой щели 2 к последнему равно (0,250,27) фй .Вентилятор работает следующим образом.При вращении рабочего колеса 3 возДух из атмосферы поступает на 25 электродвигатель для его охлаждения Формула изобретения Центробежный вентилятор для охлаждения электродвигателя, содержащий цилиндрический корпус свыпускными щелями и установленное в нем с радиальным зазором рабочее колесо, о т л и ч а ю щ и й...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 434395

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Темрезов

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах

...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...